Crossbar發(fā)布嵌入式ReRAM芯片

ReRAM初創(chuàng)企業(yè)Crossbar公司已經(jīng)發(fā)布了一款來自SMIC的嵌入式ReRAM芯片樣品，且其目前正在接受評(píng)估。

這款芯片設(shè)計(jì)方案采用非導(dǎo)電非晶硅（簡(jiǎn)稱a-SI）技術(shù)。頂部與底部電極之間存在開關(guān)層，且該層相對(duì)于通過電流的電阻基于離子（銀）金屬運(yùn)動(dòng)。當(dāng)在兩個(gè)電極之間施加足夠的電壓時(shí)即可導(dǎo)致電極間形成離子態(tài)納米長(zhǎng)絲，而電阻也將因此而改變。

Crossbar公司表示，單一單元可由一個(gè)晶體管進(jìn)行控制，即一晶體管每ReRAM單元——簡(jiǎn)稱為1T1R。各晶體管存在尺寸限制。

另外，為了實(shí)現(xiàn)成本效益，在各單元皆擁有單元內(nèi)選擇器機(jī)制可用于選擇或者不選擇個(gè)別單元的情況下，則單一晶體管最多可控制2000個(gè)ReRAM單元——即1TnR模式。

1T1R模式能夠提供最低延遲水平，而1TnR模式則擁有最理想的單位區(qū)域存儲(chǔ)密度。

我們可以想象，1T1R模式應(yīng)該會(huì)被用于嵌入式內(nèi)存應(yīng)用、演進(jìn)式緩存； 而1TnR模式則被用于M.2甚至是NVDIMM等形式的SSD等存儲(chǔ)驅(qū)動(dòng)器。

ReRAM還采用字節(jié)可尋址機(jī)制以取代塊可尋址。其設(shè)計(jì)方案適用于那些“通過移除大部分用于垃圾回收的背景內(nèi)存訪問以顯著簡(jiǎn)化存儲(chǔ)控制器復(fù)雜度”的小型頁(yè)面。

Crossbar公司將其技術(shù)授權(quán)至代工廠商，同時(shí)亦在與多位潛在合作伙伴探討推出不同ReRAM內(nèi)存式芯片的具體方案。

目前，XPoint、ReRAM與NRAM之間的競(jìng)爭(zhēng)正愈演愈烈，而各供應(yīng)商及技術(shù)初創(chuàng)企業(yè)亦紛紛拿出自己的方案以解決DRAM與閃存之間的性能鴻溝。預(yù)計(jì)接下來Crossbar公司還將公布更多值得關(guān)注的新消息。（馮霄霞）