耐高壓單色QLED器件制備

張李　馬勇

【摘 要】本文通過磁控濺射和有機蒸鍍的方法分別制備了量子點LED（QLED）的ZnO電子傳輸層和NPB空穴傳輸層，構建了基于CdSe/CdS/ZnS量子點作為發光層的紅光QLED。通過優化電子傳輸層和空穴傳輸層制備工藝得到了穩定的耐高壓單色器件，測試結果表明該器件在10-15V范圍均可持續穩定地發出紅光。

【關鍵詞】量子點；發光二極管；磁控濺射；有機蒸鍍

中圖分類號： O472 文獻標識碼： A 文章編號： 2095-2457（2018）04-0124-003

Manufacture of high voltage monochrome QLED device

ZHANG Li MA Yong*

（College of Physics and Electronic Engineering，Chongqing Normal University，Chongqing 401331，China）

【Abstract】In this paper， ZnO electron transport layer and NPB hole transport layer were prepared by magnetron sputtering and organic vapor deposition，respectively. Red QLED based on CdS/CdS/ZnS quantum dots emitting layer was manufactured. A stable high voltage monochrome device was obtained by optimizing the electron transport layer and hole transport layer preparing technology. The test results showed that the device can emit monochrome red light at the voltage range from 10 to15V steadily.

【Key words】quantum dots；LED；magnetron sputtering；organic vapor deposition

0 引言

無機量子點半導體是一種無機納米級半導體材料。這種無機量子點半導體具有高的穩定性[1-2]。無機量子點半導體尺度比本身的激子波爾半徑小，因此存在顯著的量子局域效應，從而使半導體的帶隙變寬。通過調節量子點半導體的尺寸就可以改變半導體的帶隙及其發光的中心波長[3-5]。從1994年用量子點作為發光材料被提出以后，量子點顯示得到了較大的發展，有非常大的可能取代傳統的LCD（Liquid Crystal Display）顯示器成為下一代顯示器[6-8]。

量子點發光二極管（QLED）的雛形早在二十世紀九十年代初就被設計出來。早期的器件結構非常簡單：在量子點兩端直接接通電極，以量子點作為電子、空穴傳輸層也作為發光層，這種器件結構導致器件的效率非常低。在量子點發光二極管的后續研究中，逐步引入電子與空穴傳輸層，量子點作為中間的單獨發光層，這種類似于三明治設計的結構沿用至今。

在尋找量子點發光二極管空穴、電子傳輸層材料過程中。一方面，使用無機物作為量子點二極管的傳輸層，這是因為無機物作為傳輸層穩定性很好，但是電子和空穴傳輸層都使用無機物制作出的器件具有非常大的電流密度[9-10]。……