六項半導(dǎo)體設(shè)備被評為2014年度的中國半導(dǎo)體設(shè)備創(chuàng)新產(chǎn)品

六項半導(dǎo)體設(shè)備被評為2014年度的中國半導(dǎo)體設(shè)備創(chuàng)新產(chǎn)品

2015年1月28日中國電子專用設(shè)備工業(yè)協(xié)會、中國半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會、中國電子材料行業(yè)協(xié)會、中國電子報在北京共同舉辦了“第九屆（2014年度）中國半導(dǎo)體創(chuàng)新產(chǎn)品和技術(shù)評選”活動。申報的12項半導(dǎo)體設(shè)備經(jīng)評選委員會13位專家按照評選條件進(jìn)行了綜合評價，6項半導(dǎo)體設(shè)備被評選為2014年度中國半導(dǎo)體創(chuàng)新產(chǎn)品。

“第九屆(2014年度）中國半導(dǎo)體創(chuàng)新產(chǎn)品和技術(shù)”的評選條件是：產(chǎn)品或技術(shù)的研發(fā)主體必須為在中國注冊的企業(yè)或事業(yè)單位，產(chǎn)品的主要研發(fā)工作在中國內(nèi)地完成；產(chǎn)品或技術(shù)應(yīng)具有創(chuàng)新性和先進(jìn)性，并擁有自主知識產(chǎn)權(quán)；產(chǎn)品或技術(shù)已經(jīng)得到實際應(yīng)用，并在產(chǎn)業(yè)化方面取得一定進(jìn)展；產(chǎn)品進(jìn)入市場或技術(shù)成熟應(yīng)用的時間、國家有關(guān)部門受理或授權(quán)相關(guān)發(fā)明專利和自主知識產(chǎn)權(quán)的時間在2012～2014年度。

為保證“第九屆（2014年度）中國半導(dǎo)體創(chuàng)新產(chǎn)品和技術(shù)評選活動”公正、公平、公開，評選結(jié)果從2015年1月29日至2月17日向業(yè)界公示，征求意見，接受各方面的監(jiān)督。公示結(jié)果與最終評選結(jié)果一致，現(xiàn)正式發(fā)布“第九屆（2014年度）中國半導(dǎo)體設(shè)備創(chuàng)新產(chǎn)品項目”。此評選結(jié)果主辦方于3月26日在合肥舉辦的“2015年中國半導(dǎo)體市場年會”上舉行頒獎儀式。

第九屆（2014年度）中國半導(dǎo)體設(shè)備創(chuàng)新產(chǎn)品

1 DSE200L深硅刻蝕設(shè)備

研制單位：

北京北方微電子基地設(shè)備工藝研究中心有限責(zé)任公司

產(chǎn)品介紹：

DSE200L深硅等離子體刻蝕設(shè)備為NMC在2014年開發(fā)并銷售的一款半導(dǎo)體設(shè)備，主要面向集成電路領(lǐng)域、MEMS領(lǐng)域、封裝領(lǐng)域尤其是近年來增長迅速的電力電子器件領(lǐng)域的硅深槽、深孔刻蝕。實現(xiàn)了當(dāng)年研發(fā)、當(dāng)年銷售，成功占領(lǐng)了目標(biāo)市場，并居電力電子器件領(lǐng)域市場占有率第一位。DSE200L設(shè)備兼容性強(qiáng)、可維護(hù)性高、占地面積小，目前是NMC刻蝕領(lǐng)域的主打產(chǎn)品。

創(chuàng)新性：

DSE200L設(shè)備的創(chuàng)新點主要在以下幾個方面：

（1）設(shè)備工藝兼容性強(qiáng)。深硅刻蝕工藝主要有兩條工藝路徑，一條是Bosch工藝，一條是Non-Bosch工藝。而目前市場上深硅刻蝕設(shè)備一般只配備Bosch工藝，Non-Bosch工藝只能通過-130℃低溫來實現(xiàn)，相對使用成本極高、可維護(hù)性差，需要附加低溫模塊。而DSE200L設(shè)備獨創(chuàng)的開發(fā)了常溫Non-Bosch工藝，工作溫度在20℃，同時兼容MEMS領(lǐng)域需求的Bosch工藝，既可以實現(xiàn)高速、高選擇比刻蝕，深寬比最高可達(dá)70:1，又可以實現(xiàn)電力電子器件領(lǐng)域所需的Super Junction、IGBT和VDMOS等器件的工藝需求，側(cè)壁粗糙度在10 nm以下，滿足客戶多種需要；另外，設(shè)備還兼容封裝領(lǐng)域目前的核心工藝斜孔刻蝕，能實現(xiàn)高達(dá)25μm/min的刻蝕速率，是競爭對手的2倍。

（2）設(shè)備集成化程度高，占地面積小。相對市面上的等離子體刻蝕設(shè)備，DSE200L將獨立的GasBox模塊和電氣控制模塊集成到主機(jī)上，且設(shè)備占地面積未增加。設(shè)備最多可以支持4個工藝模塊，可以根據(jù)客戶需要滿足從研發(fā)到量產(chǎn)的多種需求；

（3）設(shè)備可維護(hù)性提升，針對半導(dǎo)體設(shè)備拆卸困難的問題，DSE200L設(shè)備針對性地進(jìn)行了改進(jìn)，達(dá)到單人可維護(hù)的水平，使客戶人力成本得以降低。

