利用ADS設計仿真C波段T/R組件

倪赫男，顧穎言

(南京電子技術研究所， 南京 210039)

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利用ADS設計仿真C波段T/R組件

倪赫男，顧穎言

(南京電子技術研究所， 南京 210039)

T/R組件是有源相控陣雷達的核心部件。對于星載、機載、艇載等平臺，如何設計出輕小型化、高可靠性、適于批量生產的T/R組件十分重要。在設計初期引入Agilent公司的ADS 仿真軟件可以有效縮短開發周期，提高設計效率。文中運用ADS進行一款C波段輕小型化T/R組件的設計與仿真，采用了多種單片微波集成電路芯片來實現各模塊功能，對于設計過程中出現的放大器自激問題進行了探討并提出解決辦法，在C波段實現發射與接收功能，仿真結果符合設計要求。

C波段；T/R組件；ADS仿真軟件；單片微波集成電路；放大器自激

0 引 言

隨著雷達面臨的目標環境和電磁環境日益嚴峻，以及對雷達觀測任務新需求的不斷增長，雷達性能必須大幅提高[1]，而以T/R組件為核心的有源相控陣雷達可以滿足現代雷達的眾多需求[2]。對于星載、機載、艇載等裝機平臺而言，特殊的結構與安裝空間限制了雷達系統的體積與質量[3]。在此背景下，設計出輕小型化、高性能的T/R組件勢在必行。如果在設計初期對系統進行合理的設計仿真，就可以有效縮短開發周期，提高設計效率[4]。

本文利用Agilent公司的ADS仿真軟件設計了一款C波段T/R組件，探討了放大器自激問題，不僅豐富了C波段T/R組件的研究工作，更為超小型T/R組件的初期設計提供了思路。

1 T/R組件設計指標和系統方案

1.1 設計指標

(1)頻段：C波段。(2)輸出功率：≥10 W。(3)發射

效率：≥20%。(4)接收增益：≥18 dB。(5)接收噪聲系數：≤2.5 dB。(6)移相位數：5 bit。(7)衰減位數：5 bit。

1.2 系統方案

T/R組件由發射和接收兩條通道組成。一般來說，發射通道包括單級或多級功率放大電路，接收通道包括數字衰減器、單級或多級低噪聲放大電路以及限幅器，收發通道公用部分主要包括環形器、收發開關、移相器等。其中，移相器和衰減器可以實現波束掃描和接收通道幅度加權的功能[5]。

由于T/R組件的射頻端口存在大范圍動態信號，而且向空間輻射大功率電平信號，因此，要選擇合適的端口連接方式[6]。常見的系統連接方式有單刀雙擲開關以及環形器[7]。環形器電氣性能優良，可以抑制負載牽引，但體積較大，不符合超小型組件的設計要求；單刀雙擲開關體積小，更適合本次設計。綜合考慮多種因素，最終確定T/R組件原理圖，如圖1所示。

2 T/R組件系統設計與仿真

為設計出輕小型化T/R組件，電路各模塊均選用成熟的單片微波集成電路(MMIC)芯片，不僅減少分立元件的使用，還可以簡化設計過程，提高設計效率。

圖1 T/R組件原理圖

2.1 接收通道設計與仿真

接收通道包括移相器、收發開關、低噪聲放大器(LNA)以及衰減器。各器件均采用成熟MMIC芯片，具體參數及連接關系如圖2所示。

圖2 T/R組件接收通道框圖

根據系統的級聯噪聲系數公式，可以得到圖2中接收通道的噪聲系數為

(1)

