Oxide TFT—LCD工藝中金屬鈍化層Via Hole存在SiO2殘留問題研究
2017-05-30 10:48:04何方姚奇李燕龍趙輝
現代鹽化工 2017年4期
何方 姚奇 李燕龍 趙輝
摘要：文章以硅烷（SiH4）和笑氣（N2O）為反應源氣體，采用射頻等離子體增強化學氣相沉積（PECVD）法沉積SiO2薄膜。文章闡述了TFT-LCD生產中由于SiO2膜質問題所造成的溝道鈍化層孔內刻蝕殘留，并根據產線的情況對這些問題進行了分析，對實際生產過程中出現的問題提出了相應的解決方案。
關鍵詞：TFT-LCD；SiO2；PECVD；溝道鈍化層；SiO2殘留
