業(yè)界要聞

2012年全球10大芯裝塑封料廠商排名

根據(jù)2012第十屆中國半導(dǎo)體封裝測試技術(shù)市場年會(huì)發(fā)布的《2011年度中國半導(dǎo)體塑封料調(diào)研報(bào)告》及《2011年度江蘇省半導(dǎo)體塑封料調(diào)研報(bào)告》等數(shù)據(jù)和行業(yè)信息研判，江蘇省半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)專家預(yù)計(jì)，2012年度全球10大半導(dǎo)體芯片封裝環(huán)氧塑封料（EMC/Epoxy Molding Compound）銷量廠商排名為：（1）日系住友電木，（2）日系日立，（3）日系臺(tái)灣長春，（4）歐美系漢高華威，（5）日系松下電工，（6）日系京瓷化學(xué)，（7）韓系金剛高麗化學(xué)，（8）韓系三星，（9）中國品牌中鵬，（10）日系信越化學(xué)。

2012上半年日立并購日東EMC業(yè)務(wù)，從全球第四躍升至全球第二，使其規(guī)模能與住友并駕齊驅(qū)；漢高華威從全球第二，下降到2011年度全球第三，2012年度全球第四；中國品牌中鵬快速崛起，躍升至全球第九（多年中資銷冠，2011年度銷量以微弱差距屈居全球第十一位），進(jìn)一步縮小與全球第七、第八兩家韓系企業(yè)銷量差距，形成超韓追日的三國演義新格局。據(jù)悉，中鵬的股東有新潮科技、南通華達(dá)以及天水華天的關(guān)聯(lián)企業(yè)等構(gòu)成，近年得到本土龍頭封裝企業(yè)鼎力支持，使得本土塑封料供應(yīng)商快速崛起。

中國市場銷量領(lǐng)先的五大世界級(jí)代表品牌為：（1）漢高華威 KL，（2）長春 EME，（3）中鵬 SP，前三大品牌以中低檔料為主；（4）住友，（5）日立，后兩大品牌以中高檔料為主；江蘇的連云港與蘇州是世界級(jí)半導(dǎo)體塑封料生產(chǎn)基地。

（來源：IC設(shè)計(jì)與制造）

Gartner:全球晶圓設(shè)備支出2014年恢復(fù)成長

國際研究暨顧問機(jī)構(gòu)Gartner發(fā)布最新預(yù)測，2013年全球晶圓設(shè)備(WFE)支出總計(jì)為270億美元，較2012年減少9.7%。晶圓設(shè)備支出于2012年為299億美元，較2011年的支出規(guī)模衰退17.4%；該市場可望在2014年恢復(fù)成長。

Gartner表示，半導(dǎo)體設(shè)備市場景氣疲軟除了總體經(jīng)濟(jì)不景氣的因素之外，記憶體和邏輯晶片部門對(duì)彼此的投資呈反景氣循環(huán)(countercyclically)的現(xiàn)象，資本投資在預(yù)測期間皆將持平。該機(jī)構(gòu)研究副總裁BobJohnson表示：“晶圓設(shè)備市場在2012年年初表現(xiàn)強(qiáng)勁，系因晶圓和其他邏輯晶片制造廠增加30nm以下的生產(chǎn)。新設(shè)備需求較原先預(yù)期高，因?yàn)樵黾酉冗M(jìn)裝置需求必須先提升產(chǎn)能，但良率卻未臻至成熟。然而，邏輯生產(chǎn)的新設(shè)備需求將隨著良率提高而趨緩，導(dǎo)致出貨量隨著邁入2013年而減少”。

Gartner預(yù)測，晶圓制造廠產(chǎn)能利用率將于2012年底下探至80%以下，再于2013年底前緩慢回升至約85%。先進(jìn)制程的產(chǎn)能利用率則在2012年下半年下滑至85%左右，到2013年底前可望達(dá)91%至93%的水準(zhǔn)，并提供較為正向的資本投資環(huán)境。記憶體于2013年表現(xiàn)仍顯萎靡不振，DRAM產(chǎn)業(yè)僅維持基本設(shè)備管理的投資，NAND的設(shè)備投資在市場達(dá)成供需平衡前亦會(huì)呈些許下降。晶圓設(shè)備市場可望自2014年開始展開新的成長周期直至2016年。

