英特爾和美光科技推出突破性存儲技術(shù)

加利福尼亞州圣克拉拉和愛達荷州博伊西英特爾公司和美光科技有限公司今天推出了一種名為3D XPoint的非易失性存儲器技術(shù)，該技術(shù)有潛力對那些得益于快速訪問大量數(shù)據(jù)的任何設(shè)備、應(yīng)用或服務(wù)實現(xiàn)革新。現(xiàn)已投入生產(chǎn)的3D XPoint技術(shù)是存儲器制程技術(shù)的一項重大突破，也是自1989 年NAND閃存推出至今的首款基于全新技術(shù)的非易失性存儲器。

互聯(lián)設(shè)備和數(shù)字服務(wù)的爆炸式增長產(chǎn)生了大量的新數(shù)據(jù)。為了讓這些數(shù)據(jù)變得更有價值，必須對這些數(shù)據(jù)進行非常快速地存儲和分析，而這也為設(shè)計內(nèi)存和存儲解決方案時必須權(quán)衡成本、功耗和性能的服務(wù)提供商和系統(tǒng)制造商帶來了挑戰(zhàn)。3D XPoint技術(shù)集當(dāng)今市場中所有存儲器技術(shù)在性能、密度、功耗、非易失性和成本方面的優(yōu)勢于一體。與NAND相比，這項技術(shù)在速度及耐用性方面均實現(xiàn)了最高可達1000倍的提升。此外，相比傳統(tǒng)存儲器，該存儲器技術(shù)的存儲密度也提升高達10倍。

“數(shù)十年來，業(yè)界一直在尋找各種方法來降低處理器和數(shù)據(jù)之間的延遲，以加快分析速度，”英特爾公司資深副總裁兼非易失性存儲器（NVM）解決方案事業(yè)部總經(jīng)理Rob Crooke表示：“這種新型的非易失性存儲器將實現(xiàn)這一目標(biāo)，并為內(nèi)存和存儲解決方案帶來顛覆性的性能。”

“處理器訪問長期存儲的數(shù)據(jù)所需的時間成為現(xiàn)代計算中最顯著的障礙之一，”美光科技有限公司總裁 Mark Adams 表示：“作為一種革命性技術(shù)，這種新型的非易失性存儲器能夠支持海量數(shù)據(jù)集的快速訪問并實現(xiàn)全新的應(yīng)用。”

數(shù)字世界的成長速度十分驚人。預(yù)計到2020年，數(shù)字化的數(shù)據(jù)將由2013 年的4.4 ZB增長至44 ZB 。3D XPoint技術(shù)可在幾納秒內(nèi)將這些海量數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)變?yōu)橛袃r值的信息。例如，零售商可以使用3D XPoint技術(shù)更快地識別出金融交易中的欺詐檢測模式；醫(yī)療研究人員能夠?qū)崟r處理和分析更大的數(shù)據(jù)集，從而加快基因分析和疾病跟蹤等復(fù)雜任務(wù)。

3D XPoint技術(shù)的性能優(yōu)勢還可以改善個人計算的體驗，讓消費者享受到更快速的社交媒體互動和協(xié)作，并獲得更逼真的游戲體驗。由于這一技術(shù)具備非易失性，可使應(yīng)用這一技術(shù)的設(shè)備在斷電時數(shù)據(jù)不會丟失。因此，該技術(shù)也成為各種低延遲存儲應(yīng)用的理想之選。

3D XPoint技術(shù)誕生于十多年間的研究與開發(fā)。該技術(shù)能夠以較低成本滿足用戶在非易失性、高性能、高耐用性和高容量方面對存儲與內(nèi)存的需求。它開創(chuàng)了一種可顯著降低延遲的新型非易失性存儲器，使得在靠近處理器的位置存儲更多數(shù)據(jù)成為可能，并以此前的非易失性存儲無法達到的速度來訪問更多數(shù)據(jù)。

基于更少晶體管數(shù)量構(gòu)建的創(chuàng)新型交叉點架構(gòu)建立了一個存儲單元位于字線和位線交叉點的“三維棋盤”，以支持對單個存儲單元的獨立訪問。基于這個架構(gòu)的存儲器，數(shù)據(jù)可以作為更小的片段進行寫入和讀取，從而實現(xiàn)更快速、更高效的讀取/寫入操作。