SABRE3D:技術(shù)和生產(chǎn)力領(lǐng)先者：WLP Electrodeposition

(1.泛林研究（美國）公司，圖拉丁，俄勒岡州，美國；2.泛林研究（新加坡）有限公司，Serangoon North Avenue 5，新加坡；3.泛林半導體設(shè)備技術(shù)（上海）有限公司，上海201203)

ZHU Huanfeng1，CheePing Lee2，ZHANG Mike3，Damo Srinivas1，LI Xiao3，TAN Sherry3

(1.泛林研究（美國）公司，圖拉丁，俄勒岡州，美國；2.泛林研究（新加坡）有限公司，Serangoon North Avenue 5，新加坡；3.泛林半導體設(shè)備技術(shù)（上海）有限公司，上海201203)

隨著消費者對移動電子設(shè)備不斷提出“更小，更快，更強大”的需求，先進封裝技術(shù)變得越來越重要。外形尺寸的減少，功耗的降低，系統(tǒng)級封裝等正是得益于該技術(shù)的廣泛推廣。

相對于傳統(tǒng)的封裝，以硅通孔（TSV）和晶片級封裝（WLP）為代表的2.5D和3D堆疊集成技術(shù)在減少線寬，增大I/O密度的同時，能夠?qū)崿F(xiàn)更直接的芯片到芯片互連，從而獲得“摩爾定律”之外的性能提高。

所以，以WLP為代表的先進封裝已成為半導體行業(yè)中增長最快的領(lǐng)域之一，而且這種趨勢會隨著包括硅通孔TSV、Pillar、Micro-Bumps以及先進的再分配層（RDLs）等在內(nèi)的3D技術(shù)日益成熟而持續(xù)下去，同時這些3D集成方案也在不斷推動新的金屬和介電互連材料和應(yīng)用。

1 領(lǐng)先的生產(chǎn)力

2 業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的技術(shù)

（1）先進的前處理（APT）采用真空/液體回填技術(shù)，實現(xiàn)晶圓完全潤濕，確保100%的無氣泡缺陷的凸點電鍍性能。

（2）革命性的TurboCell電鍍室的設(shè)計，配以泵對流設(shè)計，最大限度地形成孔內(nèi)對流，提高了電鍍均勻性指標（Features，Die，Wafer），使其非常適合于小型和細線寬微凸以及RDL結(jié)構(gòu)。

（3）Smart Spin通過軟件控制邊緣的非均勻性的校正技術(shù)，能夠有效地降低晶圓邊緣電流密集效應(yīng)。客戶無需額外專門的腔體/硬件操作進行調(diào)節(jié)，就能夠達到不同邊緣布局的晶圓都能有高良率，提高晶圓產(chǎn)量。

（4）Ecobump克服了錫銀電鍍中的根本性問題。SABRE3D通過金屬離子分離陽極室（MISAC）和工藝控制系統(tǒng)，以及一個專有離子選擇性膜，實現(xiàn)了無鉛的錫-銀可溶陽極電鍍。極大地減少低阿爾法錫金屬電鍍成本，以及添加劑的消耗。這已成為目前客戶的首選方案。

（5）SABRE3D的在線化學液控制系統(tǒng)能實現(xiàn)正反向回饋來控制化學液組成，維持晶片到晶片工藝穩(wěn)定性，大大減少了線下操作的成本和風險，提高化學液的壽命和設(shè)備運行時間。

3 著眼未來

Lam Research會繼續(xù)朝著實現(xiàn)優(yōu)良均勻性，高電鍍速率，低成本，少缺陷等方向努力，通過克服各種技術(shù)挑戰(zhàn)，不斷傾聽客戶的需求，為客戶提供全面的生產(chǎn)解決方案。例如：目前根據(jù)客戶的需求，SABRE3D已具備處理各種尺寸的晶片（200～330 mm），復合“晶圓”材料（如純玻璃，玻璃粘結(jié)，和環(huán)氧樹脂模制化合物），并能處理翹曲晶片的能力（如Fan-Out WLP處理）。同時Lam不斷提供技術(shù)更新來增強或提高現(xiàn)有設(shè)備能力，以滿足客戶不斷變化的業(yè)務(wù)需求。作為設(shè)備可擴展性設(shè)計理念的一部分，能夠?qū)崿F(xiàn)不同電鍍化學液的轉(zhuǎn)換兼容，縮短客戶從研發(fā)轉(zhuǎn)向量產(chǎn)的時間，并在現(xiàn)有設(shè)備上無縫銜接更多先進功能，最大限度地提高客戶端運營效率。

想了解更多相關(guān)信息，請致電銷售人員（李瀟+86-135-01620385電郵:xiao.li@lamresearch.com）