“盡管2012年上半年的庫存修正導(dǎo)致產(chǎn)量降低的情況似已結(jié)束，但是庫存量仍處于危險(xiǎn)水準(zhǔn)。高庫存水位，加上整體市場景氣疲弱，2013年上半年的產(chǎn)能利用率仍將持續(xù)受到抑制?！盝ohnson進(jìn)一步指出：“智慧型手機(jī)和平板裝置雖能刺激邏輯晶片對(duì)先進(jìn)設(shè)備的需求，但仍不足將整體產(chǎn)能利用水準(zhǔn)拉抬至期望的水準(zhǔn)”。

Gartner預(yù)期產(chǎn)能利用率將在2013年第二季回升，因?yàn)榫a(chǎn)的需求恢復(fù)，以及2012年下半年與2013年上半年所采取的資本支出抑制策略使得新增產(chǎn)能趨緩。整體產(chǎn)能利用率可望于2013年底前恢復(fù)到正常水準(zhǔn)，并為資本投資提供持續(xù)的動(dòng)能。

Gartner之前即已警示資本支出前景已顯著趨緩，因?yàn)榧彼偎ネ说目傮w經(jīng)濟(jì)環(huán)境已影響消費(fèi)者支出意愿，所產(chǎn)生的涓滴效應(yīng)(trickle-downeffect)進(jìn)而打擊資本支出。Gartner對(duì)2012年晶圓設(shè)備資本支出的預(yù)測，已從第三季發(fā)布之減少9.3%進(jìn)一步下修至衰退10.7%。同時(shí)預(yù)期，半導(dǎo)體制造商仍將苦于因應(yīng)產(chǎn)能過剩及疲弱的經(jīng)濟(jì)景氣，2013年的資本支出將持續(xù)下滑，衰退幅度達(dá)14.7%。

2013年晶圓代工產(chǎn)業(yè)的支出將成長7.4%，系因整合元件制造商 (IDM)與半導(dǎo)體封測業(yè)者(SATS)支出預(yù)期將大幅縮減。2013年之后，記憶體與邏輯晶片的支出將趨于一致，2014年可望有顯著成長，2015年亦將有持平或微幅成長之表現(xiàn)。而受惠于行動(dòng)裝置市場的蓬勃，2012年邏輯晶片的支出系資本投資唯一呈正成長之部門，支出較2011年增加3%，主要系因幾家領(lǐng)先的大廠積極投入30nm以下節(jié)點(diǎn)的投資。

(來源:EE Times-Taiwan)

Gartner：今明年半導(dǎo)體市場挑戰(zhàn)重重

Gartner表示，2013年全球半導(dǎo)體收入預(yù)計(jì)將達(dá)到3110億美元，相比2012年增長4.5%。由于經(jīng)濟(jì)和政治上的不穩(wěn)定性，Gartner將第四季度預(yù)期從上一季度的3300億美元進(jìn)行下調(diào)。

分析師降低了2012年半導(dǎo)體收入增幅預(yù)測至2980億美元，相比2011年減少3%。Gartner在第三季度對(duì)2012年的收入預(yù)測是3090億美元，相比2011年增加0.6%。

Gartner首席分析師Peter M iddleton表示：“迫在眉睫的財(cái)政懸崖，持續(xù)的歐債危機(jī)，放緩增長的新興市場以及區(qū)域緊張局勢都是導(dǎo)致2012年和2013年半導(dǎo)體收入增幅預(yù)期下調(diào)的原因。庫存水平已經(jīng)2012年下半年已經(jīng)達(dá)到高點(diǎn)，隨著PC需求下降，將出現(xiàn)供過于求的狀態(tài)?！?/p>

