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半導(dǎo)體二極管在以太網(wǎng)端口的應(yīng)用研究

2015-04-29 00:00:00袁照剛
電子產(chǎn)品世界 2015年6期

摘要:利用半導(dǎo)體二極管的單向?qū)щ娫砗颓段浑妷禾匦宰鳛楸Wo(hù)電路,該電路具有結(jié)構(gòu)簡單,實(shí)用性強(qiáng)、電壓低、容性小、時(shí)間短等特點(diǎn)。用它來保護(hù)高速發(fā)展的以太網(wǎng)端口,特別是千兆的以太網(wǎng)端口,高性能的集成塊具有很強(qiáng)大的保護(hù)作用,能夠使精密的儀器免受瞬態(tài)電壓的破壞。本文網(wǎng)絡(luò)版地址:http://xvww.eepxv.com.cn/article/274758.htm

關(guān)鍵字:瞬態(tài)二極管;鉗位電壓;以太網(wǎng);浪涌DOI:10.3969/j.issn.1005-5517.2015.5.017

在當(dāng)今網(wǎng)絡(luò)快速發(fā)展的情況下,以太網(wǎng)到處可見,以太網(wǎng)設(shè)備的啟動(dòng)和驅(qū)動(dòng)要求其集成電路比以前更先進(jìn)。現(xiàn)在使用的以太網(wǎng)物理層收發(fā)器(PHYS)是采用65納米工藝的高性能收發(fā)器。這種新的以太網(wǎng)收發(fā)器平臺給系統(tǒng)設(shè)計(jì)帶來了優(yōu)良的性能優(yōu)勢,但是令人擔(dān)心的是集成芯片的保護(hù)等級在降低。現(xiàn)在的集成電路芯片的尺寸變得越來越小,而性能指標(biāo)越來越高。這樣芯片的輸出輸入保護(hù)標(biāo)準(zhǔn)就要求更高,而設(shè)計(jì)師們往往在這一方面沿用老的保護(hù)電路。特別是在大量電器瞬態(tài)威脅下使以太網(wǎng)的端口能夠正常工作提出了更嚴(yán)更高的要求。

在以太網(wǎng)基礎(chǔ)設(shè)施中雙絞線需要對抗各種各樣的瞬態(tài)過壓所帶來的危害,像電纜放電(CDE)、靜電放電(ESD)和電器快速瞬變(EFT),這就需要以太網(wǎng)端口有一個(gè)防御設(shè)施來保護(hù)端口。瞬態(tài)危害的特征有兩個(gè)方面:第一方面是快速上升時(shí)間的危害,像電纜放電(CDE)、靜電放電(ESD)和電器快速放電(EFT),屬于快速上升時(shí)間的危害,他們通常的上升時(shí)間都在1納秒的時(shí)間范圍內(nèi),如圖1所示,可以看出三種情況下脈沖特征上的不同點(diǎn):第二個(gè)方面是緩慢上升時(shí)間的危害,也就是浪涌危害。浪涌是一種放電感應(yīng)脈沖,是上升時(shí)間相對緩慢一點(diǎn),通常都在1微秒的時(shí)間范圍內(nèi)。由于脈沖波形具有高次脈沖的能量,因此在分析中,可以把它認(rèn)為一個(gè)電壓波形與一個(gè)尖峰電壓的疊加。要使以太網(wǎng)端口免受不同瞬態(tài)的危害,必須有不同層次的保護(hù)結(jié)構(gòu),而如今以太網(wǎng)的迅猛發(fā)展,需要有更好的解決方案。

瞬態(tài)二極管(TVS)是一種高效能保護(hù)的元器件,當(dāng)瞬態(tài)二極管的兩個(gè)電極受到高能量的瞬態(tài)反向電壓擊穿時(shí),他以l0-12s的速度將反向斷開的瞬態(tài)二極管變成導(dǎo)通,吸收幾千瓦的浪涌功率,并使瞬態(tài)二極管的電壓嵌位到一個(gè)給定的值,更好地保護(hù)電路中的精密器件,使其免受浪涌脈沖的破壞,如圖2所示,在信號正常工作的條件下,瞬態(tài)二極管反向斷開,表現(xiàn)為高阻抗,在電路中不起作用。當(dāng)某一個(gè)瞬態(tài)尖峰脈沖攻擊以太網(wǎng)端口時(shí),瞬態(tài)二極管由于反向擊穿而導(dǎo)通,形成的高電流便由導(dǎo)通的二極管導(dǎo)走,并使瞬態(tài)電壓尖峰低于集成電路允許的最高閾值電壓。

