意法半導(dǎo)體（ST）的先進(jìn)60V功率MOSFET為提高同步整流電路能效量身定制

意法半導(dǎo)體的槽柵結(jié)構(gòu)低壓MOSFETsSTripFET?F7系列將新增60 V的產(chǎn)品線，可協(xié)助電信、服務(wù)器和臺(tái)式PC機(jī)的電源以及工業(yè)電源和太陽(yáng)能微逆變器的直流－直流（DC/DC）電源轉(zhuǎn)換器達(dá)到嚴(yán)格的能效標(biāo)準(zhǔn)要求，最大限度提升電源功率密度。

STripFET F7 MOSFET不僅大幅提高了晶體管的導(dǎo)通能效和開關(guān)性能，還簡(jiǎn)化了通道間的槽柵結(jié)構(gòu) （trench-gate structure），實(shí)現(xiàn)極低的導(dǎo)通電阻、電容和柵電荷量，并取得優(yōu)異的品質(zhì)因數(shù)（RDS（ON）×Qg）。此外，本征體二極管的恢復(fù)電荷（recovery charge）很低，有助于提高開關(guān)性能。高雪崩耐量確保在惡劣條件下保持性能穩(wěn)健，反向傳輸電容對(duì)輸入電容（Crss/Ciss）的比值低，有助于強(qiáng)化抗電磁干擾（EMI immunity）。