先進(jìn)性：

DSE200L是主要面向目前高增長的電力電子器件領(lǐng)域的設(shè)備，是該領(lǐng)域目前第一臺專業(yè)化刻蝕設(shè)備，同時，設(shè)備獨特的兼容了Bosch工藝、常溫Non-Bosch工藝和斜孔工藝，該工藝方案目前在國際、國內(nèi)同行業(yè)中是第一次采用。設(shè)備能實現(xiàn)Non-Bosch工藝高達(dá)25:1的深寬比刻蝕，并能實現(xiàn)角度的精確控制，在行業(yè)中是最領(lǐng)先的工藝水平。

產(chǎn)品或技術(shù)發(fā)明專利情況：

產(chǎn)品等離子體模塊、反應(yīng)腔模塊、真空系統(tǒng)、電 氣系統(tǒng)、軟件模塊及工藝技術(shù)均為自主獨立開發(fā)。

應(yīng)用范圍和用戶情況、市場前景：

電力電子器件又稱為功率半導(dǎo)體器件，主要 用于電力設(shè)備的電能變換和控制電路方面大功率的電子器件。功率器件幾乎用于所有的電子制造業(yè),包括計算機(jī)領(lǐng)域的筆記本、PC、服務(wù)器、顯示器以及各種外設(shè)；網(wǎng)絡(luò)通信領(lǐng)域的手機(jī)、電話以及其它各種終端和局端設(shè)備；消費電子領(lǐng)域的傳統(tǒng)黑白家電和各種數(shù)碼產(chǎn)品；工業(yè)控制類中的工業(yè)PC、各類儀器儀表和各類控制設(shè)備等。

目前生產(chǎn)和制造功率器件半導(dǎo)體芯片的廠商多數(shù)為IC Fab，而由于該領(lǐng)域不同于集成電路需要的高精度、小線寬，轉(zhuǎn)而需要高深寬比、平滑、角度可控的硅孔、槽刻蝕，因此主流的半導(dǎo)體刻蝕設(shè)備是150～200 mm（6～8英寸）集成電路刻蝕設(shè)備。由于設(shè)備開發(fā)的路線不同，原有的150～200 mm（6～8英寸）集成電路刻蝕設(shè)備無 法很好地完成功率器件刻蝕需求，因此NMC針 對該領(lǐng)域開發(fā)的DSE200L設(shè)備在該方向具有工 藝上的領(lǐng)先性。

國家統(tǒng)計局?jǐn)?shù)據(jù)顯示，2010年中國功率器件 行業(yè)共有規(guī)模以上企業(yè)498家，全行業(yè)實現(xiàn)銷售 收入1 015.11億元，同比增長6.86%；實現(xiàn)利潤總 額85.27億元，同比增長47.54%。目前該領(lǐng)域是IC行業(yè)中增長最快的熱點之一。因此，DSE200L設(shè)備在今年實現(xiàn)銷售，占領(lǐng)行業(yè)銷售份額第一位 后，可以預(yù)見在接下來的3～5年中，會以20%以上 的復(fù)合增長率向前發(fā)展。

2 芯片倒裝鍵合設(shè)備Octopus-1000

研制單位：

北京中電科電子裝備有限公司

產(chǎn)品介紹：

倒裝芯片技術(shù)是一種半導(dǎo)體封裝工藝，是先進(jìn)封裝發(fā)展方向。倒裝芯片鍵合設(shè)備是一種集機(jī)械、電氣控制、軟件、圖像識別、光學(xué)、材料以及熱學(xué)等多學(xué)科交叉的高科技產(chǎn)品，研發(fā)難度非常大，國內(nèi)在該領(lǐng)域關(guān)鍵技術(shù)研究基礎(chǔ)薄。從2011年底開始，由國家重大科技02專項（十二五）支持，北京中電科公司開始自主研發(fā)芯片倒裝鍵合機(jī)。2013年底通過了國內(nèi)龍頭封測企業(yè)批量生產(chǎn)驗證。2014年5月，研發(fā)的倒裝設(shè)備已與國內(nèi)先進(jìn)封裝企業(yè)簽訂了5臺套設(shè)備采購合同，合同額達(dá)1 500萬元。

創(chuàng)新性：

Octopus-1000倒裝機(jī)研發(fā)過程中攻克了多項關(guān)鍵技術(shù)，申請國際和國內(nèi)發(fā)明專利20余項，性能指標(biāo)達(dá)到國際同類設(shè)備先進(jìn)水平，具有如下創(chuàng)新點：

（1）本產(chǎn)品在世界上首次實現(xiàn)了C2W(從芯片到晶圓)倒裝鍵合工藝的批量生產(chǎn)，標(biāo)志著我國在倒裝芯片鍵合設(shè)備領(lǐng)域取得了重大突破，在此設(shè)備技術(shù)基礎(chǔ)上北京中電科將研發(fā)更多適合市場需求的倒裝機(jī)。（原始創(chuàng)新）

（2）本產(chǎn)品適應(yīng)多種主流的倒裝工藝生產(chǎn)要求，一機(jī)多用，包括Chip to Wafer、Chip to Substrate、Chip to Lead/Frame、Chip to Panel等倒裝工藝，目前國際主流倒裝設(shè)備都為單一生產(chǎn)工藝。（原始創(chuàng)新）

