引言
隨著電力電子技術(shù)的進(jìn)步,對(duì)電能質(zhì)量的要求越來(lái)越高,Vienna電路在三相PFC中有著明顯的優(yōu)勢(shì),由于采取三電平技術(shù),大大降低了開(kāi)關(guān)管的耐壓要求,采用MOSFT可以有利于提高開(kāi)關(guān)頻率,有效地提高功率密度,有著很大的發(fā)展?jié)摿Γ臻g矢量調(diào)制又有著利于數(shù)字實(shí)現(xiàn),控制策略靈活的優(yōu)勢(shì),有著良好的研究和發(fā)
展前景[1]。
主電路原理
圖1是Vienna的主電路拓?fù)洌瑘D中的Sa、Sb、Sc是雙向開(kāi)關(guān),由此可以列寫(xiě)電路方程如式(1)。穩(wěn)態(tài)條件下兩電容的電壓相等Vc1=Vc2=
矢量分布及作用時(shí)間計(jì)算
矢量分布
根據(jù)三相平衡電網(wǎng)交流電壓、電流之和為零的特性,則可以導(dǎo)出:
由inioonvvv=+可以得出Vienna電路的空間矢量分布[3],如圖2所示。
圖2中三個(gè)開(kāi)關(guān)的八個(gè)組合可以在不同的區(qū)間得到25個(gè)向量,其中V0(1 1 1)是零向量。其中V01-到V06-和V01+到V06+的模長(zhǎng)均為
電容均壓策略[5]
由表3的矢量分配可以看出每次合成中均有V0x,而且被分解為V0x-和V0x+,由電路分析可知V0x-均為對(duì)C2充電,V0x+均為對(duì)C1充電,所以調(diào)節(jié)V0x-和V0x+的作用時(shí)間可以達(dá)到對(duì)兩電容均壓的目的,現(xiàn)在引入加權(quán)量r(-1 T?、0V xT+、0V xT分別代表矢 量V0x-、V0x+、V0x的作用時(shí)間,兩電容的電壓差做調(diào)節(jié)即可得到r,達(dá)到均壓目的。