電腦：效率和功率

新的高端CPU

兩個主要的CPU制造商都推出了速度更快但功耗更低的芯片。AMD已經搶先一步，除了更為節(jié)能的ARM A57架構的新皓龍?zhí)幚砥鳎?014年，每個周期性能提升30%的新一代Kaveri CPU也將可以用于筆記本電腦和桌面電腦。而英特爾也將開始更新Haswell處理器和支持SATA Express硬盤驅動器接口的9系列芯片組，SATA Express速度高達16Gb/s，大大地超過了當前SATA 6Gb/s的接口速度，足以支持最快的固態(tài)硬盤。除此之外，2014年第一個支持USB 3.1的控制器也將面世。

晶體管制造工藝由22nm縮小到14nm的Broadwell處理器將在2014年下半年開始上架銷售，據英特爾介紹，這將能夠在性能不變的情況下將功耗降低30%。在高性能、低功耗處理器的支持下，筆記本電腦電池的續(xù)航時間將長達15h甚至更久，這將成為一件司空見慣的事情。首先，英特爾將提供一個集成圖形芯片的移動版Broadwell處理器，其性能足以支持配備立體攝像機并支持Kinect手勢控制功能的超極本。低端版本的Broadwell處理器無需風扇，但即使如此，它的性能也要比目前的智能手機和平板電腦使用的移動芯片更高。而英特爾展示的新一代高性能版本的Haswell E處理器擁有原生8個核心，并且支持新一代的DDR4內存標準。

10TB疊瓦式磁記錄硬盤

由于原有的機械硬盤所采用的垂直記錄技術已很難再加大存儲密度，所以近兩年來硬盤驅動器的容量已經無法再繼續(xù)提升。不過，2014年希捷計劃推出采用疊瓦式磁記錄（Shingled Magnetic Recording，簡稱SMR）技術的6TB硬盤。在該技術的支持下，機械硬盤的容量有望提升到8TB和10TB。采用疊瓦式磁記錄技術的硬盤寫入的磁道相互重疊，而磁頭能通過每條磁道在重疊之后沒有被覆蓋的部分讀取數據，因而可提供更高的存儲密度，生產出容量更大的硬盤。

垂直閃存單元的固態(tài)硬盤

三星研發(fā)的一種新型閃存單元V-NAND（Vertical NAND）可大幅提升固態(tài)硬盤的容量和可靠性。在V-NAND半導體層中20多個閃存單元被堆疊在一起，存儲數據的電子在一個絕緣層上，通過控制柵填充和清空數據，并通過溝道讀取數據。V-NAND目前使用的是30nm制程，但通過堆疊可實現20nm閃存的存儲密度。而普通20nm制程的閃存擦寫次數通常只有3 000次，V-NAND則可以達到30 000多次。三星已計劃在2017年生產TB級的芯片，這是傳統(tǒng)閃存永遠也無法實現的容量。

高速桌面電腦內存

三星等廠商已經開始生產新一代的DDR4內存，它的容量更大并且工作電壓更低，時鐘頻率也比目前的內存模塊更高。在未來的一年里，DDR4內存的性能將進一步提升，美光將開始大規(guī)模生產其混合內存立方體。

類似于V-NAND，混合內存立方體的結構可以讓DDR4實現數倍于普通內存的速率和更低的功耗。不過，其結構必須改良才可以用于家用電腦，預計這將在2016年左右才可以完成。