（3）Octopus-1000倒裝機(jī)研發(fā)過程中攻克了多項關(guān)鍵技術(shù)，為倒裝機(jī)產(chǎn)業(yè)化打下堅實基礎(chǔ)：

①多自由度精密對準(zhǔn)技術(shù)。本產(chǎn)品采用靜止對準(zhǔn)視覺系統(tǒng)設(shè)計，減少了相機(jī)振動帶來的裝片誤差，從而將主流的鍵合精度由10μm提升至6μm，目前國際上主流采用運動相機(jī)技術(shù)，通過集成飛行視覺技術(shù)，提升了整機(jī)生產(chǎn)效率。（集成創(chuàng)新）。

②高速精密運動控制技術(shù)。本產(chǎn)品采用了分段PID控制和高速抑振Input Shaping濾波技術(shù)，提升整機(jī)生產(chǎn)效率和裝片精度。（消化吸收創(chuàng)新）。

③高效拾片鍵合系統(tǒng)。創(chuàng)新地設(shè)計了一種Endless芯片傳輸機(jī)構(gòu)，解決了大尺寸晶圓之間的芯片傳輸問題，同時為熱壓焊等工藝提供了預(yù)處理的平臺，使工作效率得到了大大的提升。（原始創(chuàng)新）。

④精密助焊劑涂敷技術(shù)。參考目前主流設(shè)備的刮膠式涂敷原理，成功研制出了倒裝芯片點膠模塊，刮膠板平面度達(dá)到2μm內(nèi)，實現(xiàn)了倒裝芯片的工藝要求。（消化吸收創(chuàng)新）。

鍵合工藝與鍵合力控制技術(shù)。參考國際主流設(shè)備壓力控制方式，采用了大距離直線電機(jī)位置控制和前端微結(jié)構(gòu)壓力控制技術(shù)相結(jié)合的方法，采用氣壓和電磁兩種恒定壓力產(chǎn)生方式，經(jīng)過多輪設(shè)計和實驗上的改進(jìn)，滿足了工藝的需求。（消化吸收創(chuàng)新）。

先進(jìn)性：

倒裝機(jī)產(chǎn)品目前被國際大廠商壟斷，國內(nèi)沒有生產(chǎn)廠家。北京中電科公司自主研發(fā)的倒裝機(jī)Octopus-1000于2013年底通過了國內(nèi)龍頭封測企業(yè)批量生產(chǎn)驗證，在世界上首次實現(xiàn)了C2W(從芯片到晶圓)倒裝鍵合工藝的批量生產(chǎn)。設(shè)備研發(fā)過程中攻克了多項關(guān)鍵技術(shù)，申請國際和國內(nèi)發(fā)明專利20余項，性能指標(biāo)達(dá)到國際同類設(shè)備先進(jìn)水平，如精度±6μm（3σ），效率達(dá)5000片/h。

產(chǎn)品或技術(shù)發(fā)明專利情況：

產(chǎn)品專利技術(shù)包括倒裝工藝、整機(jī)結(jié)構(gòu)以及關(guān)鍵模塊技術(shù)等，目前正在申請國際和國內(nèi)發(fā)明專利20余項，其中12項目已受理：（1）鍵合設(shè)備上的雙路鍵合機(jī)構(gòu)，201210190763.8；（2）鍵合設(shè)備上的雙路拾片翻轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)，201210191026X；（3）具有加熱功能的工件傳輸裝置，201310203119.4；（4）具有缺陷檢測功能的工件傳輸裝置，201310203199.5；（5）工件鍵合系統(tǒng)，201310203768.4；（6）工件傳輸裝置，201310203768.4；（7）具有靜電消除功能的工件傳輸裝置，201310203784；（8）具有點膠功能的工件傳輸裝置，201310203892.0；（9）具有位置對準(zhǔn)功能的工件傳輸裝置，201310204167.5；（10）具有清洗功能的工件傳輸裝置，201310207280.9；（11）電磁型芯片精密操作裝置，201410019888.3；（12）一種芯片精密操作裝置，201410151790.3

應(yīng)用范圍和用戶情況、市場前景：

未來3年內(nèi)倒裝設(shè)備將爆發(fā)式增長，具有巨大市場潛力。Octopus-1000倒裝機(jī)適應(yīng)多種主流的倒裝工藝生產(chǎn)要求，一機(jī)多用，包括Chip to Wafer、Chip to Substrate、Chip to Lead/Frame、Chip to Panel等倒裝工藝，且具備兼容熱壓工藝平臺，目前國際主流倒裝設(shè)備都為單一生產(chǎn)工藝。北京中電科公司目前已形成系列倒裝機(jī)產(chǎn)品，國內(nèi)多家大客戶正在測試打樣，預(yù)計2015年銷售50臺倒裝機(jī)以上，形成8 000萬元以上的銷售合同。本產(chǎn)品的主要用戶為國內(nèi)外半導(dǎo)體封測企業(yè)，具備先進(jìn)封裝技術(shù)的大廠，主要包括：

江蘇長電科技股份有限公司專注于半導(dǎo)體封裝測試業(yè)務(wù)，于2003年在上海主板上市，成為國內(nèi)首家半導(dǎo)體封測上市企業(yè)，擁有國家級企業(yè)技術(shù)中心和博士后科研工作站，是國家重點高新技術(shù)企業(yè)、高密度集成電路國家工程實驗室依托單位、集成電路封裝技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟理事長單位。目前已與江蘇長電簽訂5臺套合同，預(yù)計2015年需求量超過20臺。

