Mo摻雜VO2薄膜生長及器件制備

東華理工大學 機械與電子工程學院 余 韻

引言：Mo摻雜VO2薄膜，是現代化工生產探究的代表，它具有基礎性、引導性、以及創新開發性特征，在現代電子產業、化工產業開發中，占有不可忽視的地位。基于此，本文結合化學氣相沉積法，對Mo摻雜VO2薄膜生長過程進行探究，并歸納常見Mo摻雜VO2薄膜器件制備的方法應用要點，以達到充分發揮Mo摻雜VO2薄膜資源優勢，為現代化工資源綜合開發提供借鑒的目的。VO2薄膜，是一種熱致變相變材料，它是由高溫金紅石、金屬單斜半導體機構逆轉生成的機體結構，該類材料具有強激光刺激性、光電供應性強的特征。隨著該類物質開發范圍逐步擴大，VO2薄膜產品的摻雜與轉換，逐漸成為資源開發的主要趨向，并成功的與現代化工生產有機結合在一起，成為打造新化工產業的主要研究對象。

一、實驗探究Mo摻雜VO2薄膜生長

（一）實驗方法

本次實驗主要是為了研究VO2薄膜與Mo融合，所產生的薄膜生長資源開發資源，將對制備出來的薄膜產品的穩定性、基底含量成分等進行探究。同時，Mo摻雜VO2薄膜生長制備期間，應運用金屬薄膜制備原理，對Mo摻雜VO2薄膜生長的摻雜工藝要求進行探究。本次實驗中采用化學氣相沉積法，對Mo摻雜VO2薄膜生長進行探究。

（二）實驗步驟

結合本次實驗的實驗要求，將實驗步驟整合如下：（1）將兩種金屬元素放置在薄膜生長設備管式爐下，并采用化學氣相沉積法，對Mo摻雜VO2薄膜的基層結構進行處理，本次實驗的真空環境為5.0×10-3pa。Mo與VO2摻雜后（曲棟，倪立勇,盧鵡,楊杰,楊玉茹.Zr-Mo-Si-C四元復合涂層抗氧化燒蝕性能研究[J].表面技術,2018,47(05):130-136.）。（2）按照Mo摻雜VO2薄膜生長的一般要求，開展進行Mo摻雜VO2薄膜生長備制時，首先將V2O5粉末與一定比例的MoO3混合研磨后，將粉末放置在石英舟上，并運用襯底法，在石英舟底部進行調節，確?；旌虾蠓勰?，可以在石英舟上推入到管式爐內。（3）管道密封后，對管內進行抽空操作，并通入適量的氬氣，確保通入氬氣量與混合粉末比例按1:2的標準配置。（4）混合后物質靜置17小時后，將物質放入1000攝氏度的環境內沉積。

本次實驗中應用的設備為：電子纖維鏡，最大掃描范圍為125μm×125μm，最大掃描范圍為0.1μm，最高垂直分為0.01nm。X-射線儀器為銅靶，功率最高可達18kw，2倍θ角測量范圍為0.5-145°，精確度在0.01，實驗最高溫度為1500℃，并運用電子儀器進行檢測，運用0.45ev分辨率進行資源分析（章偉鋼,周蕓,劉少尊,厲勇,王春旭.Mo與Co含量對18Ni馬氏體時效鋼性能的影響[J].金屬熱處理,2018,43(04):48-52.）。

（三）實驗結果分析

1.薄膜形態

Mo摻雜VO2薄膜生長的形態變化，主要以粒子耦合形態為主，且Mo摻雜VO2薄膜的主要顆粒，均覆蓋在物質的底面。隨著Mo摻雜VO2薄膜生長過程逐步完善，底層粒子的大小均勻度趨于均勻，其平均直徑在100nm左右，個別顆粒的最大直徑在130-150nm之間。與單層次VO2薄膜相比，Mo摻雜VO2薄膜生長物質的薄膜內顆粒排列均勻度較高，且整體排列結構較整齊。同時，本次實驗中運用化學氣相沉積法進行薄膜生長觀察發現：Mo摻雜VO2薄膜粒子的“填充”過程，是隨著Mo摻雜VO2薄膜的變換而轉變的，初步粒子運轉的速率相對較快，待Mo摻雜VO2薄底部粒子飽和后，粒子填充的速率也會相對減慢，最終達到停止運用。

2.薄膜結構

一方面，Mo摻雜VO2薄膜生長期間，Mo摻雜VO2物質，會隨著溶液中MoO3摻雜的含量變化而變化，且由于摻雜物質中的V4+離子的逐步減少，Mo摻雜VO2薄膜所呈現的趨向變化趨向波動程度也會有所轉變。另一方面，Mo摻雜VO2薄膜生長時，物質之間的離子轉化XRD圖譜也有相應變化。每一種物質在離子轉換期間，均會出現一個轉換最高峰。而運用濺射法進行Mo摻雜VO2薄膜生長實驗觀察時，波峰變化周期性更明顯，且波峰與周圍物質之間的差異性較低（武瑞明,張少華,王曉薔,么志偉,施巖,陳潔靜.Ni-Mo-W非負載型催化劑加氫脫硫性能的改進[J].石油化工,2018,47(04):320-326.）。

