手性布洛芬對映體的選擇性光電化學氧化

代衛國 何丹農,2,*

(1納米技術及應用國家工程研究中心，上海200241；2上海交通大學，材料科學與工程學院，上海200240)

手性布洛芬對映體的選擇性光電化學氧化

代衛國1何丹農1,2,*

(1納米技術及應用國家工程研究中心，上海200241；2上海交通大學，材料科學與工程學院，上海200240)

將光電化學方法與原位分子印跡技術相結合，通過使用手性布洛芬的對映體S-布洛芬(S-ibuprofen)和R-布洛芬(R-ibuprofen)為模板分子，在原位生長的單晶二氧化鈦(TiO2)納米棒表面構筑S-ibuprofen和R-ibuprofen分子印跡位點，制備出能夠對S-ibuprofen和R-ibuprofen選擇性識別和催化氧化的印跡電極。通過掃描電子顯微鏡(SEM)、透射電子顯微鏡(TEM)、X射線衍射(XRD)和拉曼光譜(Raman)對電極的形貌、結構和組成進行表征，通過電化學阻抗對電極表面的電子傳遞阻力進行研究，以制備得到的印跡電極為工作電極通過光電化學方法對其印跡位點的光電識別選擇性和光電降解選擇性進行測試。制備得到的TiO2為單晶納米棒陣列，印跡位點成功構筑在TiO2納米棒表面且具有很好的擇形吸附能力。本工作首次實現了手性醫藥布洛芬對映體在人工光電催化劑表面的選擇性識別和選擇性氧化降解。

布洛芬；單晶二氧化鈦；光電化學識別；擇形吸附；選擇性氧化降解

1 引言

手性醫藥對映體在生物體外的物理化學性質基本相同，但是在生物體內，手性藥物所作用的酶、蛋白質、核酸大分子和細胞表面受體等都具有手性結構1，這些性結構的受體對結合的藥物的空間立體構型有一定的選擇性，因此手性醫藥對映體在體內的吸收、轉化和代謝過程存在著手性差異。通常一個對映體對病癥有治療效果，而另一個對映體無效甚至是有害的2。例如S-氧氟沙星具有抗菌消炎的作用，而R-氧氟沙星沒有藥效3,4；S-構型的青霉胺能夠治療關節炎，而R-構型對映體卻是一種突變劑5；S-構型多巴是治療帕金森綜合癥的主要藥物，而R-構型會造成粒狀白細胞減少，使用極其危險6。如果將手性醫藥的非活性對映體選擇性去除只留下活性對映體，不僅可以提高藥物的治療效果，還會減少對生物體造成的危害。

傳統的用于手性醫藥分離的最主要方法是色譜法7,8，通過使用不同的手性色譜柱來分離和檢測手性對映體。但是目前各種商品化手性柱制備過程復雜，使用成本高，且現在已有的商業化手性柱種類少，很多種手性物質還沒有對應的手性分離柱。

光電化學方法由于具有簡單、快速、高效等優點，在分析檢測和催化降解等領域中一直備受關注9－11。特別是對于使用二氧化鈦、氧化鋅等優異的氧化物半導體作為光催化劑的催化氧化方法在環境污染物降解處理領域中得到了廣泛的應用12－15。光電催化氧化方法是光催化材料在受能量高于半導體吸收閾值的光照射后，半導體的價帶電子發生帶間躍遷，即從價帶躍遷到導帶，從而產生光生電子(e－)和空穴(h+)，在外加電場存在的情況下，光生電子能更好地與空穴分離，降低電子與空穴的復合率，空穴將吸附在催化劑表面的氫氧根離子和水氧化成羥基自由基，而羥基自由基具有很強的氧化性，能將絕大多數的有機物氧化至最終產物CO2和H2O。但是光和電本身并沒有選擇性，很難在混合體系中實現特定一種物質的選擇性光電催化氧化，更無法選擇性氧化降解手性污染物的一個對映體。因此，如何提高選擇性從而實現手性環境污染物的選擇性氧化降解是目前光電催化研究領域中的研究熱點同時也是難點。

