JTE結構4H——SiC肖特基二極管的研究

摘 要：借助半導體仿真軟件Silvaco，仿真一種具有結終端擴展(JTE)結構的碳化硅(SiC)肖特基二極管(SBD)。其機理是通過JTE結構降低肖特基結邊緣的電場集中效應，從而優化肖特基二極管的反向耐壓能力。研究JTE區深度、寬度及摻雜濃度對碳化硅肖特基二極管的反向耐壓的影響。通過優化結終端結構的結構參數使碳化硅肖特基二極管的反向耐壓特性達到更好的性能要求。

關鍵詞：碳化硅； 肖特基二極管； Silvaco； 結終端擴展結構

中圖分類號：TN311+.834 文獻標識碼：A 文章編號：1004373X(2012)09017003