三氟化氮高純電子氣體專利分析

摘 要：高純三氟化氮具有優異的蝕刻速率和選擇性，蝕刻時在蝕刻物表面不留任何殘留物，是非常良好的清洗劑，同時在芯片制造、高能激光器方面大量運用。文章通過對高純三氟化氮進行分析，希望給相關工作人員帶來一定的借鑒。

關鍵詞：高純三氟化氮；電子氣體；專利

作者搜集了有關三氟化氮純化在世界范圍內的專利申請，并對這些專利申請數據進行整合分析。以下將從申請趨勢，技術集中度等方面對這些數據進行分析，并給出了三氟化氮純化的技術發展路線。通過這些分析清晰地呈現了該行業發展歷程，也使本行業的技術改進方向逐漸顯現出來。

1 申請趨勢分析

本節聚焦于三氟化氮純化的全球專利申請的年度分布狀況。

由圖1可以看出，三氟化氮純化技術在上世紀70年代末起源，發展到80年代末到達巔峰。由于在三氟化氮純化領域的研究技術較集中，因此，主要申請人進入或退出市場對申請趨勢影響顯著。80年代末的申請高峰是由于主要申請人日本三井東壓化學株式會社集中研究并提出一系列申請所致。上世紀90年代，隨著三井東壓化學株式會社申請量的減少，三氟化氮的純化技術進入調整期，申請量較低，直到本世紀初至今，各國申請人相繼進入市場，申請量逐步攀升，三氟化氮的純化技術進一步發展。

2 技術集中度分析

2.1 地區集中度分析

由表1可以看出，日、韓、美在三氟化氮純化技術領域專利產出量較大，三國專利產出份額占到了全球專利產出的三分之二，中國緊隨其后，占到了全球專利產出的13%，其它各國有少量分布。……