創新圖強為企業發展助力

唐濤

隨著市場經濟體制的日益完善，企業間的競爭日趨激烈，這種競爭表面上體現在企業的產品和服務上，但實質上卻是企業技術進步水平的競爭，企業技術創新能力的競爭。企業技術水平的競爭主要體現在企業研發能力的強弱上，這時候企業研發中心的地位日益重要，這在高新技術企業中表現尤為突出。西安衛光科技有限公司作為國內大功率半導體器件的專業化定點生產企業，自公司成立起就注重技術創新，其技術水平始終處于國內領先地位。為了持續領跑行業，大力發展新型功率器件，2016年初，衛光科技專門成立了器件研究中心，主要進行功率場效應晶體管、絕緣柵雙極晶體管（IGBT）和新型半導體功率器件的設計和工藝研究。器件研究中心自成立以來，堅持創新不放松，在新品研制、新技術開發等方面取得了驕人的成績，有力推動了衛光科技的可持續發展。

衛光科技器件研究中心在創建初期，針對全體人員知識結構現狀做出了優化學習的決定，全體人員去西安電子科技大學進行VDMOS（垂直雙擴散金屬-氧化物半導體場效應晶體管）設計方面的培訓。通過此次培訓，系統地了解了VDMOS的設計知識，進而能夠獨立完成器件設計。在企業內部，創建了互相學習法，每周每人自學一部分內容并進行講解，大家提問、討論，以達到共同進步的目的。此方法使全體研發人員獲益匪淺，同時也提高了學習效率，普及了VDMOS、IGBT、二極管等各方面的知識。經過不斷學習，解決了研究中心知識結構紊亂的情況，實現了研究人員知識結構梯度發展，有效地適應了公司對于科研人員的技術要求，為企業技術進步奠定了理論知識基礎。

研究中心在解決了知識結構不合理的狀況后，以公司院士工作站為技術支撐，進行了寬禁帶半導體器件的理論研究、碳化硅肖特基二極管和碳化硅功率場效應晶體管的設計和研發，實現了寬禁帶半導體功率器件的設計和工藝技術的成功攻關。同時先后建立了完善的計算機仿真設計技術平臺，以計算機工藝仿真和器件仿真為主要手段，結合工藝改進，優化設計模型，提升整體設計手段；建成了功率場效應晶體管的結構設計、電性能設計、熱設計和可靠性設計平臺；建立了齊全、完備、能有效指導產品研發的文件資料體系。這一系列計算機技術平臺的建立，為公司VDMOS產品的后期研發、試驗提供了精確的技術指標和實驗數據庫，大大減少了公司后期產品量化的費用支出，提升了公司在半導體器件領域的核心競爭力。中心先后研制出的200V/9A、60V/50A和200V/18A 的VDMOS產品都通過了可靠性試驗考核，產品質量等級達到超特軍級，具有很高的市場競爭力，目前已經開始批量生產。

基于衛光科技器件研究中心的不斷創新發展，陸續掌握了多項先進工藝技術，并在工藝技術創新發展過程中獲得了一項發明專利和三項實用新型專利授權，更是兩次榮獲陜西省科學技術三等獎。

辛勤的耕耘，獲得豐碩的成果，器件研究中心面對日新月異的半導體功率器件技術發展，緊跟技術潮流，開拓創新，爭做企業進步的推動者。后期，研究中心將進一步拓展自主可控VDMOS產品門類，打造衛光品牌，創造新的輝煌。