不同濺射時間下AlN緩沖層對Zno薄膜的影響
2012-04-29 00:44:03趙祥敏李敏君張偉趙文海
哈爾濱理工大學學報 2012年2期
趙祥敏 李敏君 張偉 趙文海
摘要：實驗采用射頻磁控濺射技術，制備了不同濺射時間下AlN緩沖層的ZnO薄膜，研究了薄膜的結構、形貌及電學性能，結果表明，不同濺射時間下AlN緩沖層Zn0薄膜的生長依然是(002)擇優取向，而且當緩沖層濺射時間為60min時，ZnO薄膜的結構和電學性能最好。
關鍵詞：緩沖層；ZnO薄膜；射頻磁控濺射
中圖分類號：0469文獻標志碼：A文章編號：1007－2683(2012)02－0114－04