2012年DRAM價(jià)格沒有反彈使得半導(dǎo)體市場進(jìn)一步低迷。Gartner預(yù)測，DRAM市場在2013年下半年才會(huì)開始復(fù)蘇，到那時(shí)，較低的供應(yīng)增幅預(yù)計(jì)將拉動(dòng)整個(gè)市場進(jìn)入一段時(shí)間的供不應(yīng)求。這應(yīng)該是半導(dǎo)體行業(yè)的轉(zhuǎn)折點(diǎn)；內(nèi)存預(yù)計(jì)將率先復(fù)蘇，增長15.3%，到2014年半導(dǎo)體整體收入預(yù)計(jì)將達(dá)到3420億美元，比2013年增長9.9%。預(yù)計(jì)“蘋果效應(yīng)”仍將在2013年持續(xù)存在，幫助推動(dòng)NAND閃存和ASIC收入增幅分別達(dá)到17.2%和9.4%。Gartner將蘋果的A4、A5和A6應(yīng)用處理器歸類為ASIC，因?yàn)檫@些都是定制的處理器，由蘋果專門設(shè)計(jì)并為它自己所使用。ASIC還將受益于在2012年底和2013年推出的新一代視頻游戲平臺(tái)。

PC產(chǎn)量將在2012年下滑2.5%。在2013年，整個(gè)PC產(chǎn)量預(yù)計(jì)仍然保持較為薄弱的狀態(tài)；然而，超便攜式PC將在小范圍內(nèi)強(qiáng)勁增長。充滿挑戰(zhàn)的經(jīng)濟(jì)環(huán)境為PC生命周期延長做出了貢獻(xiàn)，因?yàn)橛脩糸_始使用平板電腦從而延長了他們PC設(shè)備的壽命。

由于嚴(yán)峻的經(jīng)濟(jì)形式減少了對(duì)手機(jī)的短期需求，因此2012年和2013年手機(jī)產(chǎn)量將整體放緩。然而，對(duì)于公共/基礎(chǔ)智能手機(jī)的需求預(yù)計(jì)將有所增長。尤其是對(duì)基于Android系統(tǒng)的低端智能手機(jī)在新興市場的采用將進(jìn)一步加速，并且成為主要的增長動(dòng)力。2013年全球智能手機(jī)單位產(chǎn)量增長預(yù)計(jì)將達(dá)到33%。

平板電腦的產(chǎn)品預(yù)計(jì)在2013年預(yù)計(jì)將增長38.5%至2.071億臺(tái)。Amazon Kindle Fire、Google Nexus 7和Apple iPad M ini所取得的成功證明了那些價(jià)位合適、體積更小的平板電腦產(chǎn)品蘊(yùn)含著的巨大商機(jī)，同時(shí)白牌平板電腦市場的表現(xiàn)也高于預(yù)期，這帶動(dòng)了整體預(yù)測的提升。

（出自：ZDNet）

M entor Graphics支持三星14nm IC制造工藝平臺(tái)問世

明導(dǎo)公司（Mentor Graphics Corp）日前宣布，用以支持三星14nm IC制造工藝的綜合設(shè)計(jì)、制造與后流片實(shí)現(xiàn)（post tapeout）平臺(tái)問世，這一平臺(tái)能夠?yàn)榭蛻籼峁┩暾膹脑O(shè)計(jì)到晶圓的并行流程，使早期加工成為可能。完全可互操作的Mentor流程可幫助客戶實(shí)現(xiàn)快速設(shè)計(jì)周期和晶圓生產(chǎn)的一次性成功。

明導(dǎo)專門用于三星14nm晶圓優(yōu)化的解決方案，包含設(shè)計(jì)規(guī)則檢查（DRC）、LVS查驗(yàn)、提取、可制造性設(shè)計(jì)（DFM）和先進(jìn)填充等功能的Calibre平臺(tái)，以及Tessent可測試性設(shè)計(jì)（DFT）套件和良率分析工具。

