石墨烯/導電高分子/離子液體修飾的黃曲霉毒素B₁免疫傳感器的制備及應用

摘 要 依次電沉積氧化石墨烯、2，5-二（2-噻吩）-1-對苯甲酸吡咯和氯金酸于金電極表面， 以EDC/NHS為活化劑， 將黃曲霉毒素B1（AFB1）抗體共價連接在導電高分子膜上， 最后滴涂1，3-二丁基咪唑六氟磷酸鹽離子液體于上述修飾電極表面， 制得AFB1免疫傳感器。以Fe（CN）6 3-/4-的磷酸鹽緩沖溶液（pH 7.0）為測試底液， 采用循環伏安法和交流阻抗法考察此免疫傳感器的電化學行為。研究表明： 石墨烯和納米金的引入明顯提高了修飾層的電子轉移速率， 使電極的表觀活性面積由裸金電極的0.1772 cm2增加到0.2188 cm2和0.2640 cm2。當AFB1濃度在3.2×10-15～3.2×10-13mol/L范圍內， 傳感器的交流阻抗響應值與濃度呈線性關系， 相關系數R2=0.994， 檢出限為1.1×10-15mol/L。傳感器在4 ℃下保存20周以上， 電化學響應保持基本不變。本方法的靈敏度和穩定性優于現有文獻報道， 并應用于花生樣品中痕量AFB1的測定。

關鍵詞 導電高分子；石墨烯；納米金；電沉積；免疫傳感器；黃曲霉毒素B1