原位分子印跡技術是在材料制備的同時將模板分子一同加入到前驅體中，制備出含有模板分子的光催化材料，通過物理或化學方法脫除模板分子后，留下與模板分子空間構型相匹配的三維孔穴，該孔穴與模板分子之間會產生多種分子間作用力，能夠特異性識別模板分子16。我們嘗試將原位分子印跡技術與光電催化氧化技術相結合，利用分子印跡的選擇性和光電催化氧化的高效性，以期望實現手性藥物布洛芬對映體的選擇性光電化學識別和選擇性光電化學氧化降解。

布洛芬(2-(-4-異丁基苯基)丙酸，簡稱ibuprofen)作為世界衛生組織、美國食品藥品管理局唯一共同推薦的兒童退燒藥，同時也是公認的抗炎藥17，結構式如圖1所示。其制劑為布洛芬緩釋膠囊，是苯丙酸類非甾體類抗炎藥物的代表。其S-構型(S-ibuprofen)具有藥物活性，R-構型(R-ibuprofen)沒有活性。環境中殘留1μg·L－1的布洛芬就會對青鳉魚的排卵造成影響18，1 mg·L－1的布洛芬會使浮萍的生長量降低25%19。

布洛芬的生產、銷售和使用都是采用外消旋體形式的。有數據顯示，僅2009年布洛芬原料藥在中國的生產已經超過4000噸，而且產量在逐年增加20。如果能將非活性的R-構型去除，就可以減少一半的布洛芬使用量，其對生物體和環境的毒副作用也相應減少了一半。將該光電選擇性氧化技術使用到其他手性醫藥對映體的選擇性去除中，其對生物體和環境帶來的好處不可估量。

圖1 S-布洛芬(左)和R-布洛芬(右)的結構式Fig.1 Structuralformula of S-ibuprofen(left)and R-ibuprofen(right)

2 實驗部分

2.1 化學試劑與材料

摻氟SnO2(FTO)購買于武漢晶格太陽能科技有限公司，切割成1.5 cm×4.0 cm大小，作為電極基底。硫酸鈉(AR,≥99.0%)，鈦酸四丁酯(AR,≥99.0%)購置于阿拉丁試劑(上海)有限公司，鹽酸(AR,36.0%－38.0%)使用時不需要進一步純化。S-ibuprofen、R-ibuprofen和外消旋布洛芬(Rac-ibuprofen)(AR,≥99.0%)購買于大賽璐藥物手性技術(上海)有限公司。如果無特殊說明，實驗中使用的溶液均使用二次蒸餾水配制。

2.2 光電陽極的制備

2.2.1 未印跡的光電陽極的制備

將10 mL的濃鹽酸與10 mL的水混合，在磁力攪拌下緩緩地將0.25 mL的鈦酸四丁酯逐滴滴加其中，再持續攪拌1 h，得到前驅體溶液。將前驅體溶液轉移至25 mL的聚四氟乙烯內襯的不銹鋼高壓反應釜中，再將預處理后的FTO的導電面朝下浸入溶液中，密封反應釜，于150°C反應4 h。反應結束后取出電極，用去離子水沖洗，去除表面殘留物，再放置于500°C的馬弗爐中煅燒30 min，得到未印跡的一維單晶二氧化鈦納米棒電極，用TiO2表示。

2.2.2 帶有印跡位點的光電陽極的制備

將10 mL的濃鹽酸與10 mL的水混合，在磁力攪拌下緩緩地將0.25 mL的鈦酸四丁酯逐滴滴加其中，持續攪拌1 h，然后再加入模板分子S-ibuprofen，使S-ibuprofen的濃度為10μmol·L－1，再持續攪拌5 min得到前驅體溶液。將前驅體溶液轉移至25 mL的聚四氟乙烯內襯的不銹鋼高壓反應釜中，再將預處理后的FTO的導電面朝下浸入溶液中，密封反應釜，于150°C反應4 h。反應結束后取出電極，用去離子水沖洗，去除表面殘留物，再放置于500°C的馬弗爐中煅燒30 min脫除模板分子S-ibuprofen，得到帶有S-ibuprofen印跡位點的二氧化鈦納米棒電極，將此電極用S-ibuprofen-TiO2表示。

