中國電子攜手北京大學合力打造我國第三代半導體創新高地

中國電子攜手北京大學合力打造我國第三代半導體創新高地

2016年9月19日，彩虹藍光-北京大學協同創新中心簽約儀式在合肥舉行。作為中國電子落實科技強國戰略、勇攀科技高峰的重要部署，協同創新中心的建立將為打造我國第三代半導體的創新高地，實現LED研究領域領先技術產業化搭建良好的研發創新平臺。

彩虹藍光-北京大學協同創新中心分兩期建設，其中先期主要開展實驗室的組建、人才引進及培養、半導體高端光電技術研究與開發、產業轉移中試、技術咨詢/服務等，將以深紫外光LED研發和產業化、電視背光用LED研發和產業化、6英寸Si襯底上GaN基電力電子材料和器件技術研發等重點項目為抓手，打造我國第三代半導體研發及產業化的重要創新平臺。

我國著名物理學家、原政協常委、中科院院士、北京大學教授甘子釗表示，當前，LED產業既要結合國情，還要順應潮流。發展半導體照明在加快國家新城鎮建設和新農村建設的基礎上，還要圍繞當前國際發展關于新的“超越照明”的需求進行積極的研究和探索，力爭在紫外光、氮化鎵等領域實現新的突破，為我國第三代半導體產業發展作出更大的貢獻。