


一、前言
本文探討了傳統(tǒng)小尺寸正裝芯片存在P、N焊盤距離太近無(wú)法焊線的缺陷,為了解決這個(gè)難題,采用新型電極結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì),芯片正面只設(shè)計(jì)一個(gè)P焊盤,在芯片側(cè)壁設(shè)計(jì)N電極線,這樣只需對(duì)P焊盤打線,不僅解決小尺寸芯片焊線困難的問(wèn)題,還能提高芯片的發(fā)光亮度。
隨著LED突飛猛進(jìn)的發(fā)展,LED從外延到到芯片、封裝亮度都得到了大幅度提升,隨著亮度的提升,在相同lm值需求下,我們所需要的芯片數(shù)量可以減少,芯片的面積也可以在一定程度上縮小,對(duì)于正裝結(jié)構(gòu)而言,芯片尺寸的縮小,芯片正極(P)和負(fù)極(N)之間的間距也不斷縮減,當(dāng)芯片尺寸縮小到一定尺寸時(shí),比方說(shuō)對(duì)于5.5*5.5mil2的芯片而言,對(duì)于水平結(jié)構(gòu)的P、N電極在封裝廠是無(wú)法完成焊線操作的。為此,本文提出一種新的設(shè)計(jì)方法,解決由于尺寸過(guò)小,P、N間距過(guò)近無(wú)法焊線的問(wèn)題。
二、新型LED小尺寸芯片設(shè)計(jì)
1、芯片圖形設(shè)計(jì)
傳統(tǒng)正裝5.5*5.5mil2芯片設(shè)計(jì)P電極和N電極均在同一側(cè),如圖一所示,從圖形結(jié)構(gòu)看,目前市場(chǎng)上P、N焊盤尺寸以60μm計(jì)算,P和N焊盤占據(jù)芯片大部分面積,其中P焊盤中心到N焊盤中心間距約為60μm,根據(jù)目前封裝廠焊線瓷嘴尺寸要求,深圳某封裝大廠要求P、N焊盤間距至少大于100μm,否則在焊線過(guò)程中兩個(gè)瓷嘴會(huì)碰撞到一起,無(wú)法完成焊線操作,同時(shí)還可以發(fā)現(xiàn),P焊盤一邊已經(jīng)與N-GaN邊緣相連,這樣的設(shè)計(jì)會(huì)導(dǎo)致芯片應(yīng)用時(shí)出現(xiàn)漏電等品質(zhì)異常現(xiàn)象,由此可以看出,對(duì)于5.5*5.5mil2后者更小面積的芯片,用傳統(tǒng)正裝結(jié)構(gòu)的設(shè)計(jì)方法無(wú)法實(shí)現(xiàn)。……