先進(jìn)射頻封裝技術(shù)發(fā)展面臨的挑戰(zhàn)

夏雨楠，陳宇寧，許麗清，戴　洲，李華新，程　凱

（南京電子器件研究所，南京210016）

先進(jìn)射頻封裝技術(shù)發(fā)展面臨的挑戰(zhàn)

夏雨楠，陳宇寧，許麗清，戴洲，李華新，程凱

（南京電子器件研究所，南京210016）

隨著射頻技術(shù)的廣泛應(yīng)用和發(fā)展，射頻封裝已經(jīng)呈現(xiàn)出更高密度功能集成、更高功率、更高頻率和更低成本的發(fā)展要求。在這些要求下，3D封裝、大功率射頻器件集成、多種信號(hào)混合集成、硅中道工藝順應(yīng)而出。相對(duì)于傳統(tǒng)射頻封裝，基于硅中道工藝的先進(jìn)射頻封裝面臨結(jié)構(gòu)、熱管理、信號(hào)完整性和工藝等多方面的挑戰(zhàn)。

射頻；中介層；3D封裝；氮化鎵

1　引言

在國(guó)際半導(dǎo)體技術(shù)路線圖組織（ITRS）發(fā)布的延續(xù)摩爾（More Moore）和超越摩爾（More Than Moore）發(fā)展路線圖中，射頻屬于超越摩爾方向的首位技術(shù)，已經(jīng)是當(dāng)今通信、雷達(dá)探測(cè)、電子戰(zhàn)乃至定向能的主要信號(hào)頻域。

民用方面，移動(dòng)通信成為射頻器件最大的應(yīng)用市場(chǎng)，硅、鍺硅、砷化鎵、氮化鎵等多種射頻器件各得其所，目前的工作頻率基本在C波段以下。市場(chǎng)增長(zhǎng)刺激并加速了硅射頻技術(shù)的成熟，硅和鍺硅器件已經(jīng)具備與砷化鎵器件競(jìng)爭(zhēng)的綜合能力。在一些大規(guī)模應(yīng)用上，如手機(jī)的射頻前端，硅和鍺硅的市場(chǎng)份額已經(jīng)超過(guò)砷化鎵；在移動(dòng)基站應(yīng)用市場(chǎng)，氮化鎵射頻功率器件已經(jīng)具備與硅LD-MOS等綜合競(jìng)爭(zhēng)的能力，突出的表現(xiàn)為每瓦功率價(jià)格的趨同。

軍用方面，由于應(yīng)用需求相對(duì)于民用的特殊性，如更高的頻率、更高的功率、更大的帶寬等，砷化鎵、氮化鎵、磷化銦等器件優(yōu)勢(shì)依然突出，有些已經(jīng)具備擴(kuò)展到太赫茲的能力。……