世界半導體技術的發展大趨勢

IBM半導體研發中心技術開發副總裁Percy Gilbert 2月8日在“世界半導體東京峰會2012”發表了演講，他說，半導體技術的進步為社會帶來了互聯網的普及等變革，今后還要繼續推進該技術的發展。不過，除了傳統技術之外，器件、制造及材料的技術革新變得不可或缺。同時，業務模式也要革新，IBM作為研發型半導體公司稱“合作”尤其重要，IBM的“共生系統”戰略不僅要聯手半導體廠商，還要與設備廠商、裝置及材料廠商合作，由此來分擔研發投資。

圖1 摩爾定律的未來發展路線圖資料來源: ITRS 2011 年版

臺積電代表也在會上表示，邏輯電路尖端工藝的發展將繼續受到市場歡迎。公司現行28nm工藝，計劃2012年下半年將使20nm工藝量產化，2014年則將推進到14nm工藝量產化。同時，對“更摩爾”(More Moore)微細化以外追求差異化的“超摩爾”(More than Moore)的量產器件，也將推進微細化以降低成本。

SIA(美國半導體工業協會)于去年底在韓國首次公布了《2011 ITRS》(2011年國際半導體技術發展路線圖)，對半導體設計和制造技術到2026年的發展作了預測。SIA總裁Brian Toohey說，路線圖的宗旨之一是遵循摩爾定律的發展速度，不斷縮小工藝尺寸、提高性能以滿足消費者的需求。ITRS特別指出，DRAM將加速發展以因應高端服務器、臺式游戲機復雜圖形的進步。廣泛用于數碼相機、平板電腦和手機的Flash閃存近幾年內也將快速發展，2016年將出現3D架構產品。此外，也詳細介紹了連接器、開關、有關器件、材料以及射頻和模擬混合信號技術的未來革新。