Calibre平臺(tái)創(chuàng)建了分解后的雙重圖形（DP）版圖，符合三星所有14nm光刻技術(shù)的要求，并且專為三星的掩模綜合和OPC工藝作了微調(diào)，后者在14nm中的工藝也由明導(dǎo)提供。這一平臺(tái)還能快速向設(shè)計(jì)師提供關(guān)于FinFETs復(fù)雜設(shè)計(jì)規(guī)則的反饋信息，并就消除DFM光刻差錯(cuò)提供具體指導(dǎo)，以便更快、更精確地修復(fù)差錯(cuò)。用于LVS和提取的Calibre工具經(jīng)過了校準(zhǔn)，以確保符合三星FinFETs的精確設(shè)計(jì)和寄生模型，消除使用其他工具可能產(chǎn)生的有重大影響的“重復(fù)計(jì)數(shù)”。而且，Calibre SmartFill還通過智能布局填充結(jié)構(gòu)以實(shí)現(xiàn)平面性來確保在設(shè)計(jì)中不會(huì)出現(xiàn)CMP問題，同時(shí)最小程度地減少時(shí)序問題。

之前在Tessent單元識(shí)別（cell-aware）測試工具方面的合作，提高了14nm的新單元內(nèi)部結(jié)構(gòu)的測試質(zhì)量，并且提高了測試向量壓縮，從而控制較大的14nm晶圓設(shè)計(jì)的測試成本。明導(dǎo)與三星還通過在Tessent工具與Calibre圖形匹配設(shè)施之間交換信息，在設(shè)計(jì)收尾過程中利用生產(chǎn)測試診斷來迅速識(shí)別并消除因設(shè)計(jì)原因造成的良率限制問題。

（出自：IC設(shè)計(jì)與制造）

SoC已有眉目微細(xì)化至10nm無需3D晶體管

SoC（systemonachip）是智能手機(jī)及平板電腦等移動(dòng)產(chǎn)品的心臟。推動(dòng)其低成本化和高性能化的微細(xì)化技術(shù)又有了新選擇。那就是最近意法半導(dǎo)體（ST）已開始面向28nm工藝SoC量產(chǎn)的完全耗盡型SOI（fullydepletedsilicononinsulator：FDSOI）技術(shù)。

如果采用FDSOI技術(shù)，無需使晶體管立體化便可繼續(xù)推進(jìn)SoC微細(xì)化至10nm工藝左右。由于可以沿用原有半導(dǎo)體制造技術(shù)和設(shè)計(jì)技術(shù)，因此無需很多成本即可繼續(xù)推進(jìn)微細(xì)化。對(duì)于希望今后仍長期享受SoC微細(xì)化恩惠的設(shè)備廠商來說，這將是很好的選擇。

在成本和性能方面優(yōu)于FinFET

FDSOI是用很薄的氧化膜（buriedoxide：BOX）將晶體管的管體（溝道）和Si基板隔開，將管體減薄至幾納米厚，從而使溝道完全耗盡的技術(shù)。這與溝道立體化以使其耗盡的三維晶體管（FinFET）一樣，能夠有效抑制隨著柵極長度變短、漏電流增大的短溝道效應(yīng)。

制造FDSOI需要比Si基板貴的SOI基板，因此制造成本與BulkCMOS差不多。能使用原有設(shè)計(jì)技術(shù)是與需要大幅改變?cè)O(shè)計(jì)工具和電路布局的FinFET最大的區(qū)別。因?yàn)槟軠p小電路設(shè)計(jì)方面的限制，集成度也容易提高。

意法半導(dǎo)體將采用FDSOI技術(shù)使平面構(gòu)造的晶體管延續(xù)到10nm工藝。2014年將量產(chǎn)14nm工藝技術(shù)，2016年將量產(chǎn)10nm工藝技術(shù)。