南通富士通微電子股份有限公司成立于1997年，專業(yè)從事集成電路封裝、測試業(yè)務(wù)，于2007年在深圳上市，目前已與南通富士通展開合作，進(jìn)行前期樣片的打樣測試，預(yù)計2015年需求量超過10臺。

天水華天科技也是一家上市公司，目前已進(jìn)行多輪打樣測試，并開始商務(wù)上溝通，預(yù)計2015 年需求量超過10臺以上。

3 300 mm全自動裝片機(jī)

研制單位：

大連佳峰電子有限公司

產(chǎn)品介紹：

300 mm全自動裝片機(jī)是由計算機(jī)控制、精密機(jī)械、光學(xué)、圖像處理、超聲波、溫度控制等多個尖端領(lǐng)域的高端設(shè)備組合而成。其原理是用機(jī)械手從300 mmWAFER臺上拾取芯片貼裝在框架上，是封裝IC的核心設(shè)備。本項目產(chǎn)品同時還兼容了過去150 mm(6英寸)200 mm(8英寸)晶圓芯片的常規(guī)機(jī)構(gòu)，可以切換生產(chǎn)。項目產(chǎn)品的研發(fā)、量產(chǎn),填補(bǔ)了國內(nèi)產(chǎn)業(yè)鏈的空白，其國產(chǎn)化是國家節(jié)能與集成電路業(yè)發(fā)展的需要，更是國家戰(zhàn)略需要。

項目產(chǎn)品可以廣泛應(yīng)用于電子工業(yè)品，無論火箭、衛(wèi)星、飛機(jī)、高鐵，還是電腦、電視、手機(jī)等領(lǐng)域都可以大量地使用。該項產(chǎn)品與國際先進(jìn)水平同步，大幅降低了成本,以高性價比提高了市場競爭力。

創(chuàng)新性：

本項目產(chǎn)品屬于原始創(chuàng)新，核心技術(shù)來源于我公司自主創(chuàng)新研發(fā)技術(shù)，項目產(chǎn)品的關(guān)鍵技術(shù)是能夠使多相機(jī)并聯(lián)同時校正多位置使用，這樣設(shè)計能夠使設(shè)備在運行過程中的精度有了實質(zhì)性提高；大理石支撐平臺開發(fā)，使得設(shè)備的噪音、顫抖狀況得到有效改善；大量直線電機(jī)的應(yīng)用使設(shè)備速度有20%以上提高；集成模塊化的控制系統(tǒng)使設(shè)備制造有了里程碑式的進(jìn)步。

項目產(chǎn)品的創(chuàng)新點來源于我公司多年在封裝設(shè)備研發(fā)制造領(lǐng)域積攢下的經(jīng)驗以及積極進(jìn)取的創(chuàng)新精神。本項目創(chuàng)新之處有5點，如下所示：產(chǎn)品創(chuàng)新點：300 mm（12英寸）晶圓環(huán)使用機(jī)構(gòu)開發(fā)，開創(chuàng)了國內(nèi)無大晶圓環(huán)設(shè)備的先例，打破了300 mm晶圓封裝設(shè)備被國外廠家壟斷的格局。同時自動更換晶圓環(huán)機(jī)構(gòu)的開發(fā)，使得晶圓更換系統(tǒng)已經(jīng)達(dá)到了國外同類設(shè)備的基本水平。

a．技術(shù)創(chuàng)新：集成模塊控制系統(tǒng)的開發(fā)，使得設(shè)備有了制造平臺，縮短了新設(shè)備開發(fā)的工期，對市場變化的快速對應(yīng)能力得到提高。

b． 應(yīng)用創(chuàng)新：晶圓平臺的可切換150 mm、200 mm、300 mm，使設(shè)備在加工的過程中，有了更高的適應(yīng)性，增加了設(shè)備可持續(xù)生產(chǎn)的能力，避免了客戶在大晶圓引入的過程中，需要添加新式設(shè)備的尷尬。

c．工藝創(chuàng)新：點膠的3軸（X、Y、Z）同時動作以及裝片的4軸（X、Y、Z、θ）動作使設(shè)備在運行時，可以多方位（角度）進(jìn)行自動補(bǔ)償修正，設(shè)備加工過程中可進(jìn)行數(shù)控調(diào)整，減少了維修人員的工作強(qiáng)度，增強(qiáng)了設(shè)備人性化（人機(jī)對話）能力。

d．結(jié)構(gòu)創(chuàng)新：大理石基座的開發(fā)，使設(shè)備整體美感增強(qiáng)，同時設(shè)備的噪音、顫抖狀況得到有效改善；多功能搬送平臺的開發(fā)，減少了品種更換的時間。

先進(jìn)性：

我國現(xiàn)有的300 mm全自動裝片機(jī)生產(chǎn)完全 采用外國設(shè)備，國內(nèi)還沒有生產(chǎn)此裝片設(shè)備的企業(yè)，在其產(chǎn)業(yè)鏈上處于空白狀態(tài)。我公司所研發(fā)的300 mm全自動裝片機(jī)設(shè)備能兼容150 mm、200 mm、300 mm（6英寸、8英寸、12英寸）晶圓片，精度和速度亦接近世界同類設(shè)備的水準(zhǔn)，提高了半導(dǎo)體下游生產(chǎn)線的適應(yīng)能力。

