磁控濺射銀／銅雙層膜的電性能和結合強度

王會，徐曉，馮斌，王德苗

（1.浙江大學信息與電子工程學系，杭州 310027；2.昆山萬豐電子有限公司，昆山 215313）

0 引 言

微波腔體耦合器作為重要的微波傳輸器件，在移動通訊領域應用廣泛，隨著民用通信的發展，對耦合器性能的要求也隨之提高。銀具有良好的電學性能，常將其鍍層應用于微波傳輸器件的內表面，以降低損耗，保證傳輸效果［1－2］。目前，制備表面銀膜的方法主要有電鍍法和化學鍍法等。化學鍍法由于存在溶液穩定性差、反應速度慢以及添加劑復雜等問題，未在微波器加工領域得以普遍應用［3］；而電鍍法雖然可以有效解決耦合器內表面金屬化問題，但該工藝復雜，且對環境污染嚴重。隨著歐盟環保標準的日趨嚴格，含有汞、六價鉻、鎘、鉛、多溴和多溴二苯醚等六種具有嚴重污染性質的產品將嚴禁生產使用［4］，這對耦合器內表面金屬化提出了嚴峻挑戰。銀作為一種貴金屬材料，價格較高，如果銀膜太厚，將會直接增加成本。如何在保證耦合腔損耗的前提下，減薄銀膜，是研究者關心的熱點。

磁控濺射技術作為一種成熟的工藝，具有沉積效率高、膜層致密度高、鍍層和基體結合力強、無污染等優點。基于此，作者在保證微波腔體耦合器傳輸性能的基礎上，利用磁控濺射技術代替傳統的電鍍技術在耦合器內表面沉積銀／銅雙層膜來代替電鍍單層銀膜，實現了對微波腔體耦合器功能區內表面的金屬化，并對其插入損耗與膜基結合強度進行了研究。……