Stroke：顱內(nèi)支架3年再狹窄率

楊中華

支架治療對(duì)比積極藥物治療預(yù)防顱內(nèi)動(dòng)脈狹窄卒中復(fù)發(fā)試驗(yàn)（Stenting and Aggressive Medical Management for Preventing Recurrent Stroke in Intracranial Stenosis，SAMMPRIS）最終因?yàn)轱B內(nèi)支架組30 d卒中和死亡的比例太高而提前終止。試驗(yàn)結(jié)束后，強(qiáng)化內(nèi)科治療和隨訪仍然繼續(xù)進(jìn)行，長期隨訪沒有發(fā)現(xiàn)經(jīng)皮腔內(nèi)血管成形術(shù)（percutaneous transluminal angioplasty，PTAS）和支架的延遲獲益。

長期隨訪之所以沒有獲益，顱內(nèi)PTAS后支架內(nèi)再狹窄（in-stent restenosis，ISR）是重要因素。為此，SAMMPRIS試驗(yàn)的研究者于2017年6月在Stroke上公布了他們的研究結(jié)果，目的在于評(píng)估SAMMPRIS研究癥狀性ISR的發(fā)生率。

該事后分析納入圍手術(shù)期未發(fā)生主要終點(diǎn)的183例患者，隨訪支架動(dòng)脈分布區(qū)以下事件的發(fā)生率：缺血性卒中、短暫癥狀腦梗死或短暫性腦缺血發(fā)作（transient ischemic attack，TIA）。

這183例患者中（平均隨訪35個(gè)月），27例（14.8%）發(fā)生支架動(dòng)脈分布區(qū)癥狀性腦梗死（卒中或短暫癥狀梗死），16例（8.7%）發(fā)生支架動(dòng)脈分布區(qū)TIA。27腦梗死的患者中，17例（9.3%）為缺血性卒中，10例（5.5%）為短暫癥狀腦梗死。其中24例腦梗死患者進(jìn)行了血管影像學(xué)檢查，發(fā)現(xiàn)16例（66.7%）發(fā)生ISR；其中10例TIA患者進(jìn)行了血管影像學(xué)檢查，發(fā)現(xiàn)8例（80%）發(fā)生ISR。在SAMMPRIS研究支架組隊(duì)列中，1、2、3年癥狀性ISR的發(fā)生率分別為9.6%、11.3%和14%。

最終作者認(rèn)為在3年的隨訪中，SAMMPRIS支架組至少1/7患者發(fā)生了癥狀性ISR，是圍手術(shù)期后腦梗死的主要原因。

文獻(xiàn)出處：DERDEYN C P，F(xiàn)IORELLA D，LYNN M J，et al. Nonprocedural symptomatic infarction and in-stent restenosis after intracranial angioplasty and stenting in the SAMMPRIS trial（Stenting and Aggressive Medical Management for the Prevention of Recurrent Stroke in Intracranial Stenosis）[J].Stroke，2017，48（6）：1501-1506.