1.3μm波段單橫模大功率輸出量子點激光器

宗 磊，王 英

1.3μm波段單橫模大功率輸出量子點激光器

宗 磊，王 英

（上饒師范學院小教分院，上饒334000）

為了制備大功率、單橫模輸出的量子點激光器，對有源多模干涉波導結構進行了研究。通過優化器件結構設計，采用1×1型有源多模干涉波導結構，以均勻多層InAs／InGaAs／GaAs量子點材料作為有源區，制備了1.3μm波段的有源多模干涉結構量子點激光器。連續電流注入條件下的測試結果表明，與傳統的均勻波導結構器件相比，有源多模干涉結構器件具有更低的串聯電阻和更好的散熱性能；在連續電流為0.5A的小注入情況下，器件的輸出功率可達114mW、中心波長為1332nm。結果表明，有源多模干涉結構器件是制備大功率、單橫模輸出光發射器件的一種有效的器件結構。

激光器；量子點；單橫模；有源多模干涉

引 言

1.3 μm波段是國際電信聯盟規定的光纖通信領域最主要的波段之一，被用于城際網和接入網的信息傳輸。砷化鎵基量子點材料在制備1.3μm波段的高穩定性、非制冷、低成本光發射器件，尤其是量子點激光器方面具有巨大潛力，是目前國際上公認的光纖通信領域最有發展前途的光電材料之一［1-2］。實際應用中，為了使光源與單模光纖（纖芯直徑為微米量級）有高的耦合效率，器件必須為單橫模輸出，所以需要對器件的波導寬度進行嚴格的控制［3］。例如對于砷化鎵體系量子點材料外延結構，器件實現單橫模輸出須保證波導寬度小于5μm。但是對于常見的均勻波導結構器件，較窄的波導寬度也就表示減小了器件的增益面積，所以器件很難實現大的輸出功率。……