李立清, 李 敏, 楊麗欽, 樊啟哲, 畢勝龍
(江西理工大學 冶金與化學工程學院,江西 贛州341000)
銅因具有較好的導電性、可塑性和導熱性[1],被廣泛應用于電子產品及家電行業中。電鍍銅是實現銅在電子產品中廣泛應用的主要方法。電鍍銅的工藝很多,其中酸性光亮鍍銅工藝具有較為明顯的優越性,已成為取代氰化物鍍銅和焦磷酸鹽鍍銅的主要鍍種[2]。近年來,許多學者在研究新型電鍍銅添加劑[3-7]方面取得了一定的成果。鍍層質量除了與光亮劑的質量有關外,還與許多非光亮因素有較大關聯。非光亮因素主要包括硫酸銅、硫酸、氯離子、溫度、攪拌和電流密度等。本文重點研究了酸性光亮鍍銅工藝中非光亮因素對鍍層質量的影響。
酸堿滴定管,電解槽(聚氯乙烯),加溫及冷卻裝置,赫爾槽,電鍍專用整流器和基本玻璃儀器。
硫酸銅(帶五份結晶水),濃硫酸,鹽酸(分析純),EDTA標準溶液,氫氧化鈉標準溶液,安美特公司生產的光亮劑和活性炭等。
硫酸銅160~230g/L,硫酸50~100g/L,氯離子50~120mg/L,光亮劑A 0.6~1.0mL/L,光亮劑B 0.4~0.8mL/L,光亮劑C 8~12mL/L,1~6 A/dm2。
硫酸銅是提供銅離子的主鹽,其質量濃度將直接影響電流效率和鍍層質量。硫酸銅的質量濃度對鍍層質量的影響,如表1所示。

表1 硫酸銅的質量濃度對工藝的影響
由表1可知:硫酸銅的質量濃度在190~220 g/L范圍內是比較有利的。這是因為當硫酸銅的質量濃度過高時,鍍液極化度低,走位能力降低,銅離子的上鍍速率快,結晶粗糙;反之,鍍液極化度高,走位能力好,但銅離子的上鍍速率太慢,電流小,容易觸氫,致使結晶粗糙,鍍層質量差。
硫酸起潤濕的作用,有利于銅離子的穩定。硫酸的質量濃度對鍍層質量的影響,如表2所示。

表2 硫酸的質量濃度對工藝的影響
由表2可知:硫酸的質量濃度在60~80g/L范圍內是比較合理的。這是因為當硫酸的質量濃度過高時,會破壞陽極膜的形成,致使一價銅增多,產生的一價銅附著在鍍件表面使陽極鈍化封閉,停止供銅;反之,鍍液的導電性差,電流效率低,且容易析氫,進而影響鍍層質量。
氯離子的存在對鍍層是有利的,但其質量濃度也應控制在適當的范圍內。氯離子的質量濃度對鍍層質量的影響,如表3所示。
由表3可知:適量的氯離子對提高鍍層質量是有利的。這是因為適量的氯離子與光亮劑C相互作用,在陽極表面形成一層完整的黑膜以幫助銅角溶解。但當氯離子的質量濃度過高時,多余的氯離子與鍍液中的亞銅離子作用形成氯化亞銅沉淀,其附著在陽極表面,進而封閉陽極,致使陽極供銅減少,甚至停止。當氯離子的質量濃度過低時,陽極膜形成不完整,銅供應不上,鍍液極化度低,走位能力差,易觸氫,導致鍍層整體不填平,光亮清晰度差。

表3 氯離子的質量濃度對工藝的影響
溫度對鍍層質量的影響,如表4所示。

表4 溫度對工藝的影響
由表4可知:當溫度為20~30℃時,對該工藝較合適。當溫度過高時,銅離子的還原速率過快,在鍍件表面被還原而成的銅原子數增多,銅原子來不及排列就快速沉積在鍍件表面,致使結晶粗糙,鍍層光亮度差。當溫度過低時,反應速率慢,所產生的銅原子的沉積速率過慢,電流效率和生產效率都較低,同樣也會導致鍍層結晶粗糙。
攪拌不僅有利于提高鍍液的均勻性,還有利于提高離子的移動速率。攪拌對鍍層質量的影響,如表5所示。
由表5可知:攪拌對工藝是有利的。攪拌可以提高電流效率和離子的移動速率,從而使結晶細膩,所得鍍層填平、光亮性好。但當攪拌速率過快時,會造成不必要的損失及設備的損壞。因此,應該根據實際情況控制好攪拌速率。

表5 攪拌對工藝的影響
電流是銅離子從陽極移動到陰極的推動力。電流密度對鍍層質量的影響,如表6所示。

表6 電流密度對工藝的影響
由表6可知:電流密度控制在1~5A/dm2范圍內較合適。這是因為當電流密度較大時,沉積速率快,鍍層會變得粗糙,結晶微粒增大,鍍層質量下降;當電流密度超過極限值時,鍍層會燒焦,從而導致產品報廢。當然,電流密度小時,沉積速率就小,生產效率就低。所以在保證鍍層質量的情況下,盡可能地提高電流密度。
確定了較為理想的非光亮因素的工藝范圍:硫酸銅200~220g/L,硫酸60~80g/L,氯離子80~120mg/L,1~5A/dm2,20~30℃,施加攪拌。在上述工藝條件下進行酸性光亮鍍銅,獲得的鍍層具有較高的質量。
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