帶有R-ibuprofen印跡位點的單晶二氧化鈦納米棒電極的制備與此方法類似，只需將模板分子換成濃度相同的R-ibuprofen，其它步驟均與制備S-ibuprofen-TiO2步驟相同，制得的電極用R-ibuprofen-TiO2表示。

2.3 材料的結構表征

采用日本Hitachi S-4800場發射掃描電子顯微鏡分析制備的光電陽極表面的微觀形貌。采用日本JEOL高分辨透射電子顯微鏡分析樣品的表面結構(加速電壓為300 kV，分辨率為0.1 nm)。采用德國Bruker D8(Cu-Kα射線λ=0.15406 nm，2θ掃描范圍為20°－70°)表征材料的晶體結構。使用英國Rainshaw invia拉曼光譜儀研究材料的分子結構。

2.4 電極的光電化學性能測試

在上海辰華CHI6043E電化學工作站上，采用標準三電極體系，以制備的電極為工作電極，控制工作面積為1.5 cm×1.0 cm，鉑絲為對電極，飽和甘汞電極為參比電極，用電流－時間(i－t)曲線法研究未印跡電極和帶有兩種不同印跡位點的印跡電極對手性布洛芬對映體的選擇性光電化學響應。所使用的光源為4500 mW·cm－2的日本林時計(HAYASHI)LA-410UV-3燈，保持工作電極與光源距離為1.0 cm，使用0.1 mol·L－1Na2SO4為電解液，外加0.6 V的偏壓，記錄在照光和未照光情況下手性布洛芬對映體在工作電極表面的氧化電流。

采用標準三電極體系，在CHI6043E電化學工作站上，分別以非印跡的TiO2、帶有模板分子的S-ibuprofen-TiO2和脫除模板分子后的S-ibuprofen-TiO2電極為工作電極，控制工作面積為1.5 cm× 1.0 cm，鉑絲為對電極，飽和甘汞電極為參比電極，使用電化學阻抗法，測試電子在不同電極表面的傳遞阻力。

2.5 光電化學降解實驗

在連有恒溫系統的100 mL石英降解池中選擇性光電降解布洛芬手性對映體，保持恒溫系統的溫度在25°C，采用300 W的紫外燈為光源，分別以制備的光電陽極為工作電級，鉑片為對電極，飽和甘汞電極為參比電極。控制工作電極的工作面積為1.5 cm×4.0 cm，工作電極與對電極間的距離為1.0 cm，在施加0.6 V的偏壓下分別對50 mg· L－1的S-ibuprofen和R-ibuprofen溶液進行光電催化降解，并測試溶液中剩余的S-ibuprofen和R-ibuprofen的含量。

每次實驗結束之后將使用過的電極在500°C下高溫煅燒半小時以去除吸附在電極表面的布洛芬對映體，從而使電極表面的分子印跡位點完全暴露出來。

3 結果與討論

3.1 電極的表征

圖2是水熱法制備的電極的掃描和透射電鏡照片。從圖中可以清晰的看出通過水熱法制備TiO2, S-ibuprofen-TiO2和R-ibuprofen-TiO2都為一維納米棒陣列(左一)，且納米棒的邊長為70 nm左右(左二)，由其對應的選區電子衍射圖(左三)可以看出水熱法制得的電極呈現出清晰的X射線單晶點陣，說明我們所制備出的一維TiO2納米棒為單晶結構，該結果進一步說明了印跡位點的形成未破壞TiO2納米棒的晶型，很好地保留了TiO2的單晶特性。由對應的高分辨透射電鏡圖(左四)可知制備的TiO2,S-ibuprofen-TiO2和R-ibuprofen-TiO2晶格間距為0.32 nm，與金紅石型TiO2(110)晶面條紋間距0.3247 nm相等，表明制備的TiO2沿著(001)晶面方向生長，而(110)晶面暴露在外，從而形成納米棒。