3.薄膜構成

其結果表明：Mo摻雜VO2薄膜生長期間，物質原有的V、O、M元素有明顯升高，且受到樣品生長各個階段的溫度變化影響，薄膜初期三中物質的比重均呈現明顯的單向變化，當Mo摻雜VO2薄膜生長處于高溫狀態時，單項趨向逐步向著多項趨向融合的趨向轉變，待Mo摻雜VO2薄膜生長完成后，三種物質的曲線，又出現了三個方向轉換的狀態。按照三種物質所占面積比來說，Mo摻雜VO2薄膜的生長過程，縮減了三類物質的各自所占比重，增加了三種物質融合的比例。即，與薄膜生長前相比，Mo摻雜VO2薄膜生長后，分子之間密度更小，薄膜應用效果更加。

4.薄膜電學性質

Mo摻雜VO2薄膜，通過物質融合，增加了物質原有的金屬導電性，且Mo摻雜VO2薄膜內部金屬離子的耦合變化情況，也能夠隨著物質的變化而變化，其金屬特征穩定性增強。

二、Mo摻雜VO2薄膜制備法要點分析

（一）真空蒸鍍法

該種方法是將Mo摻雜VO2薄膜生長物質，放置的真空中蒸發、升華，融合物會在氣體蒸發轉換期間，在基片表面析出，進而得到Mo摻雜VO2薄膜。一般來說，生產人員為了減少Mo摻雜VO2薄膜的蒸鍍步驟，通常采用電阻式加熱措施，對原料進行蒸鍍加熱，并將Mo與VO2兩種物質，按照2:5的比例進行多次投放，直到Mo摻雜VO2薄膜制備完成，停止加熱，也終止增加制備原料。真空蒸鍍法，在大規模Mo摻雜VO2薄膜中應用較廣，但制備所生成的Mo摻雜VO2薄膜，需經過高溫、低溫的二次轉換，后期制備時間相對較長。

（二）脈沖激光沉積法

Mo摻雜VO2薄膜制備期間，Mo與VO2，在高溫、高離子環境下，物質本身的電荷運用軌道發生了位置變化，且離子在外部環境影響下，由斷斷續續的離子運動，轉換為連續性運用過程，從而更加明顯的彰顯金屬與非金屬的特性；同時，它能夠合理處理軌道內多余電子，確?！靶隆蔽镔|生成后，具有分子密度小，活躍度穩定的特征。

而脈沖激光沉積法，在Mo摻雜VO2薄膜制備中應用，就是利用Mo摻雜VO2薄膜制備“摻雜”轉換過程的這一原理，在外部激光、溫度的調節下，快速更換Mo摻雜VO2物質中的分子，并重新按照制備薄膜成分中，紅寶石單晶體的分子規律進行排列，待離子結構一列電阻數量為4-5個時，制備產品屬性達到最穩定狀態，生產人員可此時可進行降溫，實現分子沉降。

（三）溶膠、凝膠法

溶膠、凝膠法，主要是借助金屬有機物氧化物加熱、降溫后物質形態轉換的方法，實現Mo摻雜VO2薄膜器件制備。為保障Mo摻雜VO2薄膜制備的質量，通常采用粉末蘸水法，逐一進行Mo摻雜VO2薄膜制備；同時，薄膜制備期間，可按照備至粉末的凝膠膜情況，選擇高溫溶膠，或者低溫凝膠法，制備Mo摻雜VO2薄膜。

依據國內Mo摻雜VO2薄膜制備中，所應用的溶膠、凝膠措施可知：該方法解決了，Mo摻雜VO2薄膜器件原料不足狀態下，制備后的產品出現氣泡、薄膜質量較差的問題。

（四）化學氣相沉積法

該方主要是利用Mo摻雜VO2薄膜生長制備材料氣體與物質反應后，不會出現未完全反應物對生成物成分干的優勢進行薄膜制備。本次實驗中就主要運用這一方法進行制備。實際操作時，首先進行制備原料配置，再按等比例融合相應的氬氣，使兩者充分接觸后，即可實現Mo摻雜VO2薄膜生長與制備，與其他的方法相比，該方法具有操作便捷，資源損耗低的特征。

結論：綜上所述，Mo摻雜VO2薄膜生長及器件制備，對新時期化工資源開發提供了指導。在此基礎上，實驗探究Mo摻雜VO2薄膜生長物理和化學特性，并分析了常見的Mo摻雜VO2薄膜器件制備法，包括真空蒸鍍法、濺射法、脈沖激光沉積法、溶膠、凝膠法、融化制備膜法，為現代化工資源運用提供了技術指導。因此，對于Mo摻雜VO2薄膜生長及器件制備的理論探究，將為社會資源整合運用的技術借鑒。