安森美半導體推出全新的中壓N溝道MOSFET陣容

推動高能效創新的安森美半導體 （ON Semiconductor），針對數據網絡、電信和工業應用推出新的高能效單N溝道功率MOSFET系列，進一步擴大其寬廣的產品陣容。

這些器件能提供低得令人難以置信的導通電阻RDS（on）值，從而將導通損耗降至最低并提升整體工作能效水平。它們還有低至2 164 pF的門極電容（Ciss），確保保持盡可能低的驅動損耗

安森美半導體新的NTMFS5C404NLT、NTMFS5C410NLT和 NTMFS5C442NLT MOSFET額定擊穿電壓為40 V，最大導通電阻值(Vgs為10 V時)分別為0.74 mΩ、0.9 mΩ和2.8 mΩ，連續漏電流分別為352 A、315 A和127 A。與這些器件相輔相成的NTMFS5C604NL、NTMFS5C612NL和 NTMFS5C646NL，額定擊穿電壓60 V，最高導通電阻分別為1.2 mΩ、1.5 mΩ 和 4.7 mΩ，而相關的連續漏電流為287 A、235 A和93 A。40 V和60 V的這兩種器件的額定工作結溫都高達175℃，從而為工程師的設計提供更大的熱余裕。安森美半導體將推出采用更多的電阻值和不同的封裝，如micro8FL、DPAK和TO220來擴大此產品線。