安森美半導體擴展至高性能、高密度功率集成模塊(PIM)市場

推動高能效創新的安森美半導體(ON Semiconductor)，推出最先進的80 A功率集成模塊（PIM），具領先業界的性能，用于要求嚴格的不間斷電源(UPS)、工業變頻驅動器和太陽能逆變器等應用。

NXH80T120L2Q0PG PIM采用安森美半導體的專有溝槽第二代場截止技術（FSII）及強固的超快快速恢復二極管，配置為1 200 V、80 A半橋和600 V、50 A中點鉗位式T型拓撲結構，達到超過98%的能效。可配置的封裝平臺采用大功率直接鍵合銅（DBC）基板技術及專有的壓合(press-fit)引腳，為客戶提供高性能和可靠的功率模塊方案。

安森美半導體擴展至PIM市場，源自于30多年的開發汽車點火IGBT和智能功率模塊（IPM）的經驗。NXH80T120L2Q0PG PIM運用安森美半導體豐富的封裝專知，結溫為175°C，完全符合最高行業可靠性標準。此外，安森美半導體的模塊方案為客戶提供完全一體化的硅和封裝供應鏈，確保高品質和成本效益。