圖3為水熱法制備的TiO2,S-ibuprofen-TiO2和R-ibuprofen-TiO2電極的XRD圖，通過對比3種電極衍射峰的位置可以發現，沒有印跡位點的單晶TiO2的衍射峰的位置與帶有S-ibuprofen、R-ibuprofen印跡位點的單晶TiO2的衍射峰的位置完全相同，說明加入模板分子S-DCPP和R-DCPP不會對制備的單晶TiO2納米棒的晶體結構產生影響。參照標準卡片JCPDS No.65-0192得知圖中的衍射峰從左到右依次對應于TiO2金紅石相的(110)、(101)、(200)、(211)、(002)、(310)、(221)晶面。

圖2 TiO2(A),S-ibuprofen-TiO2(B)和R-ibuprofen-TiO2(C)納米棒的掃描電鏡圖(左一)、透射電鏡圖(左二)、選區電子衍射圖(左三)和高分辨透射電鏡圖(左四)Fig.2 Scanning electron microscopy(SEM),transmission electron microscopy(TEM),selected area electron diffraction(SAED)and high resolution transmission electron microscopy(HRTEM)of TiO2(A),S-ibuprofen-TiO2(B)and R-ibuprofen-TiO2(C)

圖3 TiO2,S-ibuprofen-TiO2和R-ibuprofen-TiO2電極的XRD圖Fig.3 XRDof TiO2(a),S-ibuprofen-TiO2(b)and R-ibuprofen-TiO2(c)

圖4為SC-TiO2、S-(MI,SC)-TiO2、R-(MI,SC)-TiO2電極的拉曼光譜圖，通過對比3種不同電極的拉曼光譜可以發現，沒有印跡位點的TiO2與有SDCPP、R-DCPP印跡位點的TiO2的拉曼峰位置完全相同，在238.48、445.25、608.58 cm－1處有明顯的特征峰，與文獻中報道的金紅石型TiO2的拉曼特征峰的位置基本吻合21。

3.2 光電陽極對手性布洛芬對映體的光電識別

原位構筑的未帶有分子印跡位點和帶有S-ibuprofen和R-ibuprofen分子印跡位點的一維單晶TiO2光電陽極對S-ibuprofen和R-ibuprofen的選擇性光電響應差異如表1所示。S-ibuprofen-TiO2電極對S-ibuprofen的氧化光電流密度大于R-ibuprofen，R-ibuprofen-TiO2電極對R-ibuprofen的氧化光電流密度大于S-ibuprofen，而未帶有印跡位點的TiO2電極對S-ibuprofen和R-ibuprofen的光電流密度幾乎相等。實驗結果表明未印跡的單晶TiO2電極對布洛芬對映體光電響應沒有差異，帶有印跡的TiO2電極對目標對映體的選擇性光電識別能力大于對非目標對映體的光電識別能力。

為了進一步對比不同電極對手性對映體的光電識別能力，我們定義了光電選擇因子SPEC。光電選擇因子越大，說明選擇性越好。

圖4 TiO2(a),S-ibuprofen-TiO2(b)和R-ibuprofen-TiO2(c)電極的拉曼光譜圖Fig.4 Raman spectra of TiO2(a),S-ibuprofen-TiO2(b) and R-ibuprofen-TiO2(c)

表1 不同電極對布洛芬對映體的光電響應Table 1 Photoelectrochemistry response of ibuprofen enantiomers on different electrodes

圖5 電子在不同電極表面的傳遞阻力Fig.5 Electron transfer resistance on the surface of different electrodes (a)TiO2;(b)S-ibuprofen-TiO2;(c)S-ibuprofen-TiO2(with template)