300 mmIC裝片機(jī)是在我公司原有產(chǎn)品普通IC裝片機(jī)基礎(chǔ)上研發(fā)的，后者（普通IC裝片機(jī)）就2012年已經(jīng)通過國家02專項認(rèn)證的設(shè)備，已經(jīng)投放市場，并得到客戶認(rèn)可，目前該設(shè)備技術(shù)水平已達(dá)到國際先進(jìn)水平。

產(chǎn)品或技術(shù)發(fā)明專利情況：

本項目在研發(fā)的過程中共申請了9項發(fā)明專利，4項實用新型專利，其中3項發(fā)明專利授權(quán)，6項發(fā)明專利受理，4項實用新型專利授權(quán)。

應(yīng)用范圍和用戶情況、市場前景：

我國現(xiàn)有的300 mm全自動裝片機(jī)生產(chǎn)完全采用外國設(shè)備，國內(nèi)生產(chǎn)此裝片設(shè)備企業(yè)還處于空白狀態(tài)。我公司所研發(fā)的300 mm全自動裝片機(jī)設(shè)備能兼容150 mm、200 mm、300 mm晶圓片，精度和速度亦接近世界同類設(shè)備的水準(zhǔn)，提高了半導(dǎo)體下游生產(chǎn)線的適應(yīng)能力。

目前，國內(nèi)300 mm全自動裝片機(jī)只有國際廠家代理商，國家每年要花大量外匯購置此類部件，使得國家付出了沉重的經(jīng)濟(jì)代價。本項目的啟動，可為國家節(jié)約大量外匯。

本項目主要客戶是封測廠家，現(xiàn)階段我國知名且有規(guī)模的IC封測廠家有180家之多，而這些企業(yè)可以分為四大類：第一類是國際制造商；第二類是國際和本土合資的制造商；第三類是運營規(guī)模不大的臺資制造商；第四類是我國本土制造商。我國本土企業(yè)實際上多達(dá)100多家。

未來20年是我國推進(jìn)自主創(chuàng)新戰(zhàn)略，實現(xiàn)由“中國制造”向“中國創(chuàng)造”順利轉(zhuǎn)變的關(guān)鍵時期，集成電路產(chǎn)業(yè)是實現(xiàn)這個轉(zhuǎn)變的戰(zhàn)略性產(chǎn)業(yè)之一。隨著全球性產(chǎn)業(yè)布局的調(diào)整，在未來5～10年內(nèi)，國外IC生產(chǎn)企業(yè)還會轉(zhuǎn)移一批生產(chǎn)線到中國內(nèi)地，中國內(nèi)地還將再建一批集成電路生產(chǎn)線。我公司研發(fā)的全自動裝片機(jī)產(chǎn)品以其穩(wěn)定的性能、較低的售價受到了封裝企業(yè)的歡迎。每年此類設(shè)備的需求量在1 000臺左右，如果我公司的設(shè)備市場占有率達(dá)10%的話，每年的銷售100臺左右，按每臺50萬元的售價，每年的銷售額達(dá)5 000萬元，所以，此項目有很好的市場前景。

300 mm全自動裝片機(jī)是集成電路領(lǐng)域核心電子元器件的生產(chǎn)設(shè)備，目前是投資中國300 mm全自動裝片機(jī)行業(yè)的最佳時機(jī)，全自動裝片機(jī)的進(jìn)口替代將指日可待。該技術(shù)目前在計算機(jī)、智能手機(jī)、數(shù)字化產(chǎn)品領(lǐng)域，今年下半年就有望實現(xiàn)量產(chǎn)突破。而計算機(jī)、智能化數(shù)字產(chǎn)品、集成電路等方面節(jié)能領(lǐng)域的量產(chǎn)突破或?qū)⒃?014年實現(xiàn)。所以，此項目對經(jīng)濟(jì)社會可持續(xù)、協(xié)調(diào)發(fā)展具有戰(zhàn)略意義。

4 IC芯片自動測試分選機(jī)

研制單位：

格蘭達(dá)技術(shù)（深圳）有限公司

產(chǎn)品介紹：

IC芯片自動測試分選機(jī)是格蘭達(dá)公司研發(fā)的 一款Tray上下料的全自動測試分選設(shè)備，業(yè)內(nèi)亦稱邏輯電路測試機(jī)械手，它通過真空抓手對芯片進(jìn)行取放，可實現(xiàn)對芯片的常溫和高溫電測，并根據(jù)測試結(jié)果進(jìn)行分選，能夠兼容QFP、QFN、BGA等多種芯片。

IC芯片自動測試分選機(jī)采用多組托盤自動上下料，可實現(xiàn)連續(xù)生產(chǎn)，操作簡單方便。上下料區(qū)域的抓手均為可等距離張合的四聯(lián)動抓手，兩組抓手各負(fù)責(zé)一個區(qū)域的抓放料功能，測試區(qū)域采用兩組料船進(jìn)行送料，每組料船配備一組測試抓手，連續(xù)交叉運行。