采用FDSOI技術(shù)的晶體管能夠沿用BulkCMOS技術(shù)使用的很多制造工藝和設(shè)計(jì)技術(shù)。工作性能超越BulkCMOS，驅(qū)動(dòng)電壓低時(shí)性能尤為出色。

在工作速度和耗電量等性能方面，意法半導(dǎo)體的Magarshack認(rèn)為“FDSOI比FinFET更有優(yōu)勢”。FinFET隨著溝道的立體化，寄生電容增大，工作速度容易降低，而FDSOI可以避免這一問題。另外，除柵極電極側(cè)以外，還可通過超薄的BOX層由基板側(cè)動(dòng)態(tài)施加偏壓，因此閾值電壓的控制性好。在驅(qū)動(dòng)電壓低、容易出現(xiàn)閾值電壓偏差問題的移動(dòng)產(chǎn)品用SoC中，這一特點(diǎn)可以充分發(fā)揮作用。

確立管體膜厚的控制技術(shù)

不過，F(xiàn)DSOI在量產(chǎn)時(shí)間上落后于FinFET。美國英特爾已從2012年在22nm工藝微處理器中采用了FinFET，中國臺(tái)灣臺(tái)積電（TSMC）等代工企業(yè)也準(zhǔn)備在2014年開始量產(chǎn)的16～14nm工藝中采用FinFET。

FDSOI原來面臨的課題是很難控制只有幾納米的管體厚度。由于管體厚度是決定閾值電壓等晶體管特性的參數(shù)，因此每次技術(shù)更新?lián)Q代，都要減薄厚度。隨著微細(xì)化的發(fā)展，技術(shù)難度加大，難以進(jìn)一步減薄。

意法半導(dǎo)體此次通過與法國知名SOI基板制造商Soitec公司、法國研究開發(fā)機(jī)構(gòu)CEA-Leti及開發(fā)CMOS工藝的合作伙伴美國IBM等合作解決了這一問題，“確信能夠微細(xì)化到10nm工藝”（Magarshack）。

首先將應(yīng)用于智能手機(jī)SoC

FDSOI技術(shù)將首先應(yīng)用于智能手機(jī)及平板電腦的SoC。意法半導(dǎo)體的合資子公司瑞士ST-Ericsson將在2012年內(nèi)推出的28nm工藝SoC中采用該技術(shù)。

意法半導(dǎo)體今后將在該公司針對(duì)數(shù)碼相機(jī)及游戲機(jī)等的SoC上采用FDSOI技術(shù)，并向美國GLOBALFOUNDRIES公司提供了制造技術(shù)，以便外部的設(shè)備廠商及半導(dǎo)體廠商采用該技術(shù)。GLOBALFOUNDRIES公司計(jì)劃“從2013年7～9月開始提供28nm工藝的FDSOI技術(shù)”。

本土芯片測試企業(yè)在逐漸壯大

“中國芯”企業(yè)成長十年有余，也催生了一批芯片/晶圓片（wafer）測試企業(yè)。例如上海華嶺集成電路技術(shù)股份有限公司，2001年初創(chuàng)時(shí)期，國內(nèi)IC產(chǎn)業(yè)鏈還不夠完善，很多初創(chuàng)和成長中的設(shè)計(jì)公司沒有能力解決測試問題，尤其是在研發(fā)過程中或者市場過程中需要測試解決的問題。通過十多年的發(fā)展，華嶺已在IC專業(yè)測試方面得到了行業(yè)的認(rèn)可。

目前，華嶺已在中高端IC測試上做出了一些特色，例如在12英寸45nm、90nm產(chǎn)品的測試上達(dá)到了比較領(lǐng)先的水平。另外，該公司還承擔(dān)了國家01、02國家重大科技專項(xiàng)的研究任務(wù)，在極大規(guī)模IC測試的細(xì)分領(lǐng)域進(jìn)行了一些技術(shù)研發(fā)和創(chuàng)新。其可測試產(chǎn)品覆蓋RF、通信，信息安全、數(shù)字音視頻、FPGA、FLASH、高速接口、高速高精度AD/DA等多個(gè)領(lǐng)域。

