一種Ka波段PHEMT單片集成功率放大器設計

摘 要： 基于GaAs襯底PHEMT工藝的新一代微波器件，具有截止頻率高，增益大以及效率高的特點，該工藝更適合于微波頻率的應用。采用WIN半導體公司的0.15 μm PHEMT工藝設計了工作在29～31 GHz Ka波段單片集成功率放大器，電路采用RC并聯網絡實現穩定性能，三級放大結構滿足功率增益在30 GHz處為27 dB，輸出1 dB壓縮點功率為30 dBm，輸入駐波比小于1.5，功率附加效率為35%。電路采用6 V電源供電，芯片面積為2.30 mm×1.23 mm。最后設計通過仿真，得出在30 GHz的時候，P1dB輸出功率達到30.4 dBm，PAE為35%，輸入駐波比為1.26，功率增益為27 dB左右。在整個頻段里面穩定系數遠大于1，整個電路利用RC并聯穩定網絡實現了無條件穩定，達到了設計的要求。

關鍵詞： Ka波段； PHEMT； MMIC； 功率放大器

中圖分類號： TN911?34 文獻標識碼： A 文章編號： 1004?373X（2013）04?0127?03