核心電子元器件研制全線自主化

閆劍利

3月23日從山西省科技廳傳來消息，山西省4H-SiC單晶制備技術取得重大突破并實現產業化，至此突破了國外對我國SiC單晶襯底技術多年的限制，為我國高性能核心電子元器件產業發展提供了有力保障。

4H-SiC單晶是目前高性能核心電子元器件研制必需的襯底材料。多年來，中國電子科技集團公司第二研究所（山西）通過不斷努力創新，解決了4英寸SiC單晶生長設備結構設計、密閉性設計等關鍵技術，獲得自主知識產權的SiC單晶生長設備制造技術，實現了SiC單晶生長設備國產化；通過新型石墨坩堝結構設計、SiC單晶生長SiC籽晶新型固定工藝等技術創新，突破了低微管密度控制技術、低應力控制、晶型控制技術、SiC單晶表面加工等關鍵技術；將SiC單晶生長工藝與設備結合，獲得了SiC單晶生長工藝一致性、高純粉料自主合成等產業化解決方案。在產業化方面，中國電子科技集團公司第二研究所通過產業化平臺建設，新增SiC單晶生產設備40臺套，建立了SiC單晶襯底加工生產線和檢測線，實現了年產SiC單晶襯底10000片的能力。4H-SiC單晶技術的成功產業化，突破了國外對我國SiC單晶襯底技術的限制，為我國高性能核心電子元器件產業發展提供了有力的保障。

中國電子科技集團公司第二研究所是專業從事電子專用設備研發制造的國家級研究所，致力于國家軍事電子和信息產業的發展，有多項產品列入國家重點新產品計劃和國家火炬計劃。以微組裝設備、液晶顯示生產設備、真空焊接設備為代表的產品行業地位突出，影響深遠，甚至外銷日本、美國等國家和地區。