對S-ibuprofen-TiO電極：ΔIRIblack-R分別是加入S-ibuprofen和R-ibuprofen引起的光電流增加率。Iblack-S和Iblack-R是S-ibuprofen-TiO2電極和R-ibuprofen-TiO2電極在0.1 mol·L－1Na2SO4溶液中的光電流響應值。若S-ibuprofen是目標分子，那么R-ibuprofen則為干擾對映體，反之若R-ibuprofen是目標分子，那么S-ibuprofen則為干擾對映體。所以，如果SPEC值等于1，則表示相對于干擾物，電極對模板分子沒有選擇性，如果SPEC值大于1，則表示電極對模板分子有一定的選擇性，該值高出1越多，則表示該電極對模板分子的識別能力越高。由表1可知，未印跡TiO2電極的光電選擇性因子(1.09)接近于1，表明未印跡電極對手性對映體S-ibuprofen和R-ibuprofen沒有光電選擇識別能力。而S-ibuprofen-TiO2電極的光電選擇性因子(3.80)和R-ibuprofen-TiO2電極的光電選擇性因子(3.73)都遠遠大于1，證明印跡電極對目標對映體具有很高的光電選擇性識別能力，同時也從側面證實了印跡位點成功構筑到TiO2納米棒表面。

印跡電極對目標對映體具有光電識別能力歸

ΔISIblack-S、因于模板分子與分子印跡位點的化學相互作用以及立體空間構型相互匹配。使用電化學阻抗法可以表征印跡位點與模板分子結合以及脫除模板分子后電極表面的變化情況。以10 mmol·L－1的K3Fe(CN)6/K4Fe(CN)6為電解液，測試電子在不同電極表面的傳遞阻力。如圖5所示，電子在未印跡的TiO2電極表面的傳遞阻力最小，帶有模板分子的S-ibuprofen-TiO2(with template)電極的阻抗大于未印跡的TiO2電極，當高溫去除模板分子后，S-ibuprofen-TiO2電極的阻抗減小，與未印跡的TiO2電極的阻抗幾乎相同。實驗結果表明，TiO2表面的分子印跡位點吸附模板分子后，對電子的傳遞阻力會增加。該結果也進一步證實了使用原位分子印跡法在TiO2納米棒表面構筑分子印跡位點的可行性。

3.3 布洛芬對映體的選擇性光電催化氧化

通過對比印跡電極對布洛芬對映體的選擇性光電識別能力，我們得知印跡電極對與其表面印跡位點空間構型相同的目標布洛芬對映體的選擇性光電識別能力大于非目標對映體。因此我們可以使用單晶S-ibuprofen-TiO2電極和R-ibuprofen-TiO2電極分別對布洛芬對映體S-布洛芬和R-布洛芬進行光電化學氧化降解，以期望布洛芬對映體在印跡電極表面上的降解具有選擇性。

如圖6所示，用S-ibuprofen-TiO2電極(A,B)、R-ibuprofen-TiO2電極(C,D)和TiO2電極(E,F)分別降解初始濃度為50 mg·L－1的S-ibuprofen和R-ibuprofen的光電降解去除率和降解反應動力學。如圖6A所示，S-布洛芬和R-布洛芬在S-ibuprofen-TiO2電極上降解6 h后剩余的濃度分別為6.04和14.60 mg·L－1，降解去除率分別為87.9%和70.8%；如圖C所示，S-布洛芬和R-布洛芬在R-ibuprofen-TiO2電極上降解6 h后剩余的濃度分別為15.38和6.34 mg·L－1，降解去除率分別為69.2%和87.3%；而S-布洛芬和R-布洛芬在TiO2電極上降解6 h后剩余的濃度分別為17.10和15.97 mg·L－1，降解去除率分別為65.8%和68.1%，如圖6E所示。經計算，S-ibuprofen-TiO2電極對S-布洛芬的氧化速率常數(0.151 h－1)是對R-布洛芬氧化速率常數(0.092 h－1)的1.64倍(圖6B)；R-ibuprofen-TiO2電極對R-布洛芬的氧化速率常數(0.145 h－1)是對S-布洛芬氧化速率常數(0.088 h－1)的1.65倍(圖6D)；TiO2電極對R-布洛芬的氧化速率常數(0.086 h－1)是對S-布洛芬氧化速率常數(0.083 h－1)的1.04倍(圖6F)，其氧化過程均符合準一級動力學。實驗結果表明，印跡電極對目標對映體的光電氧化降解速率常數大于對非目標對映體的光電氧化降解速率常數，而非印跡電極對目標對映體和非目標對映體的光電氧化降解速率常數幾乎相等。

