意法半導體（ST）新功率MOSFET實現近乎完美的開關性能

意法半導體MDmesh?M2系列的N-溝道功率MOSFETs再增添新成員，新系列產品能夠為服務器、筆記本電腦、電信設備及消費電子產品電源提供業內最高能效的電源解決方案，在低負載條件下的節能效果尤為顯著，讓設計人員能夠開發更輕、更小的開關式電源，同時輕松達到日益嚴格的能效目標要求。

新款600V MDmesh M2 EP產品整合意法半導體經過市場檢驗的條形布局（strip layout）和全新改進的垂直結構和優化的擴散工藝（diffusion process），擁有接近理想的開關設計，包括超低的導通電阻和最低的關斷開關損耗，是特別為甚高頻功率轉換器（f>150 kHz）專門設計，為要求最嚴格的電源供應器（PSU,Power Supply Unit）的理想選擇。

硬開關和軟開關電路拓撲均適用，包括諧振拓撲（resonant topologies），例如LLC諧振，新器件的開關損耗極低，特別是在低負載條件下，低損耗更為明顯。除MDmesh M2產品的共性柵電荷量（Qg）極低外，M2 EP產品的關斷能量（Eoff）還可降低20%，而在硬開關轉換器中，關斷開關損耗同樣降低20%。在低電流范圍內降低Eoff損耗，有助于提高低負載能效，進而幫助電源廠商順利達到日益嚴格的能效認證要求。