EPC瞄準(zhǔn)氮化鎵功率器件市場興起機(jī)遇

功率器件一直都是由材料引導(dǎo)技術(shù)革新，硅材質(zhì)的MOSFET已經(jīng)應(yīng)用多年，現(xiàn)在面臨在功率密度、工作溫度和更高電壓方面的技術(shù)挑戰(zhàn)，而解決這一問題最根本的辦法是采用更高性能的材料。

宜普電源轉(zhuǎn)換公司（EPC）是首家推出替代功率MOSFET器件的增強(qiáng)型氮化鎵（eGaN）場效應(yīng)晶體管的公司，他們希望借助技術(shù)優(yōu)勢(shì)快速推廣其技術(shù)和產(chǎn)品，并于未來數(shù)年間取代硅功率MOSFET器件及IGBT，搶奪超過百億美元的功率轉(zhuǎn)換市場份額。

增強(qiáng)型氮化鎵（eGaN）場效應(yīng)晶體管作為寬頻隙器件，其優(yōu)勢(shì)包括具有更高功率密度、更高電壓、更低漏電流及具備在更高溫度下工作的性能；具有卓越傳導(dǎo)性能，在相同導(dǎo)通阻抗下，器件尺寸更短小、更低電容等。該公司技術(shù)專家Michael de Rooij介紹，由于電容及電感影響開關(guān)速度，氮化鎵場效應(yīng)晶體管（eGaN FET）的尺寸短小及其橫向結(jié)構(gòu)可實(shí)現(xiàn)超低電容而同時(shí)使用LGA封裝使得器件具低電感，從而在速度、電壓過沖及振鈴方面取得開前所未有的開關(guān)性能。 器件并具零QRR 使得它在高頻下具較低損耗。氮化鎵場效應(yīng)晶體管的開關(guān)性能可實(shí)現(xiàn)更高功率密度、更高頻、更精確開關(guān)及更高總線電壓。

該公司技術(shù)專家鄭正一對(duì)比了幾種材料的不同特點(diǎn)，eGaN FET的優(yōu)勢(shì)是可推動(dòng)全新性能的出現(xiàn)、易于使用、成本低及具高可靠性。該技術(shù)基于不昂貴的硅襯底，并使用現(xiàn)有的CMOS晶圓工藝，實(shí)現(xiàn)更少工藝步驟，整體的系統(tǒng)成本可更低且易于使用。碳化硅（SiC）器件是一種好材料，但目前它的成本較高。碳化硅器件可以工作在1200 V以上并比硅器件優(yōu)勝很多。EPC的氮化鎵場效應(yīng)晶體管備有200 V、100 V及40 V的器件，并正在開發(fā)其它電壓的產(chǎn)品。在這些電壓范圍，eGaNFET在成本方面比碳化硅有明顯優(yōu)勢(shì)，這讓eGaNFET非常適合包括直流-直流轉(zhuǎn)換器、無線電源傳送、包絡(luò)跟蹤、射頻傳送、太陽能微型逆變器、光學(xué)遙感技術(shù)（LiDAR）及D類音頻放大器等應(yīng)用，器件性能比最好的硅功率MOSFET高出很多倍。