將圖2中的數值代入式(1)中，可以計算得到NFS=1.927 dB<2.5 dB，滿足設計要求。

提取移相器、衰減器、兩級LNA的小信號S參數，并根據產品手冊設置各芯片參數，在ADS中對接收通道進行仿真，結果如圖3所示。

圖3 基態時接收通道增益曲線

從圖3可以看出，接收通道增益在基態時達到26 dB以上，大于18 dB，很好地滿足了設計要求。移相器、衰減器余態也均符合設計指標要求。

2.2 發射通道設計與仿真

與接收通道不同，發射輸出一般都是飽和功率輸出，其增益一般是大信號增益。輸出功率飽和越深，輸出信號波動越小，但附加效率越差[4]。

發射通道包括移相器、收發開關和功率放大電路。功率放大電路采用兩級結構，一級是驅動放大器，另一級是功率放大器，均采用成熟MMIC芯片。根據產品手冊對各芯片進行參數設置，在ADS中對發射通道進行仿真，結果如圖4所示。

圖4 輸出功率隨輸入功率變化曲線

從圖4可以看出，隨著輸入功率的增大，輸出功率相應增加，但逐步進入飽和狀態，通道的大信號增益逐漸減小，產生了增益壓縮。輸出功率在輸入功率大于7 dBm時，大于40 dBm(10 W)，符合設計要求。根據產品手冊，可以計算得到發射通道工作時，總功耗為

(2)

因此，發射效率為

(3)

該發射功率符合設計要求。

3 穩定性分析

3.1 功率放大器

功率放大器作為發射通道的核心部分，其穩定性直接影響發射通道乃至整個T/R組件的性能。因此，功率放大器的穩定性至關重要。

功率放大器合成芯片組(以下簡稱“功放芯片組”)原理框圖如圖5所示。其中，RFi為射頻輸入，RFo為射頻輸出，Vgs為柵源電壓，Vds為漏源電壓。功放芯片組內部由兩個GaAs功率單片及功分器瓷片、直流偏置電容芯片、直流過渡瓷片構成。組件設計過程中，對功放芯片組進行小信號測試，測試結果如圖6所示。

圖5 功放芯片組原理框圖

圖6 功放芯片組小信號測試結果

從圖6可以看出，功放芯片組在7.2 GHz頻率附近會有較大的增益駐波奇異點，表明其在7.2 GHz附近存在不穩定和輕微的自激。

功放芯片組結構裝配圖如圖7所示，其中，1為連排電容，2為金絲，3、7為功分器芯片，4、9為直流過度瓷片，5為金帶，6為功率放大器芯片，8為載體。

圖7 功放芯片組結構裝配圖

對裝備圖分析發現，圓圈內的三處結構形成了一個射頻反饋回路。分析表明：在功放芯片組供電回路中，存在與射頻輸出端口的交叉，會導致微波信號耦合到供電線上，通過供電回路反饋到功放芯片組輸入端。該現象會導致輸出、輸入端口隔離度變差，初步估計為導致功率放大器自激的原因。

將射頻回路去掉，進行小信號測試，結果如圖8所示。設圖6中的原結構為a結構，圖8中去掉射頻回路的結構為b結構。與a結構相比，b結構的增益和輸入駐波較為平緩，無奇異點。

圖8 b裝配小信號測試結果

通過建立功放芯片組無源部分電路模型，進一步對a、b兩種結構輸入、輸出端隔離度進行仿真并測試，結果如圖9所示。仿真結果表明：在7.2 GHz處，b結構輸出、輸入端隔離度非常高，而a結構隔離度出現奇異點(奇異點處為-32.3 dB)。實測結果與仿真結果一致，在7.2GHz處，b結構輸出、輸入端隔離度達到-53.4 dB左右，a結構隔離度為-32.6 dB左右。這說明射頻回路導致a結構輸出、輸入端隔離度急劇變差。

圖9 不同裝配功放芯片組隔離度仿真與測試曲線

進一步分析和試驗表明：第一，由于反饋通道的存在，導致a結構中功放的輸入、輸出端端口隔離度較b結構中的狀態變差15 dB左右；第二，功率單片在帶外7.2 GHz附近有增益高點，為31 dB左右；第三，流片時工藝的閾值電壓波動也會導致增益差異。以上三種因素最終導致帶外存在增益畸高點，造成功率放大器出現自激現象。