服務(wù)三類客戶

現(xiàn)在華嶺客戶以中國企業(yè)為主，但國際客戶也正逐步增多。相比國內(nèi)客戶，國際客戶導(dǎo)入的過程比較長，導(dǎo)入的門檻比較高，但是一旦導(dǎo)入了之后，相對(duì)的來講會(huì)比較穩(wěn)定。

從產(chǎn)業(yè)鏈角度，華嶺服務(wù)三類客戶：一是設(shè)計(jì)公司，數(shù)量最多。因?yàn)橛休^多的設(shè)計(jì)公司會(huì)給IC產(chǎn)業(yè)鏈的各個(gè)合作伙伴獨(dú)立下單，華嶺作為專業(yè)的IC測試企業(yè)，建立了多級(jí)測試平臺(tái)，可以滿足不同產(chǎn)品的測試需求，從中高端的SoC產(chǎn)品到量大面廣的消費(fèi)類電子產(chǎn)品，同時(shí)可提供定制服務(wù)；二是芯片制造企業(yè)，有些芯片制造企業(yè)有一定的測試解決能力，但是因?yàn)镮C類型太多，并不能覆蓋所有的領(lǐng)域和產(chǎn)品；三是封裝企業(yè)，封裝企業(yè)在測試方面也會(huì)有一些解決方案，但也不是包羅萬象，所以華嶺與封裝企業(yè)也開展了良好的合作。

聯(lián)電宣布客戶完成55nm SDDI制程投片

晶圓代工大廠聯(lián)華電子(UMC，以下簡稱聯(lián)電)日前宣布，該公司客戶已采用聯(lián)電55nm小尺寸熒幕驅(qū)動(dòng)晶片(SDDI)制程，順利完成首個(gè)產(chǎn)品投片(tape-out)。聯(lián)電現(xiàn)可推出提供高階智慧型手機(jī)Full-HD畫質(zhì)的55nm制程，領(lǐng)先晶圓代工業(yè)界。

聯(lián)電300mm特殊技術(shù)開發(fā)處處長許堯凱表示：55nmSDDI制程，加上最近剛推出的新一代80nm技術(shù)，以及已量產(chǎn)的0.13μm制程，讓客戶能根據(jù)應(yīng)用產(chǎn)品的不同定位，規(guī)劃其智慧型手機(jī)產(chǎn)品的顯示方案，包含F(xiàn)ull-HD、HD720/WXGA、qHD及WVGA。聯(lián)電全方位的SDDI技術(shù)解決方案，可滿足熒幕尺寸3.5英寸至5英寸以上的低、中、高階智慧型手機(jī)的顯示需求。

聯(lián)電表示，該公司55nmSDDI制程特色在于具備了尺寸僅有0.4μm2的SRAM儲(chǔ)存單元，同時(shí)在耗電、效能、晶片尺寸之間也提供了完美的平衡，適合使用于講究低耗電與體積輕巧的高階Full-HD畫質(zhì)智慧型手機(jī)。

55nmSDDI客戶產(chǎn)品將會(huì)采用先進(jìn)的300mm晶圓技術(shù)進(jìn)行生產(chǎn)；因應(yīng)今日主流智慧型手機(jī)的需要，聯(lián)電至今已出貨逾3億顆SDDI晶片。

來源:EE Times-Taiwan

我國最新一代集成電路制造工藝研發(fā)取得突破性進(jìn)展

近年來，我們使用的電腦、手機(jī)等速度更快、耗電更省、成本更低，這有賴于集成電路制造工藝的不斷進(jìn)步。中國科學(xué)院微電子研究所集成電路先導(dǎo)工藝研發(fā)中心在22nm技術(shù)代集成電路關(guān)鍵技術(shù)研發(fā)上取得了突破性進(jìn)展，掌握這種最先進(jìn)的集成電路制造工藝將有利于提升我國自主生產(chǎn)制造更加質(zhì)優(yōu)價(jià)廉的集成電路產(chǎn)品的能力。

