納米點(diǎn)電子記憶體速度奇高
2012-04-29 00:00:00
大眾科學(xué) 2012年6期
美國和臺灣的研究人員利用納米點(diǎn)創(chuàng)建的新電子記憶體技術(shù)，在寫入和擦除數(shù)據(jù)方面比當(dāng)今主流電荷存儲內(nèi)存產(chǎn)品要快10至100倍，打破了世界紀(jì)錄，其獨(dú)特的記憶存儲方法保證了穩(wěn)定與長期性，而材料和工藝也與目前主流的集成電路技術(shù)兼容，既能滿足當(dāng)前的CMOS工藝生產(chǎn)線，也可應(yīng)用于其他先進(jìn)設(shè)備的結(jié)構(gòu)，
