應用材料公司推出革命性的針對FinFET晶體管和3D NAND器件的電子束量測設備

應用材料公司推出革命性的針對FinFET晶體管和3D NAND器件的電子束量測設備

全球領先的半導體、平板顯示和太陽能光伏行業精密材料工程解決方案供應商應用材料公司，在加利福尼亞州圣何塞舉行的國際光學工程學會(SPIE)先進光刻技術大會上，推出了業界首款在線3D掃描電子線寬量測系統，成功解決了針對高縱橫比和3D NAND及FinFET等復雜功能器件量測方面的挑戰。這款名為VeritySEM5i的量測系統借助尖端高清晰度成像技術和背散射電子（BSE）技術，能實現卓越的在線線寬控制。通過使用VeritySEM5i系統，芯片制造商能顯著加快工藝開發和產能擴張速度，同時提高器件性能，實現大批量生產。

應用材料公司副總裁兼工藝診斷及控制事業部總經理Itai Rosenfeld表示：“復雜的三維結構需要全新的測量方法，這也提升了對量測技術的需求。單純依靠傳統的CD SEM技術已無法滿足3D器件的測量需求。應用材料公司憑借在先進電子束和圖像處理技術上的豐富經驗，推出這款具有革命性意義的系統，不僅帶來了成像方式的創新，更能實現快速、準確的在線線寬量測，使客戶能夠在產品研發、升級及批量生產的過程中看到、測量并控制其3D器件。多家客戶業已通過使用VeritySEM5i提升了3D器件的良率。隨著半導體行業進入10 nm以下技術節點，并逐漸向三維結構轉移，芯片制造商對精密材料工程技術提出了更高的要求。因此，Verity-SEM5i將像應用材料公司以往的產品一樣，再次成為行業內的新標桿。”

為改進器件性能，降低偏移率，提高日益復雜的高性能、高密度3D設備的良率，需要在度量精度方面進行不斷的創新。配備先進高分辨率掃描電子槍、傾斜電子束和背散射電子(BSE)影像技術的VeritySEM5i系統具有獨特的三維量測能力，可對極具挑戰性的FinFET、3D NAND結構進行高效量測和控制。尤其，通過利用BSE成像技術量測溝槽底部連通孔，芯片制造商可確保下層和上層金屬層之間的有效連接。而在控制FinFET的側壁、柵極和鰭高度方面，這些部位中極小的偏移也會影響器件性能和良率，VeritySEM5i系統的傾斜電子束可實現精準、可重復的在線量測。高分辨率BSE成像借助其高達60:1及以上的縱橫比量測能力，實現持續的垂直縮放，因而適用于測量3D NAND器件的不對稱側壁和底部CD。

應用材料公司（納斯達克：AMAT）是一家全球領先的半導體、平板顯示和太陽能光伏行業精密材料工程解決方案供應商。我們的技術使智能手機、平板電視和太陽能面板等創新產品以更普及、更具價格優勢的方式惠及全球商界和普通消費者。

欲了解更多信息，請訪問：www.appliedmaterials.com。

*SPIE=國際光學工程學會；CD SEM=線寬量測掃描電子顯微鏡