22nm技術(shù)代集成電路技術(shù)是全球正在研發(fā)的最新一代集成電路制造工藝，各國都投入了巨大資金，誰先把這種技術(shù)開發(fā)出來，誰就能降低集成電路產(chǎn)品的成本，搶占市場先機(jī)。多年來，我國的集成電路制造工藝大多是在引進(jìn)國外知識(shí)產(chǎn)權(quán)基礎(chǔ)上進(jìn)行產(chǎn)品工藝開發(fā)，在全球產(chǎn)業(yè)鏈最先進(jìn)工藝的開發(fā)上缺少布局和話語權(quán)。2009年，我國在國家科技重大專項(xiàng)的支持下開始22nm技術(shù)代集成電路關(guān)鍵技術(shù)研發(fā)工作，經(jīng)過3年多努力取得突破性進(jìn)展。

據(jù)介紹，22nm約相當(dāng)于普通成年人頭發(fā)絲直徑的1/2300，采用22nm集成電路技術(shù)可以在一根頭發(fā)絲的橫截面上集成大約1000萬個(gè)晶體管，從而使集成電路產(chǎn)品的功能更多樣化，速度更快，成本更低。研究人員摒棄了傳統(tǒng)的二氧化硅、多晶硅等材料，采用了高K材料、金屬柵材料等新材料新工藝，研制出了性能良好的器件，技術(shù)水平達(dá)到國內(nèi)領(lǐng)先、世界一流。

研發(fā)過程中，中國科學(xué)院與北京大學(xué)、清華大學(xué)、復(fù)旦大學(xué)的聯(lián)合項(xiàng)目組完成了1369項(xiàng)專利申請(qǐng)，其中包括424項(xiàng)國際專利申請(qǐng)，為我國在集成電路領(lǐng)域掌握自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)，取得國際話語權(quán)奠定了基礎(chǔ)。該成果的取得也為我國繼續(xù)自主研發(fā)更先進(jìn)的16nm及以下技術(shù)代的關(guān)鍵工藝提供了必要的技術(shù)支撐。

臺(tái)灣LED照明產(chǎn)業(yè)成立聯(lián)盟

由工研院協(xié)調(diào)整合臺(tái)灣31家團(tuán)體會(huì)員和2家贊助會(huì)員，日前共同成立了“臺(tái)灣LED照明產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟”，聯(lián)盟召集人童遷祥表示：估計(jì)2020年全球照明市場的一半來自LED。

從前身LED路燈聯(lián)盟轉(zhuǎn)型的“臺(tái)灣LED照明產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟”舉行成立大會(huì)，聯(lián)盟召集人、工研院綠能所所長童遷祥表示：聯(lián)盟目的在于建立產(chǎn)業(yè)交流和合作，創(chuàng)造商機(jī)，達(dá)到LED(發(fā)光二極管)照明產(chǎn)業(yè)永續(xù)發(fā)展的目標(biāo)。

童遷祥指出：從過去路燈開始LED照明應(yīng)用，未來進(jìn)入家庭是必然的趨勢，例如行人紅綠燈的LED小綠人已經(jīng)全數(shù)換裝中，未來臺(tái)灣LED產(chǎn)業(yè)必需要靠技術(shù)、規(guī)范、通路、品牌來領(lǐng)先全球。

童遷祥說：這些年下來有將近20萬盞水銀路燈要換裝為LED路燈，經(jīng)過長期測試，80%沒有色衰，照度仍維持在95%以上。

經(jīng)濟(jì)部能源局長歐嘉瑞指出：產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟成立后可以發(fā)揮總合效力，還可帶動(dòng)各行各業(yè)節(jié)能，地位非常重要；臺(tái)灣的LED照明產(chǎn)值已達(dá)全球第3，未來產(chǎn)業(yè)推動(dòng)、規(guī)格建立、人才培育等促進(jìn)產(chǎn)業(yè)強(qiáng)大必要元素屬跨單位性質(zhì)，為日后推動(dòng)LED產(chǎn)業(yè)的重要工作。

