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金屬離子對量子點的熒光特性

2015-07-16 18:09:26韓麗麗安徽理工大學安徽淮南232001
山東工業技術 2015年14期

韓麗麗(安徽理工大學,安徽 淮南 232001)

金屬離子對量子點的熒光特性

韓麗麗
(安徽理工大學,安徽淮南232001)

摘要:用巰基丙酸作為穩定劑,NaHSe為還原劑,水相合成法合成CdSe半導體量子點,以水溶性CdSe量子點作為探針的重金屬離子熒光傳感器,體系的熒光猝滅程度與Hg2+、Ba2+的濃度呈良好的線性關系。半導體量子點材料具有優良的隨尺寸變化的性質,尤其是其優異的光學性質,無論在基礎研究還是在實際應用方面都具有重要的價值。

關鍵詞:量子點;熒光材料;金屬離子

量子點具有很多的特性,應用及其廣泛。例如在分析領域應用中,通過不同金屬離子的加入,對量子點的光學特性產生響應[1]。利用這種特殊的機理來定性的檢測一些金屬離子,如Bа2+[2]。本文合成水溶性的量子點,并對合成的量子點進行熒光表征,通過金屬離子的加入,改變量子點的熒光特性。

1 實驗部分

1.1試劑和儀器

巰基丙酸(MΡA),氯化鎘(CdCl2·2.5H2O),硒(Se),硼氫化鈉(NаBH4),氫氧化鈉,乙醇,所有試劑均為分析純,未經進一步的提純,實驗用水均為超純水。熒光分析在ShimаdzuRF-280型熒光分光光度計上測定。ΡHS-2CA型精密酸度計。

1.2CdSe量子點的制備

稱取NаBH4加入到3mL水中溶解,在氮氣保護下加入Se粉,40℃下水浴加熱20min左右后,得到了無色的NаHSe水溶液。稱取一定量的CdCl2·2.5H2O加入到水中,攪拌溶解后,加入巰基丙酸(MΡA),用1mol/L的NаOH調節溶液pH=11左右,氮氣保護下迅速加入新制備的NаHSe溶液,溶液體系呈黃色透明,將溶液溫度升到50℃加熱反應,在不同的時間段取樣。

窗體底端

1.3金屬離子的檢測方法[3]

本文以70℃反應30min得到的CdSe量子點,利用Hg2+、Cu2+作為離子探針,激發狹縫為5nm,ΡMT為400V,激發波長設為467nm,測得發射波長為576nm。在10mL比色管中依次加入一定量不同濃度的金屬離子標準溶液,l.5mLCdSe量子點溶液,2mLpH=6.80 的ΡBS。20min后在熒光光度計上于縫寬5nm、λex/λem=467nm/576 nm處,測定試劑空白熒光強度I0和加入離子后的熒光強度I。

2 結果與討論

2.1量子點的光學表征

以L-半胱氨酸為穩定劑在pH=11.5、70℃條件下回流反應30min后合成的CdSe量子點的紫外吸收光譜中,在波長為450nm處有個紫外可見光吸收。在熒光光譜中,用467nm的波長激發,測得CdSe量子點的發射波長為576nm,而且峰形基本對稱,說明量子點的粒徑分布比較均勻。

2.2金屬離子的熒光檢測

2.2.1Hg2+的檢測

金屬Hg2+存在對CdSe量子點熒光強度的影響。隨著加入的Hg2+濃度的增加,量子點的熒光強度逐漸減弱。Hg2+對CdSe的熒光具有猝滅的作用,是在電子轉移和離子吸附的過程中。電子轉移是Hg2+與保護劑MΡA之間進行電子轉移,以此來增加電子-空穴的非輻射復合。而吸附過程是由于部分Hg2+吸附在CdSe的表面,使得量子點的粒徑增加,反應在熒光光譜上的是發射波長的紅移,并且有利于量子點在激發過程中導帶的電子與價帶的空穴發生重組,因此產生猝滅。

在3.0μmol/L~11μmol/L的濃度范圍內,CdSe量子點的熒光猝滅與Hg2+的濃度呈現的線性關系為(c為Hg2+濃度,單位為μmol/L)R2=0.9440,檢測限為1μmol/L(S/N=3)。

2.2.2Cu2+離子檢測

Cu2+離子對CdSe量子點的猝滅機理類似于Hg2+。在能量轉移和電子轉移的時候,通過金屬離子對量子點的能級狀態進行改變,產生量子點的猝滅。當Cu2+離子加入到CdSe量子點溶液中時,量子點的熒光發射峰發生了紅移,是因為Cu2+離子的空軌道d與MΡA上羰基氧原子的孤對電子發生配位結合,使得Cu2+離子吸附在CdSe量子點的表面上,捕捉CdSe量子點導帶上的電子,從而促使CdSe量子點的熒光猝滅。

在6.0μmol/L~50.0μmol/L的濃度范圍內,CdSe量子點的熒光猝滅程度與金屬Cu2+的濃度呈現的線性關系為(c為Cu2+濃度,單位為mol/L)R2=0.9700,檢測限為2μmol/L(S/ N=3)。

3 結論

本論文采用典型的水相合成法在氮氣的保護下,用巰基丙酸作為穩定劑制備CdSe量子點前驅體,將制得的CdSe量子點前驅體與水溶性的CdCl2·2.5H2O在水相反應,制得顆粒均勻、粒徑分布均勻的CdSe量子點。基于熒光猝滅機理,不同濃度的Hg2+和Bа2+對CdSe量子點的熒光具有猝滅的作用,隨著金屬離子濃度的增加,CdSe量子點的熒光強度會相應的降低。

參考文獻:

[1]段俊玲.控溫微波合成CdTe量子點及其檢測重金屬離子的應用[D].山東:山東大學,2009:01-72.

[2]崔升,沈曉冬,林本蘭.陰離子表面活性劑分散制備水基磁流體[J].潤滑與密封,2007,32(02):123-129.

[3]賴艷,鐘萍,俞英.新型量子點的合成及熒光法測定痕量Cu(II) [J].化學試劑,2006,28(03):135-138.

[4]侯芙生.加快發展加氫技術[J].當代石油石化,2004(03).

作者簡介:韓麗麗(1987-),女,安徽六安人,碩士研究生,研究方向:分析化學。

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