“Transistor Density Increase by 1000X”鰭式晶體管密度增加技術

成果發布人、美國加州大學伯克利分校教授胡正明：“現在晶體管的三極已經可以縮小到1納米的寬度，未來半導體晶體管的密度還將再增加1000倍。這也就意味著互聯網將來的速度和普及度也還有千百倍成長的空間。”

半導體技術是互聯網的一個重要支柱和驅動力。但在2010年以后，半導體的微型化遇到了一個很大的危機。在晶體管不能再繼續微型化的情況下，摩爾定律就要停止。在這種情勢下，加州大學伯克利團隊創新發明了“鰭式晶體管”——一種垂直的薄膜，它可以讓摩爾定律繼續下去，讓半導體的微型化大幅度再成長。

在過去的12個月，伯克利研究團隊創新了如何把半導體做得很薄的三項技術：一是可以讓天然的極薄的薄膜——二維半導體，長在垂直的鰭式晶體管的結構上；二是讓二維半導體長在大面積的晶圓上，讓它覆蓋垂直薄膜的晶體管，同時可以在一片芯片上做兩層、三層甚至更多層的電路；三是用二維半導體的薄膜做了一個晶體管，證實了它可以把晶體管的三極縮小到1納米的寬度。