程東明,伏桂月,朱颯爽,王永平
(鄭州大學物理工程學院電子科學與技術系,鄭州 450001)
在大功率半導體激光器的封裝過程中,由于管芯與焊料直接接觸,因此焊料的選擇與可靠性對激光器來說是應該考慮的重要方面。
焊料可分為軟焊料與硬焊料兩種。In作為軟焊料,自身熔點低,延展性和塑性形變優良,可應用于激光器的焊接,并且當器件工作時產生的熱應力較小。由于Ag電導性良好,而In能夠有效潤濕Ag,同時又能防止In在空氣中易被氧化而影響器件工作穩定性。因此,Ag可作為In的保護層,但Ag-In焊料的焊接可靠性值得進一步研究。
為研究Ag-In焊料可靠性,我們在Si基片上利用真空蒸發蒸鍍Ag-In薄膜與Ag-In-Ag-In薄膜兩種模型,對比其微結構進行說明。

圖1 薄膜結構圖
通過掃描電鏡(圖2)我們發現:Ag-In薄膜表面各個微粒形態各異,相鄰分布,其間隙清晰可見;Ag-In-Ag-In薄膜的微粒分布密集,形態各異,且表面間隙很小。


圖2 Ag-In薄膜與Ag-In-Ag-In薄膜在掃描電鏡不同倍數下的圖像
通過兩種實驗結果對比,我們發現間隙的存在可能由兩個原因共同作用產生。一方面,根據擴散動力學,Ag-In薄膜的厚度較小,Ag顆粒與其接觸的In顆粒發生互擴散運動的同時伴隨著新產物的生成,導致表面微粒成分與結構的改變。

圖3 樣品XRD測試圖譜
我們通過XRD測試比對標準譜(如圖3)分析發現,在樣品中In被保護的同時,有AgIn2物質的存在,可以證明Ag與In的內部發生互擴散反應,生成的界面化合物的微結構與Ag-In薄膜微結構共同作用的外在表象即間隙的形成。而Ag-In-Ag-In薄膜由于在Ag-In薄膜間隙存在基礎之上,再次蒸發蒸鍍Ag-In薄膜,間隙大部分被填充,并且Ag-In薄膜覆蓋底層薄膜,致使兩層的Ag-In薄膜形成緊密排列結構。但是Ag-In的互擴散反應仍然存在,產生的間隙也依然存在(如圖2),但是兩層薄膜可有效抑制大量間隙的存在。
另一方面,由于蒸鍍過程中,由熱動力學我們可知:焊料受熱蒸發至Si基底上,由于薄膜內部熱運動劇烈,導致微粒內部熱應力增大,當薄膜冷卻至室溫時,內部熱運動逐漸趨緩,致使顆粒在某一處位置逐漸趨于穩定狀態,因此會造成顆粒的積聚分布不均,也會導致間隙的存在。
通過對Ag-In和Ag-In-Ag-In薄膜微結構的討論分析,我們得出多層的Ag-In薄膜結構可以控制間隙的大量生成,同時Ag對In的抗氧化保護確實有效,可以降低In焊料封裝器件的不穩定性甚至提高其使用壽命。
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