鮑愛達,徐香菊,龔 珊
(中北大學 儀器科學與動態(tài)測試教育部重點實驗室 電子測試技術重點實驗室,山西 太原030051)
隨著MEMS技術的發(fā)展,各種類型的MEMS傳感器在航天、軍事、商業(yè)、民用等領域發(fā)揮著越來越重要的作用[1]。國內各研究機構對各種用途的新型傳感器的研究熱度更是越來越濃。在某些復雜的物理過程中,既有小到幾個gn的加速度作用,又有成千上萬個gn的加速度,用單一量程的加速度計很難精確測量到實際的加速度值,若用不同量程的加速度計,因靈敏度和安裝位置的不同,也會對測量結果造成很大誤差。為了適應這種情況而研制了復合量程加速度計。它采用傳感器陣列的形式在同一硅片上制作量程分別為0~50,0~100,0~500,0~10 000 gn的4個單元,這樣對低gn值與高gn值加速度都敏感,達到精確測量的目的。
在芯片級封裝中采用了陽極鍵合技術,但鍵合過程是在比較高的環(huán)境下進行的,產生的殘余應力會對加速度計的零位輸出產生偏移,甚至在高溫下會對微結構產生破壞[2~4],以致對復合量程加速度計的使用狀況和大量發(fā)展受到了限制,因此,對其殘余熱應力的研究是必要的。本文對復合量程加速度計的陽極鍵合過程進行了建模與仿真,分析了鍵合溫度、玻璃基底的厚度和框架的鍵合寬度對梁上殘余熱應力的影響。
本文中研究的復合量程加速度計是利用硅的壓阻效應制作的,其結構圖如圖1所示。將4個量程不同的加速度計單元制作在同一硅片上,每一個單元都采用了雙端四梁結構。在4個懸臂梁上分別制作了2只力敏電阻器,當有外力作用于加速度計時,質量塊上下振動,引起梁上的應力變化,從而電阻器的阻值變化,通過惠斯通電橋可以將這種變化以電壓的形式表現(xiàn)出來。

圖1 復合量程加速度計結構圖Fig 1 Structure diagram of multi-ranged accelerometer
復合量程加速度計的4個單元的結構相似,分析方法也相同,這里僅以0~50 gn為例分析其零位偏移的影響因素。圖2是鍵合后的芯片剖面圖,主要由玻璃基底、質量塊、彈性梁和外圍框架組成。采用陽極鍵合的方法將整個結構鍵合在一起。鍵合過程是在比較高的環(huán)境下進行的,由于材料的熱膨脹系數等因素會產生殘余應力,以致影響傳感器的零位輸出[5]。
用Ansys軟件對復合量程加速度計的陽極鍵合過程進行建模與仿真:對如圖2所示的模型施加一定的初始溫度載荷,一定時間后,將其緩慢冷卻到室溫下,仿真求解得到梁端部應力的變化[6]。之后再分別改變鍵合溫度、玻璃基底的厚度和框架鍵合的寬度,以確定梁上應力與這些因素的關系。

圖2 鍵合后的芯片剖面圖Fig 2 Sectional view of chip after bonding
先保持其他條件不變,使鍵合溫度分別從200~500℃變化,通過Ansys軟件仿真可以得到梁上殘余應力的變化值,如表1所示。

表1 不同溫度下的應力值Tab 1 Stress at different temperature
可以看出:梁端部的應力隨鍵合溫度的增加而增加。為了減小這種殘余熱應力的影響,應改善鍵合工藝,在盡可能低的溫度下完成硅與玻璃的鍵合過程。
改變玻璃基底的厚度,使其他條件保持不變,分別取玻璃基底的厚度為200~800μm,對加速度結構進行仿真,得到如表2所示的數據。

表2 基底厚度不同時的應力值Tab 2 Stress with different thickness of glass substrate
可以看到,殘余應力隨玻璃基底厚度的增加而增加。當玻璃基底厚度超過450μm后,應力增大的趨勢逐漸減緩。
因此,應選擇比較薄的玻璃基底,可以降低加速度芯片性能和穩(wěn)定性受應力的影響。
經過以上的分析,選取玻璃基底厚度為450μm,鍵合溫度為380℃,分別改變鍵合寬度,使其從140~640μm變化,仿真得到應力隨鍵合寬度的變化,數值如表3所示。

表3 不同鍵合寬度時的應力值Tab 3 Stress with different bonding width
可以看出:隨著鍵合寬度的增加,梁上殘余應力先增大后減小,在鍵合寬度為350μm左右,應力值達到最大;當鍵合寬度大于350μm后,應力值迅速減小,因此,鍵合寬度應大于350μm。
通過以上分析可以看出:陽極鍵合過程中產生的殘余應力不能忽略,它會引起加速度計的零位失調,還會造成結構的損傷[7]。梁上殘余應力的大小與鍵合溫度、玻璃基底的厚度和框架鍵合寬度有關,且應力隨鍵合溫度的升高成線性增加,隨玻璃基底厚度的增加而增加,隨鍵合寬度的增加先增大后減小。在鍵合過程中,在改善鍵合工藝的基礎上,使鍵合溫度盡可能的低,選取合適的鍵合寬度和薄的玻璃基底以減小梁上的殘余應力。
[1]關榮鋒,汪學方,甘志銀,等.MEMS封裝技術及標準工藝研究[J].封裝測試技術,2005,30(1):50-54.
[2]陳斌,王興妍,黃輝,等.Ⅲ-Ⅴ族半導體晶片鍵合熱應力分析[J].半導體光電,2005,26(5):421-427.
[3]許東華,張兆華,林惠旺,等.硅玻璃陽極鍵合絕壓壓阻式壓力傳感器中的殘余應力[J].功能材料與器件學報,2008,14(2):452-456.
[4]游俠飛.MEMS加速度計溫度場及殘余應力模型研究[D].杭州:浙江大學,2012.
[5]He Guorong,Yang Guohua,Zheng Wanhua,et al.Analysis of Si/GaAs bonding stresses with the finite element method[J].Chinese Journal of Semiconductors,2006,27(11):1906-1909.
[6]Huang Meijia,Chou Pokuai,Lin Mingchuan.Thermal and thermal stress analysis of a thin-film thermo-electric cooler under the influence of the thomson Effect[J].Sensors and Actuators A,2006,126:122-128.
[7]趙翔,梁明富.MEMS封裝中陽極鍵合技術的影響因素研究和設計因素分析[J].新技術新工藝,2009(12):104-107.