圖7 不同電極對S-ibuprofen和R-ibuprofen的吸附量Fig.7 Absorption of S-ibuprofen and R-ibuprofen by different electrodes

3.4 電極對DCPP對映體的選擇性吸附

我們進一步研究了印跡電極具有選擇性的機制，通過計時庫侖法研究了不同電極對S-ibuprofen和R-ibuprofen的吸附量的差異。

計時庫侖法所測量得到的總電量(Qtotal)理論上包括以下幾部分：

(1)雙電層電量(Qdl)，(2)吸附的活性物質的電解電量(Qads)，(3)擴散至電極表面的溶液介質電解產生的電量(Qdiff)，因此有：

Qtotal=Qdl+Qads+Qdiff

在理想情況下，給電極一個瞬時階躍電壓，電極表面所吸附的活性物質即被電解產生電流。這一反應產生的電量記為Qads，根據法拉第規則，有

Qads=nFAΓ0

其中Γ0為活性物質在電極表面的吸附量，單位為mol·cm－2。

根據Anson方程：

Qdiff=2nFAC0D012t12π－12

上式中n為電極反應的電子轉移數；F為法拉第常數，其值為96485 C·mol－1；A為電極的工作面積，單位為cm2；D0為活性物質在溶液中的擴散系數，單位為cm2·s－1；t為電解時間，單位為s；C0為活性物質在溶液中的濃度，單位為mol·cm－3。

根據Anson方程，若施加瞬時階躍電勢后產生的電量(Qf)為Qdl和Qdiff之和，以t1/2為橫坐標作圖，可得到一條斜線，其斜率為(2nFAC0D0－12)，截距為Qdl。此情況為建立在施加瞬時電勢后，溶液介質擴散至電極表面需要時間，可將雙電層電量記為零。因此測量得到的總電量可表示為：

12π

顯然，當溶液中存在待吸附的活性物質時，Anson曲線中的截距為Qads和Qdl的總和。當溶液中不存在待吸附的活性物質時，即為“空白溶液”，Anson曲線中的截距為Qdl，兩個截距相減可求出Qads，進而算出吸附量Γ0。

通過對比圖7中不同電極對S-ibuprofen和R-ibuprofen的吸附量可知，印跡電極S-ibuprofen-TiO2和R-ibuprofen-TiO2對S-ibuprofen和R-ibuprofen的吸附量都大于未印跡的TiO2電極，且S-ibuprofen-TiO2電極對S-ibuprofen的吸附量是對R-ibuprofen吸附量的2.33倍，R-ibuprofen-TiO2電極對R-ibuprofen的吸附量是對S-ibuprofen的2.17倍。該結果表明印跡位點對空間構型與其相同的目標對映體的吸附量大于對空間構型與其不同的非目標對映體的吸附量。結果進一步表明印跡電極的選擇性主要源于其印跡位點的擇形吸附能力，與非目標對映體相比，印跡位點優先吸附空間構型與自身相匹配的目標對映體，然后對吸附的分子進行光電催化氧化，產生光電響應。

4 結論

分別以S-ibuprofen和R-ibuprofen為模板分子，采用水熱法制備了未印跡電極和帶有S-ibuprofen和R-ibuprofen分子印跡位點的兩種印跡電極，首次實現了手性醫藥布洛芬對映體在印跡電極上的選擇性光電化學識別和選擇性光電化學氧化降解。

