Lam Research的先進(jìn)深硅刻蝕技術(shù)

Jay Minami and Alisa Hart

(泛林研究公司，弗里蒙特，加州94538 U.S.A.)

Lam Research的先進(jìn)深硅刻蝕技術(shù)

Jay Minami and Alisa Hart

(泛林研究公司，弗里蒙特，加州94538 U.S.A.)

在一個(gè)人們期望即時(shí)信息的社會(huì)，等上幾秒鐘，時(shí)間似乎變得很長(zhǎng)。隨著萬億傳感器的視野和物聯(lián)網(wǎng)（IOT）互聯(lián)網(wǎng)的不斷發(fā)展，對(duì)于“智能傳感器”出現(xiàn)了明顯的需求：即對(duì)大量數(shù)據(jù)進(jìn)行分類，區(qū)分有用信息和噪音，節(jié)省珍貴的幾秒鐘。

隨著智能傳感器的發(fā)展，微機(jī)電系統(tǒng)（MEMS）、電源裝置以及先進(jìn)封裝蝕刻應(yīng)用需要更精確的控制和更高的生產(chǎn)率。在過去，腔蝕刻未需要太多的精度控制，現(xiàn)在對(duì)蝕刻粗糙度和輪廓卻很敏感。因?yàn)镸EMS傳感器需要更高的靈敏度，促使刻蝕工藝需求更小的蝕刻傾斜角度，更好的對(duì)稱性和更好的蝕刻均勻性。功率器件應(yīng)用要求更嚴(yán)格的特征尺寸和深度的均勻性。此外，所有這些應(yīng)用都需要高水平的制造成本控制。

1 TCP9400DSiE蝕刻家庭

Lam的TCP9400DSiE產(chǎn)品是基于公司在市場(chǎng)領(lǐng)先的TCP9400硅蝕刻技術(shù)。變壓器耦合等離子體（TCP）的平面源設(shè)計(jì)提供世界級(jí)的蝕刻均勻性、輪廓對(duì)稱性和符合精密蝕刻所需要的最小角度傾斜。該設(shè)備的動(dòng)態(tài)功率和壓力控制系統(tǒng)能夠微調(diào)以滿足那些需要額外精度的關(guān)鍵蝕刻；而菜單控制，與工藝腔體一體的氣體輸送系統(tǒng)允許工藝靈活性和均勻度的精細(xì)調(diào)整。

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Lam的蝕刻產(chǎn)品素以高生產(chǎn)率聞名，TCP 9400DSiE家庭也享有這一美名。基于已經(jīng)批量生產(chǎn)驗(yàn)證Alliance的平臺(tái)上，最新的深硅刻蝕系統(tǒng)-TCP 9400DSiE III-包括耐用的工藝備件延長(zhǎng)了平均清洗時(shí)間（MTBC），從而提高了正常運(yùn)行時(shí)間和運(yùn)行效率。該產(chǎn)品的高功率射頻系統(tǒng)可以為中等關(guān)鍵的應(yīng)用實(shí)現(xiàn)高的蝕刻速率。與傳統(tǒng)的集成電路的蝕刻步驟比較、一些深硅蝕刻需要長(zhǎng)時(shí)間運(yùn)行，這使得在腔壁上的聚合物沉積問題變得更為突出，因?yàn)檫@可能會(huì)導(dǎo)致不希望的工藝漂移。Lam的無晶片自動(dòng)清潔TM（WACTM）功能為每個(gè)進(jìn)入腔室的晶片提供了一致的腔壁條件，在長(zhǎng)蝕刻時(shí)間的情況下，這是保持工藝穩(wěn)定的更為關(guān)鍵的因素。由精益工藝配合WAC提供的清潔腔壁使Lam的TCP 9400DSiE成為深硅刻蝕設(shè)備的最佳選擇。

2 總結(jié)

Lam的深硅刻蝕設(shè)備安裝量持續(xù)增長(zhǎng)，因?yàn)樵O(shè)備需要更精確的蝕刻控制和成本控制以及最高的生產(chǎn)率。TCP9400DSiE產(chǎn)品因其在晶片上最佳性能和在業(yè)界中最具競(jìng)爭(zhēng)力的解決方案而保持為客戶的最佳選擇。通過現(xiàn)場(chǎng)升級(jí)改造及Lam持續(xù)投資于該產(chǎn)品的改進(jìn)，目前型號(hào)可擴(kuò)展至新版本設(shè)備。通過協(xié)作并利用大量安裝的深硅刻蝕設(shè)備數(shù)量的基礎(chǔ)上，Lam專注于幫助客戶解決MEMS，功率器件和先進(jìn)封裝應(yīng)用的復(fù)雜挑戰(zhàn)，幫助客戶實(shí)現(xiàn)下一代器件的研發(fā)和制造。

想了解更多相關(guān)信息，請(qǐng)致電銷售人員（鄭閔，+86-18621932469電郵：min.zheng@lamrc.com）

圖1 用Lam的TCP9400DSiE深硅刻蝕系統(tǒng)刻出的晶圓表面