國內外大多數光伏發電系統是采用功率場效應管MISFET構成的逆變電路。然而隨著電壓的升高,MOSFET的通態電阻也會隨著增大,在一些高壓大容量的系統中,MOSFET會因其通態電阻過大而導致增加開關損耗的缺點。相比之下,絕緣柵雙極晶體管IGBT通態電流大,正反向組態電壓比較高,通過電壓來控制導通或關斷,這些特點使IGBT在中、高壓容量的系統中更具優勢,因此采用IGBT構成太陽能光伏發電關鍵電路的開關器件,有助于減少整個系統不必要的損耗,使其達到最佳工作狀態。
現代電子技術2012年2期
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