存儲器

東芝發布新一代BiCS FLASH

東芝推出全球首款注148層3D堆疊式結構閃存注2，該閃存容量達到256Gb （32GB），同時采用了行業領先的三階存儲單元（TLC）技術。這款全新閃存適用于各種產品應用，包括消費級固態硬盤（SSD）、智能手機、平板電腦和內存卡以及面向數據中心的企業級SSD。據悉，樣品將于9月開始發貨。

東芝BiCS FLASHTM采用目前世界最尖端的48層堆疊工藝，超越主流2D NAND閃存的容量，同時提高了可寫入/擦除次數及可靠性，并提高了寫入速度。

東芝一直致力于優化大批量生產的研發。為更好地滿足快速增長的閃存市場需求，東芝將瞄準大容量、小型化的應用領域，積極推動3D堆疊式結構閃存，推出SSD等產品組合。

瑞薩電子推出16Mb/32Mb超低功耗SRAM

瑞薩近日推出了兩個全新的超低功耗SRAM（超LP SRAM）系列低功耗SRAM領域的領先產品，能夠為工廠自動化（ FA）、工業設備、智能電網等應用提供更出色的可靠性并延長備用電池的使用壽命。全新的16Mb RMLV1616A系列和32MbRMWV3216A系列采用110納米制造工藝，融合了創新的存儲單元技術，不僅大幅提升了可靠性，同時也有助于延長電池的工作時間。

瑞薩的超LP SRAM的存儲器單元采用其獨有技術，抗軟失效能力是傳統全CMOS型存儲單元的500多倍，使其成為了對可靠性具有高要求的應用領域的理想之選，包括工廠自動化、測量設備、智能電網相關設備、工業設備以及消費電子設備、辦公設備和通訊設備等諸多其他應用領域。

全新RMLV1616A系列和RMWV3216A系列的主要特點如下：

（1）采用瑞薩獨有的超LP SRAM技術，大幅提升了抗軟失效能力，實現了更良好的可靠性：

（2）待機電流比上一代產品降低了50%以上，有助于延長備用電池使用壽命。