創(chuàng)新性：

IC芯片自動測試分選機(jī)所采用的技術(shù)屬于集成創(chuàng)新。使用抓放式全自動機(jī)器進(jìn)行IC芯片的測試和分選已有20多年歷史，目前主流市場已經(jīng)被歐美和日本所壟斷，隨著QFN、QFP、BGA等高端芯片使用率的快速增長，此類機(jī)型的需求將會迎來爆發(fā)性增長。格蘭達(dá)瞄準(zhǔn)這一機(jī)遇，經(jīng)過幾年的艱苦攻關(guān)，已經(jīng)取得了一系列的技術(shù)突破，其創(chuàng)新性主要體現(xiàn)在以下7個方面：

（1）抓手4吸嘴可同時等距開合，可實現(xiàn)整體和任一單個吸嘴工作；

（2）測試抓手采用插補(bǔ)算法進(jìn)行控制，可實現(xiàn)X/Y方向同時無障礙運動；

（3）溫度補(bǔ)償功能確保溫度的準(zhǔn)確性，熱膨脹補(bǔ)償功能使得拾放芯片的表現(xiàn)更加優(yōu)良；

（4）機(jī)器的測試頭采用浮動式360°柔性接觸，對芯片零損傷；

（5）優(yōu)化運動控制路徑算法，自動計算當(dāng)前最短運動路徑，提高機(jī)臺生產(chǎn)效率；

（6）實現(xiàn)運動控制振動抑制功能，在機(jī)臺共振點進(jìn)行反向補(bǔ)償，大大提高機(jī)臺運行的平穩(wěn)性；

（7）實現(xiàn)Tray盤三點校準(zhǔn)功能，補(bǔ)償機(jī)械運動誤差。

先進(jìn)性：

該設(shè)備主要參數(shù)均已接近或達(dá)到國際先進(jìn)水平，部分參數(shù)已經(jīng)領(lǐng)先同行，并且有多個獨到的創(chuàng)新之處，使其在生產(chǎn)現(xiàn)場有卓越的性能表現(xiàn)。其硬件系統(tǒng)經(jīng)過多輪可靠性和老化試驗，能長時間穩(wěn)定運行；軟件控制系統(tǒng)則在保證功能的前提下，增加了很多智能判斷功能，可以有效避免人員誤操作對操作工人、機(jī)器本體及芯片的損害；其先進(jìn)性具體表現(xiàn)在以下方面：

（1）4個測試位，1個、2個、4個測試位可選；

（2）3個自動分選料盤、3個手動分選料盤、16種分選模式；

（3）可實現(xiàn)（50～90℃）±2℃、(90～130℃)± 3℃中高溫測試；

（4）最大測試壓力：120公斤力；

（5）產(chǎn)能≥8.3K/h；

（6）設(shè)備不良率≤1/10000；

（7）對有引腳的產(chǎn)品，引腳的變形量≤0.025 mm；

（8）平均無故障間隔時間≥176 h；

（9）芯片尺寸：3 mm×3 mm～50 mm×50 mm；IC封裝形式：QFN、QFP、TSOP、BGA等。

產(chǎn)品或技術(shù)發(fā)明專利情況：

截止目前，IC芯片自動測試分選機(jī)共獲得如下5項專利：

（1）發(fā)明,專利號201210171664.5，一種IC芯片自動測試分選機(jī)；

（2）實用新型，專利號201220247270.9，一種托盤分離輸入裝置；

（3）實用新型，專利號201220246695.8，一種IC芯片測試分選機(jī)的測試抓手組合模組裝置；

（4）實用新型，專利號201220247500.1，一種IC芯片測試分選機(jī)的測試抓手總成裝置；

（5）實用新型，專利號201320747338.4，一種IC芯片測試分選機(jī)的測試抓手的浮動接頭模組裝置。

應(yīng)用范圍和用戶情況、市場前景：

IC芯片自動測試分選機(jī)主要應(yīng)用于各大IC封裝測試廠，它可為IC芯片提供一個高速、高穩(wěn)定性的測試平臺；解決IC芯片在測試過程中對中、高溫環(huán)境的模擬；滿足用戶根據(jù)測試的結(jié)果對IC進(jìn)行按類分選的需求。

該設(shè)備是格蘭達(dá)自2012年開始研發(fā)的一款高端測試設(shè)備，目前已進(jìn)入批量生產(chǎn)階段，客戶對設(shè)備穩(wěn)定的性能及高性價比給予了高度評價，在市場方面有著極大的潛力和客戶需求，并具備替代價格高昂的國外同類產(chǎn)品的市場競爭力，有廣闊的產(chǎn)業(yè)化前景。

IC芯片自動測試分選機(jī)自2013年推出市場以來，現(xiàn)已拿到訂單29臺，銷售收入達(dá)1 200多萬元人民幣，目前設(shè)備的各項性能已相當(dāng)成熟和穩(wěn)定，進(jìn)入市場推廣期后預(yù)計每年銷售收入超過2 000萬元人民幣，并具備逐步替代國外同類產(chǎn)品的市場競爭力。

5 SpotBlend A-D,Pumpcart,CFD55G，CFCsD

研制單位：

張家港易化設(shè)備科技有限公司

產(chǎn)品介紹：

SpotBlend A-D為2-4種液體的混合設(shè)備

CFCsD為稀釋設(shè)備

此產(chǎn)品功能具有一批批復(fù)制的無漂移計量重復(fù)性，即使是多種極具挑戰(zhàn)的液體工藝，如研磨漿流體/腐蝕性液體等，氫氟酸/氫氧化銨等，都能高效解決。與傳統(tǒng)的計量方法（流量計/計量泵/計量秤）相比，此技術(shù)產(chǎn)品無需可移動部件，無需特定出入口和特殊電子零配件。對黏度/震動不敏感和運輸方式無特定需求，更不會產(chǎn)生顆粒和液體污染。最少液體可以幾毫升。