通過對比印跡和未印跡的光電陽極的選擇性可知，未印跡的TiO2電極對S-ibuprofen和R-ibuprofen沒有識別能力，而印跡的S-ibuprofen-TiO2電極和R-ibuprofen-TiO2電極分別對S-ibuprofen和R-ibuprofen均具有很高的識別選擇性。S-ibuprofen-TiO2電極的光電選擇因子SPEC=3.80；R-ibuprofen-TiO2電極的光電選擇因子SPEC=3.73。印跡的S-ibuprofen-TiO2電極對S-ibuprofen的光電降解速率常數是對R-ibuprofen的1.64倍；印跡的R-ibuprofen-TiO2電極對R-ibuprofen的光電降解速率常數是對S-ibuprofen的1.65倍。而未印跡的TiO2電極對R-ibuprofen的光電降解速率常數與對S-ibuprofen的光電降解速率常數幾乎相等。說明印跡電極對目標分子具有選擇性識別能力，而非印跡電極沒有選擇性識別能力。進一步研究發現印跡電極對S-ibuprofen和R-ibuprofen的光電選擇機制是來源于印跡位點的擇形吸附能力。印跡位點優先吸附空間構型與自身位點相匹配的模板分子，進而被光生空穴氧化降解。然后再進行擇形吸附和氧化，整個過程動態進行，從而實現布洛芬對映體的選擇性光電化學氧化降解。

(1)Deamer,D.W.;Dick,R.;Thiemann,W.;Shinitzky,M.Chirality 2007,19(10),751.doi:10.1002/chir

(2)Cronin,J.R.;Pizzarello,S.Science 1997,275(5302),951. doi:10.1126/science.275.5302.951

(3)Fang,Z.;Guo,Z.;Qin,Q.;Fan,J.;Yin,Y.;Zhang,W.J. Chromatogr.Sci.2013,51(2),133.doi:10.1093/chromsci/ bms117

(4)Li,W.;Li,Y.;Fu,Y.;Zhang,J.Korean J.Chem.Eng.2013,30 (7),1448.doi:10.1007/s11814-013-0048-1

(5)Wang,Y.;Han,Q.;Zhang,Q.;Huang,Y.;Guo,L.;Fu,Y.Anal. Methods 2013,5(20),5579.doi:10.1039/C3AY40882E

(6)Sara?,S.;Chankvetadze,B.;Blaschke,G.J.Chromatogr.A 2000,875(875),379.doi:10.1016/S0021-9673(99)01177-2

(7)Allenmark,S.;Schurig,V.J.Mater.Chem.1997,7(10),1955. doi:10.1039/A702403G

(8)Caballo,C.;Sicilia,M.D.;Rubio,S.Anal.Chim.Acta 2013, 761(761),102.doi:10.1016/j.aca.2012.11.044

(9)Ruan,Y.F.;Zhang,N.;Zhu,Y.C.;Zhao,W.W.;Xu,J.J.;Chen, H.Y.Acta Phys.-Chim.Sin.2017,33(3),476.[阮弋帆,張楠,朱圓城,趙偉偉,徐靜娟,陳洪淵.物理化學學報,2017,33 (3),476.]doi:10.3866/PKU.WHXB201611141.

(10)Chen,K.;Liu,M.;Zhao,G.;Shi,H.;Fan,L.;Zhao,S.Environ. Sci.Technol.2012,46(21),11955.doi:10.1021/es302327w

(11)Zhou,H.;Tang,Y.;Zhai,J.;Wang,S.;Tang,Z.;Jiang,L. Sensors 2009,9(2),1094.doi:10.3390/s90201094

(12)Lu,Y.Acta Phys.-Chim.Sin.2016,32(9),2185.[陸陽.物理化學學報,2016,32(9),2185.]doi:10.3866/PKU. WHXB201605255

(13)Bai,X.;Zhang,X.;Hua,Z.;Ma,W.;Dai,Z.;Huang,X.;Gu,H. J.Alloy.Compd.2014,599(3),10.doi:10.1016/j. jallcom.2014.02.049

