175Hf的半衰期測量

張雄寓，丁有錢，王秀鳳，張生棟，馬 鵬，劉峙嶸

1.東華理工大學 省部共建核資源與環境國家重點實驗室培育基地，江西 南昌 330013；2.東華理工大學 核科學與工程學院，江西 南昌 330013；3.中國原子能科學研究院 放射化學研究所，北京 102413

175Hf的半衰期測量

張雄寓1,2,3，丁有錢3，王秀鳳3，張生棟3，馬 鵬3，劉峙嶸1,2,*

1.東華理工大學 省部共建核資源與環境國家重點實驗室培育基地，江西 南昌 330013；2.東華理工大學 核科學與工程學院，江西 南昌 330013；3.中國原子能科學研究院 放射化學研究所，北京 102413

175Hf現有的半衰期數據偏少且分歧較大，對核參數的準確使用不利。本實驗通過加速器質子束流轟擊175Lu，并使用HDEHP萃淋樹脂進行離子交換，得到無載體無181Hf干擾的高純度175Hf液體測量源，對其中的雜質65Zn與56Co的去污因子分別為5.2×103與2.3×103；引入一固定位置的監督源137Cs與175Hf進行了40 d的連續測量，對343 keV以及661 keV γ射線計數率的比值關于測量時間進行線性擬合，得到175Hf的半衰期為(70.73±0.25) d，并對測量結果進行了相關檢驗。

175Hf；半衰期；無載體

175Hf是電子俘獲(EC)方式衰變核素(Qec=685.8 keV)，其衰變至基態175Lu時共發射9條較低能量的γ射線，其中發射強度最大的γ射線能量為343.4 keV[1]。截止目前，公開發表的這一衰變過程的半衰期測量值僅有4個，各數據之間存在一定分歧。早在1949年，Wilkinson等[2]利用加速器首次制備出175Hf，并使用云母窗計數器對共沉淀法純化后的175Hf首次進行了半衰期測量。限于分離效果與探測器，給出了一個含有較大不確定度的半衰期結果(70±2) d。1963年Rao等[3]也進行過相關測量，但給出的結果并無本質的改變。……