納米金剛石粒子合成有新方法

俄羅斯托姆斯克工業大學的研究人員用碳離子的短脈沖波作用于硅，在硅表面合成納米金剛石粒子和碳粒子，在世界上首次在其他物質表層內部合成納米金剛石粒子。該技術能夠改變金屬制品和半導體的某些性質，讓某些材料變得更加堅固，提高其耐磨性以及同金剛石鍍層的粘結強度，在半導體照明產業甚至整個半導體工業領域具有很好的應用前景。

學者認為，由于金剛石納米粒子在高溫高壓條件下產生，而碳離子總是在發生伴生作用。因此，這種合成方法不僅可以通過硅實現，也可以在其他物質內部實現。據悉，該大學于2012年獲得碳植入專利，該專利被列入俄羅斯知識產權局公布的“俄羅斯100項優秀發明專利”之中。