創(chuàng)新性：

配比系統(tǒng)中采用了我公司的“U形管”技術(shù)，該技術(shù)是公司原始創(chuàng)新，是我公司專有的液體測量系統(tǒng)，可以提供簡便和完美的系統(tǒng)維護(hù)。一批批重復(fù)混合配制，批次穩(wěn)定性極好，并解決了劑量漂移的問題，能快速適應(yīng)各行業(yè)應(yīng)用。與傳統(tǒng)測量方法如流量計、計量泵和秤重技術(shù)相比，無需定期校準(zhǔn)?！癠形管”技術(shù)不會因震動等環(huán)境及液料的特殊性而導(dǎo)致測量偏差，并且配比精度達(dá)到0.1%，重復(fù)性精度也極好。

先進(jìn)性：

（1）專利技術(shù)計量配比 濃度輸出穩(wěn)定均一性高；

（2）配比無需用到流量計磅秤等，無需定期校準(zhǔn)；

（3）設(shè)備結(jié)構(gòu)簡潔可靠，基本免維護(hù)；

（4）設(shè)備內(nèi)Slurry流動的、低管路死角，防止結(jié)晶堵塞閥門；

（5）配比多頻少量、降低在管路內(nèi)的滯留時間，避免結(jié)晶；

（6）攪拌片式攪拌，無Slurry Shear,保持Slurry原液性質(zhì)；

（7）設(shè)備配有保濕功能，防止罐體內(nèi)部產(chǎn)生晶粒；

（8）設(shè)備內(nèi)采用小型TANK，減少內(nèi)部面積降低晶粒的產(chǎn)生；

（9）設(shè)備帶有Pot life監(jiān)控，保持Slurry的新鮮度

各項特別針對巖漿（Slurry）的優(yōu)化措施，如精穩(wěn)配比、晶粒控制、新鮮度的保持等等，可使Slurry始終保持原液的狀態(tài)?？纱蠓鶞p少晶圓片的瑕疵，大幅提高產(chǎn)品品質(zhì)。精準(zhǔn)穩(wěn)定的計量，產(chǎn)品品質(zhì)的均一性也大大提高。穩(wěn)定可靠的系統(tǒng)和結(jié)構(gòu)，可以降低各種檢測、維護(hù)等頻率，減輕工作人員勞動強(qiáng)度，提高工作效率。

產(chǎn)品或技術(shù)發(fā)明專利情況：

配置恒定流速液體及精確可重復(fù)體積液體的方法、裝置，此發(fā)明原專利權(quán)人為ChemFlow Systems，Inc，發(fā)明人為LEON MYUNG-HAE HAN(韓明海)先生。ChemFlow Systems，Inc將該專利權(quán)人轉(zhuǎn)給了LEON MYUNG-HAE HAN(韓明海)先生，經(jīng)韓明海先生以投資入股的形式轉(zhuǎn)入到張家港易化設(shè)備科技有限公司。該技術(shù)應(yīng)用廣泛，適合半導(dǎo)體、石油、化工、食品、制藥等行業(yè)和領(lǐng)域，技術(shù)國際領(lǐng)先，能很好提高品質(zhì)，能解決現(xiàn)在企業(yè)生產(chǎn)中的混合計量存在的問題，例如混合比例不穩(wěn)定，流量計、計量秤漂移，耗能、不環(huán)保、生產(chǎn)成本高。該技術(shù)屬于環(huán)保范疇，利用自然原理解決混合劑量漂移問題，斷電時仍然能夠持續(xù)運作，技術(shù)先進(jìn)、可靠性高、無漂移，達(dá)到液體劑量應(yīng)用領(lǐng)域的高水平。

應(yīng)用范圍和用戶情況、市場前景：

公司產(chǎn)品技術(shù)主要運用于半導(dǎo)體制造/封測行業(yè)/醫(yī)藥行業(yè)/軍工航天行業(yè)/石油化工，高純化學(xué)液體的計量配比與輸送設(shè)備。

國內(nèi)中芯國際（SMIC）已經(jīng)運用了我公司生產(chǎn)的SpotBlend A和CFD55G來為他們的CMP環(huán)節(jié)提供Slurry配比輸送。國內(nèi)其他多家企業(yè)已經(jīng)和我公司達(dá)成了合作意向。

國外有Seagate，Ebara，IBM，Cabot等運用我公司設(shè)備多年，并給出8年設(shè)備無校準(zhǔn)無飄移、產(chǎn)品瑕疵減少40%的高度好評。

6 28到15 nm去耦合反應(yīng)等離子體刻蝕機(jī)Primo AD-RIE ?