如果以太網(wǎng)端口有額外的電容時(shí)就會對信號的質(zhì)量產(chǎn)生干擾,所以要保持以太網(wǎng)端口沒有額外電容;而以太網(wǎng)端口能在沒有額外電容負(fù)載時(shí),還具有承受強(qiáng)大浪涌的能力,就需要有一個(gè)保護(hù)電路來完成這個(gè)目標(biāo)。而瞬態(tài)二極管的結(jié)構(gòu)不僅具有承受強(qiáng)大的浪涌能力,而且還能使以太網(wǎng)端口的電容達(dá)到最小化。同時(shí)瞬態(tài)二極管的嵌位電壓是評估保護(hù)以太網(wǎng)端口的一個(gè)性能指標(biāo),它是瞬態(tài)電壓在抑制浪涌瞬變后所產(chǎn)生的電壓,如圖3所示,這個(gè)電壓出現(xiàn)在物理層的輸入端能使嵌位電壓很小,電壓越小對以太網(wǎng)的端口的保護(hù)就越好。圖4是瞬態(tài)二極管對于靜電放電(ESD)響應(yīng)的電路圖,它能把高靜電電壓放電時(shí)嵌位到一個(gè)較低的電壓值。

對于千兆的以太網(wǎng)端口,它上下浮動(dòng)的電壓差在2V左右,低電壓2.5V的瞬態(tài)電壓抑制效果要比SV電壓抑制的電壓效果好,而且響應(yīng)速度還較快,伏安特性恢復(fù)得也較快,如圖5所示。同時(shí)也能夠發(fā)現(xiàn),在伏安特性曲線中,還有一些輕微的負(fù)阻,這種特性反過來能夠降低脈沖電流的嵌位電壓。

瞬態(tài)二極管的嵌位電壓對于雷擊以太網(wǎng)端口同樣具有保護(hù)作用,以8x20us電流脈沖為基準(zhǔn)來確定,圖6的嵌位電壓曲線顯示了不同的瞬態(tài)電壓抑制設(shè)備的鉗制電壓不同,以太網(wǎng)端口尺寸的敏感性又歸物理層結(jié)構(gòu)來決定,低電壓保護(hù)陳列的嵌位電壓能達(dá)到2V左右,而標(biāo)準(zhǔn)SV電壓嵌位到12V左右,很顯然,標(biāo)準(zhǔn)的SV電壓已不能保護(hù)更高端的以太網(wǎng)端口系統(tǒng),需要替代他們的是較低的工作電壓和較低的嵌位電壓設(shè)備。

電磁兼容簡稱EMC(Electromagnetic comp atibility)是電子設(shè)備或者電子系統(tǒng)在電磁環(huán)境中能夠正常工作并且不對該電磁環(huán)境中任何電子設(shè)備造成不能承受的電磁騷擾的能力。

EMC設(shè)計(jì)安全規(guī)范的種類:

1 EMC安全規(guī)范的標(biāo)準(zhǔn)

·浪涌沖擊GB/T 17626.4-2008浪涌(沖擊)抗干擾強(qiáng)度;

·傳導(dǎo)——GB/T 17626.6-2008射頻電場感應(yīng)的傳導(dǎo)騷擾抗干擾強(qiáng)度:

·電快速脈沖群——GB/T 17626.4-2008電快速瞬變脈沖群抗干擾強(qiáng)度;

·靜電——GB/T 17626.2-2006靜電放電抗干擾強(qiáng)度:

·輻射——GB/T 17626.3-2008射頻電磁場輻射抗干擾強(qiáng)度:

·高低溫——GB/T 2423.1/2電工電子產(chǎn)品溫度環(huán)境;

·阻尼震蕩——GB/T 17626.10-1998阻尼振蕩磁場抗干擾強(qiáng)度:

·耐壓——VTS瞬態(tài)二極管具體要求;

·交流電源暫降——GB/T17626.11-2008電壓暫降、短時(shí)中斷和電壓變化抗干擾強(qiáng)度;