產生自激的條件之一為|AF|>1，其中，A為基本放大電路的增益，F為反饋網絡的反饋系數。在7 GHz附近，功放芯片的增益為31 dB左右，若輸入、輸出端口隔離度不夠，導致反饋系數F足夠大，將使功放電路具備上述自激的條件。除了去掉原裝配圖中的射頻回路來破壞自激，還可以在原裝配結構基礎上改變直流偏置電路的結構，增加高頻濾波電路濾除耦合的微波射頻信號，來提高帶外增益高處的隔離度，從而降低反饋網絡的反饋系數來破壞產品自激。

根據以上分析，在原裝配圖基礎上，功放模塊并聯兩個100 pF電容到地，在直流偏置通道上增加旁路電容，并對貼電容前、后系統無源部分隔離度進行仿真與測試，結果如圖10所示。在7.2 GHz附近，原結構隔離度為-32.6 dB左右，|AF|接近1，在級聯使用后，容易導致自激；貼電容后隔離度小于-47 dB，與原結構相比隔離度增強大于15 dB，有效降低端口間反饋系數，使|AF|遠小于1，破壞了產品自激。

圖10 貼電容前后隔離度仿真與測試曲線

對貼電容后的功放芯片組進行測試，結果如圖11所示。可以看出，采用貼電容的措施后，功放模塊在7.2 GHz附近增益和駐波奇異點消除。

綜合上述理論分析和試驗結果，去掉射頻回路或在功放芯片組饋電電路上加兩片100 pF單層芯片電容，都可以有效消除功放在T/R組件中自激的風險，從而保證功放的穩定性。

3.2 T/R組件系統穩定性

在T/R組件設計過程中，除了要保證器件自身的穩定性外，系統的整體穩定性設計同樣至關重要。

對于收發通道構成的閉合回路，要想避免振蕩，環路總增益必須小于1[8]，即環路上所有開關、隔離器等的隔離度之和要大于所有放大器增益之和。根據產品手冊計算，環路上隔離度為85 dB，大于放大器增益之和81 dB，系統穩定。在ADS中建立系統模型，代入小信號參數，并根據產品手冊設置各芯片參數，仿真結果如圖12所示。

系統絕對穩定的條件是K>1且b>0。從圖12可以看出，基態時系統在工作頻率范圍內處于絕對穩定狀態。經驗證，其他情況下，系統也絕對穩定。

4 結束語

本文利用ADS仿真設計了一款C波段T/R組件，對于設計中出現的功率放大器自激問題進行了分析與解決，使得整個T/R組件可以穩定工作，具有發射功率大、增益高、接收噪聲系數低等特點。由于采用多種MMIC芯片實現各模塊功能，為制作輕小型化、高可靠性T/R組件奠定了基礎，提供了設計思路。在實際制作中，結合多芯片組件及金屬陶瓷封裝等工藝，可以制造出符合設計要求的、 輕小型化T/R組件，它們具有很廣闊的應用前景。

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倪赫男 男，1990年生，碩士研究生。研究方向為射頻電路設計。

顧穎言 女，1965年生，研究員級高級工程師，碩士生導師。研究方向為雷達T/R組件系統設計、微波器件與電路。

Design and Simulation of C-band T/R Module on ADS

NI Henan，GU Yingyan

(Nanjing Research Institute of Electronics Technology, Nanjing 210039, China)

The T/R module is the core part of active phased array radar. For space-borne, airborne and shipborne platforms, how to design a miniature, highly reliable T/R module suitable for mass production is very important. The introduction of Agilent ADS software in early stages can effectively shorten the design cycle and improve the design efficiency. A kind of C-band T/R module is presented in this paper, using a variety of monolithic microwave integrated circuit chips to realize the function of each part. The self-excited problem of amplifier is discussed and the solutions are presented. Transmitting and receiving function in C-band is realized and the simulation results meet the design requirements well.

C-band; T/R module; ADS simulation software; monolithic microwave integrated circuit; amplifier self-excited

10.16592/ j.cnki.1004-7859.2015.10.015

倪赫男 Email：1185668304@qq.com

2015-06-24

2015-08-21

TN83；TN85

A

1004-7859(2015)10-0060-05