半導體橋芯片靜電加固的研究

李　靜，張文超，秦志春，葉家海，田桂蓉，徐振相

（南京理工大學化工學院，江蘇 南京，210094）

半導體橋芯片靜電加固的研究

李靜，張文超，秦志春，葉家海，田桂蓉，徐振相

（南京理工大學化工學院，江蘇 南京，210094）

針對橋區形狀為尖角形的半導體橋在尖角處電流密度過于集中、易發生靜電損傷的問題，提出將半導體橋的尖角部分設計為圓弧的形狀，達到提高半導體橋抗靜電能力的目的。靜電實驗發現圓弧型半導體橋在10 000pF電容、25kV電壓并且串聯5 000?電阻的靜電沖擊條件下完好無損。33μF電容、19V電壓放電模式下，靜電沖擊前后圓弧型半導體橋的發火時間基本沒變，而尖角型半導體橋的發火時間發生了較長的延遲，證明圓弧型半導體橋在保證發火的前提下抗靜電能力得到增強。

半導體橋；靜電加固；點火

在火工裝置的生產、運輸和裝配使用等過程中，由于摩擦、撞擊、接觸分離等極易產生靜電積累，靜電作用在火工裝置上產生熱量，造成其意外發火或失效，對火工裝置本身及彈藥的安全性和可靠性均構成嚴重威脅［1］。

半導體橋芯片（以下簡稱半導體橋）是半導體橋火工品的關鍵元件，是指由半導體膜或者金屬-半導體復合膜作為換能元件的小型點火器件，其結構和性能直接決定了半導體橋火工品的性能［2-5］。

郭曉蓉［6］等人通過對尖角型半導體橋進行靜電沖擊實驗和點火實驗，得到了在模擬人體靜電放電條件（500pF電容、25kV電壓并且串聯5 000?電阻）下，尖角型半導體橋的發火概率為0，而且橋膜表面不出現任何損傷。……