研制單位：

中微半導(dǎo)體設(shè)備（上海）有限公司

產(chǎn)品介紹：

等離子體刻蝕設(shè)備是極大規(guī)模集成電路制造的三大關(guān)鍵設(shè)備之一，占投資總量的15%。中微公司開發(fā)的新一代去耦合等離子體介質(zhì)刻蝕機(jī)Primo AD-RIE，可用于28到15 nm工藝的芯片生產(chǎn)，部分工藝可達(dá)10 nm節(jié)點，當(dāng)前國內(nèi)芯片制造工藝水平至少兩代，是國際產(chǎn)業(yè)界的最高水平。

該設(shè)備采用了一系列具有自主創(chuàng)新知識產(chǎn)權(quán)、國際首創(chuàng)的設(shè)計和技術(shù)，包括：可切換頻率的射頻系統(tǒng)，改良的反應(yīng)室室內(nèi)材料，三通路精控氣體調(diào)節(jié)，精確的雙區(qū)溫控系統(tǒng)等。

28到15 nm去耦合反應(yīng)等離子體刻蝕機(jī)

創(chuàng)新性：

中微自主研發(fā)的28到15 nm去耦合反應(yīng)等離子體刻蝕機(jī)，屬于原始創(chuàng)新。該設(shè)備采用了一系列具有自主創(chuàng)新知識產(chǎn)權(quán)、國際首創(chuàng)的設(shè)計和技術(shù)，包括：

（1）可切換頻率的射頻系統(tǒng)，保證了刻蝕的靈活性和可重復(fù)性。中微去耦合等離子刻蝕機(jī)采用了業(yè)界首創(chuàng)的低頻射頻2 MHz/13 MHz自動切換系統(tǒng)，從而能夠更好地控制刻蝕速率、選擇比、均勻性和特征尺寸，能夠更好地滿足客戶28 nm到15 nm芯片工藝要求。

（2）改良的反應(yīng)室室內(nèi)材料，減少了工藝缺陷并降低了成本消耗。為了改善等離子反應(yīng)室噴淋盤材料的穩(wěn)定性，提高介質(zhì)刻蝕機(jī)生產(chǎn)效率，中微首創(chuàng)性地采用等離子體增強(qiáng)物理氣相沉積工藝在鋁合金氣體噴淋盤上成功制備超厚高致密氧化釔涂層。與化學(xué)氣相沉積碳化硅以及熱噴涂沉積氧化釔相比，AMEC氧化釔涂層晶粒細(xì)小、組織致密、并且不含有空洞、裂紋等結(jié)構(gòu)缺陷。

在等離子體介質(zhì)刻蝕條件相同的情況下，等離子體反應(yīng)室不同材料被等離子體刻蝕的速率對比如上圖所示。

業(yè)界首創(chuàng)的低頻頻率可切換去耦合等離子體源

AMEC高致密氧化釔的組織形貌和性能特征

能夠有效調(diào)節(jié)關(guān)鍵尺寸的精控氣體（Tuning Gas）分為三區(qū)，分別分布在晶圓片中心、邊緣和極端邊緣。本產(chǎn)品與壟斷產(chǎn)品相比有兩項突出的創(chuàng)新，一是同壟斷產(chǎn)品的兩區(qū)進(jìn)氣相比，采用了三區(qū)進(jìn)氣；二是采用了更多的精控氣體。目前壟斷產(chǎn)品的精控氣體一般為O2和C4F8，本產(chǎn)品率先提出增加惰性氣體作為精控氣體有以下幾方面的突出優(yōu)勢：首先，惰性氣體可以作為小流量精控氣體的載體，促進(jìn)氣體在進(jìn)腔體之前的混合；惰性氣體在刻蝕過程中可以被解離成離子，促進(jìn)刻蝕反應(yīng)，能夠縮短刻蝕時間；其次，惰性氣體可以單獨用作精控氣體，有效地調(diào)節(jié)局部區(qū)域刻蝕氣體的濃度，從而調(diào)節(jié)刻蝕速率的均勻性和關(guān)鍵尺寸的均勻性。

業(yè)界領(lǐng)先的三通路多種精控氣體分布系統(tǒng)

（3）三通路精控氣體調(diào)節(jié)，創(chuàng)新性地提出增加多種惰性氣體作為精控氣體，有效地調(diào)節(jié)局部區(qū)域刻蝕氣體的濃度。

等離子體反應(yīng)室不同材料的等離子體刻蝕速率

先進(jìn)性：

中微公司開發(fā)的新一代去耦合等離子體介質(zhì)刻蝕機(jī)Primo AD-RIE，可用于28到15 nm工藝的芯片生產(chǎn)，部分工藝可達(dá)10 nm節(jié)點，超前當(dāng)下國內(nèi)芯片制造工藝水平至少兩代。

產(chǎn)品或技術(shù)發(fā)明專利情況：

國外的領(lǐng)先企業(yè)一貫以知識產(chǎn)權(quán)為手段圍堵中國新興的高科技企業(yè)。在這種嚴(yán)酷的環(huán)境中，中微公司成功應(yīng)對了兩家國際對手的知識產(chǎn)權(quán)挑戰(zhàn)。其中之一針對中微的刻蝕設(shè)備產(chǎn)品，中微以完全的勝利贏得了訴訟，成為具有重要示范意義的案例；以“商業(yè)機(jī)密”挑戰(zhàn)中微的另一案件則以和解撤案。2012 年4月26日，中微海外知識產(chǎn)權(quán)案件被國家知識產(chǎn)權(quán)局、國家工商行政管理總局、國家版權(quán)局共同評為“2011年度全國知識產(chǎn)權(quán)保護(hù)十大案件”。

應(yīng)用范圍和用戶情況、市場前景：