(14)Patel,N.;Jaiswal,R.;Warang,T.;Scarduelli,G.;Dashora,A.; Ahuja,B.L.;Kothari,D.C.;Miotello,A.Appl.Catal.BEnviron.2014,150－151(1641),74.doi:10.1016/j. apcatb.2013.11.033

(15)Kaur,J.;Singhal,S.Ceram.Int.2014,40(5),7417. doi:10.1016/j.ceramint.2013.12.088

(16)Yu,H.C.;Huang,X.Y.;Li,H.;Lei,F.H.;Tan,X.C.;Wei,Y. C.;Wu,H.Y.Acta Phys.-Chim.Sin.2014,30(11),2085.[余會成,黃學藝,李浩,雷福厚,譚學才,韋貽春,吳海鷹.物理化學學報,2014,30(11),2085.]doi:10.3866/PKU. WHXB201409051

(17)Xu,S.W.;Lin,D.Q.;Yao,S.J.Acta Phys.-Chim.Sin.2016,32 (11),2811.[徐詩文,林東強,姚善涇.物理化學學報,2016,32 (11),2811.]doi:10.3866/PKU.WHXB201609131

(18)Flippin,J.L.;Huggett,D.;Foran,C.M.Aquat.Toxicol.2007, 81(1),73.doi:10.1016/j.aquatox.2006.11.002

(19)Pomati,F.;Netting,A.G.;Calamari,D.;Neilan,B.A.Aquat. Toxicol.2004,67(4),387.

(20)Wei,Y.H.;Liu,J.;Qu,D.Acta Microbiol.Sin.2011,51(5), 586.doi:10.1016/j.aquatox.2004.02.001

(21)Yang,J.Y.;Ma,H.L.;Lu,B.;Ma,G.H.Acta Optica Sinica 2007,27(10),1909.[楊俊毅,馬洪良,魯波,馬國宏.光學學報,2007,27(10),1909.]doi:10.3321/j.issn:0253-2239.2007.10.035

Selective Photoelectrochemical Oxidation of Chiral Ibuprofen Enantiomers

DAIWei-Guo1HE Dan-Nong1,2,*
(1National Engineering Research Center for Nanotechnology,Shanghai 200241,P.R.China;2School of Material Science and Engineering,Shanghai Jiao Tong University,Shanghai 200240,P.R.China)

The photoelectrochemicalmethod was combined with the in-situ molecular imprinting technique. Using the chiralibuprofen enantiomers(S-ibuprofen and R-ibuprofen)as template molecules,S-ibuprofen and R-ibuprofen molecular imprinting sites were constructed on the surface of monocrystalline TiO2nanorods.The imprinted electrodes were capable of selective recognition and catalytic oxidation of S-ibuprofen and R-ibuprofen.The morphology,structure,and composition ofthe electrode were characterized using scanning electron microscopy(SEM),transmission electron microscopy(TEM),X-ray diffraction(XRD),and Raman spectroscopy.The electron transfer resistance of the electrode surface was studied with electrochemical impedance spectroscopy.The photoelectrochemical recognition and degradation were measured photoelectrochemically using the prepared imprinted electrodes as the working electrode.The TiO2prepared was a single crystalnanorod array.The imprinted sites were successfully constructed on the surface of TiO2nanorods and had shape selective adsorption capacities.The selective recognition and selective oxidative degradation ofchiralibuprofen enantiomers on the surface ofartificialphotoelectrocatalysts were realized for the firsttime.

Ibuprofen;Monocrystalline TiO2;Photoelectrochemicalrecognition;Shape selective adsorption;Selective oxidative degradation

O649

10.3866/PKU.WHXB201702086

Received:December 12,2016;Revised:February 7,2017;Published online:February 8,2017.

*Corresponding author.Email:hdn_nercn@163.com;Tel:+86-21-34291286-8028.

The projectwas supported by the International Science and Technology Cooperation Program of China(2015CB931902).國家國際科技合作專項(2015CB931902)資助項目?Editorialoffice ofActa Physico-Chimica Sinica