·直流電源暫降——GB/T17626.29-2006直流電源輸入端口電壓暫降、短時(shí)中斷和電壓變化的抗干擾強(qiáng)度。

2 瞬態(tài)二極管的主要參數(shù)

2.1 擊穿電壓VBR

TVS在發(fā)生擊穿的區(qū)域內(nèi),在電流IBR的情況下,TVS兩端的電壓叫做擊穿電壓,用VBR表示,此時(shí)呈現(xiàn)低阻抗?fàn)顟B(tài)。

2.2 最大反向脈沖峰值電流IP

TVS瞬態(tài)二極管工作在反向電壓下,在脈沖到來時(shí)所通過的最大峰值脈沖電流即為最大反向脈沖峰值電流Ip。

2.3 最大反向工作電壓VR

TV瞬態(tài)二極管反向工作時(shí),在電流作用下,TVS兩端的電壓即為最大反向工作電壓VR,在正常情況下,VR=(0.8~0.9)VBR

2.4 最大嵌位電壓Vc

當(dāng)電流是脈沖峰值電流時(shí),測得TVS兩端的最大電壓就為最大嵌位電壓值,嵌位系數(shù)一般取1.3左右。

3 TVS瞬態(tài)二極管的選取

(1)TVS瞬態(tài)二極管額定反向關(guān)斷電壓Vm應(yīng)不小于被保護(hù)設(shè)備電路的最大工作電壓。

(2)最小擊穿電壓VBR=Vrwm/KBR(其中,KBR=0.8~o.9)。

(3)TVS的最大箝位電壓Ve應(yīng)小于被保護(hù)電路的損壞電壓,即Ve=Kc×VBR(其中,Kc=1.3)。

(4)在脈沖所持續(xù)的時(shí)間內(nèi),TVS的最大峰值脈沖功耗PM應(yīng)該大于被保護(hù)設(shè)備電路內(nèi)出現(xiàn)的峰值脈沖功率。在確定了最大箝位電壓后,其峰值脈沖電流應(yīng)大于瞬態(tài)浪涌電流。4TVS瞬態(tài)二極管選擇注意事項(xiàng)

(1)額定工作電壓:設(shè)計(jì)時(shí)允許工作期間加在防護(hù)電路上的電壓。

(2)標(biāo)稱通電電壓:在施加恒定ImA直流電流情況下,保護(hù)器件的啟動(dòng)電壓值。

(3)標(biāo)稱放點(diǎn)電流:防護(hù)電路額定轉(zhuǎn)移的電流的能力。

(4)沖擊通流容量:防護(hù)電路所能承受的電流而不損壞的最大電流。

(5)響應(yīng)時(shí)間:防護(hù)電路對瞬態(tài)過電壓起控制時(shí)所需要的時(shí)間。

(6)殘壓(限制電壓):防護(hù)電路對瞬態(tài)過電壓的電壓限制能力殘壓必須低于被保護(hù)器件的耐壓水平。

選好了TVS瞬態(tài)二極管后,保護(hù)電路應(yīng)該安裝在哪里比較合適?是安裝在以太網(wǎng)端口的走線還是把保護(hù)裝置安裝在以太網(wǎng)磁芯后面的物理層收發(fā)機(jī)?在大部分情況下,安裝在收發(fā)機(jī)起到的保護(hù)優(yōu)勢明顯優(yōu)于安裝在端口的邊緣,主要就是變壓器對于浪涌電壓進(jìn)行了初步的衰減,同時(shí),他還能夠保證電磁的兼容性,并且可以平衡各種各樣的浪涌情況,如圖7所示。

圖8是10/100 Base-T以太網(wǎng)供電保護(hù)(PoE)免于ESD和過電流威脅的例子,符合要求:IEC61000-4-2Level4(8kV/15kV)。表1是TVS電性參數(shù)表。

總結(jié)

相對于以前,在當(dāng)今的網(wǎng)絡(luò)時(shí)代,對于以太網(wǎng)的端口要求更加嚴(yán)格,高效率、小型化、多功能的以太網(wǎng)急切需要更先進(jìn)的保護(hù)電路,以對抗各種各樣的瞬態(tài)電壓。而瞬態(tài)二極管的使用,更具有先進(jìn)性,更能夠使大量的精密儀器免受瞬態(tài)電壓的破壞。

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