童遷祥強(qiáng)調(diào)：最新市場信息顯示，2010年到2020年，全球LED照明產(chǎn)業(yè)的復(fù)合成長率達(dá)32%，2020年全球LED照明市場規(guī)模將達(dá)550億歐元，其中LED燈具與系統(tǒng)產(chǎn)品單價(jià)高，2020年市場規(guī)模估計(jì)可達(dá)366億歐元。

英特爾助陣中國將造世界最快計(jì)算機(jī)？

來自國外媒體的報(bào)道稱，中國正在研制史上性能最強(qiáng)大的超級(jí)計(jì)算機(jī)。它采用了英特爾最新IvyBridge架構(gòu)的至強(qiáng)E5處理器和至強(qiáng)Phi協(xié)處理器，總數(shù)量高達(dá)10萬片。它的計(jì)算能力高達(dá)100PFLOPS（一個(gè)PFLOPS等于每秒1千萬億），比2011年度最快超級(jí)計(jì)算器快10倍，比現(xiàn)在最快的超級(jí)計(jì)算機(jī)也要快上5倍。

政府部門對(duì)這臺(tái)超級(jí)計(jì)算機(jī)非?？粗兀茉诤教臁⒊鞘幸?guī)劃、醫(yī)療等許多領(lǐng)域發(fā)揮巨大的作用。超級(jí)計(jì)算機(jī)將被安置在西南某城市，硬件部分耗資數(shù)億美元。作為硬件供應(yīng)商，英特爾提供了它最新的至強(qiáng)E5-2567Wv2處理器(2500美元/顆）、至強(qiáng)Phi5110Pw ith8GBGDDR5協(xié)處理器（2649美元/片），光是這兩種芯片的總價(jià)就超過了5億美元，還沒有算上主板、ECC校驗(yàn)內(nèi)存、機(jī)箱、散熱等其他零件，真可謂真正的“重金”打造。

目前有一點(diǎn)可以肯定，這臺(tái)超級(jí)“怪獸”在很長一段時(shí)間都會(huì)是世界上最快的計(jì)算機(jī)，它將對(duì)中國的航天事業(yè)（登月、火星計(jì)劃）做出重要貢獻(xiàn)。不過，其他國家也不甘落后，澳大利亞正在研制1000PFLOPS計(jì)算能力的超級(jí)計(jì)算機(jī)，預(yù)計(jì)數(shù)年內(nèi)投入使用。

芯片制造業(yè)和封裝業(yè)面臨轉(zhuǎn)型升級(jí)

我國芯片制造代工業(yè)由于技術(shù)和投資的瓶頸，已落后于我國集成電路設(shè)計(jì)業(yè)快速發(fā)展的步伐，無法充分滿足國內(nèi)芯片代工市場的需求。芯片制造業(yè)、封裝業(yè)的另一個(gè)迫切問題是如何轉(zhuǎn)型升級(jí)。東部沿海制造、封裝企業(yè)在喪失地域優(yōu)勢的情況下，如果不能在技術(shù)和模式上轉(zhuǎn)型升級(jí)，將很難在激烈的市場競爭中生存下來。

128nm/22nm工藝產(chǎn)能釋放形成上游行業(yè)壟斷

2013年，28nm/22nm工藝技術(shù)將成為主流，國外先進(jìn)工藝產(chǎn)能釋放形成上游行業(yè)壟斷。2012年英特爾、三星等國外集成電路制造業(yè)巨頭已量產(chǎn)28nm/22nm工藝的產(chǎn)品。而我國集成電路制造業(yè)的領(lǐng)軍企業(yè)中芯國際2013年才開始量產(chǎn)40nm工藝產(chǎn)品，工藝技術(shù)落后兩代，按摩爾定律的工藝更新速度計(jì)算，落后國外約5年。

我國芯片制造代工業(yè)由于技術(shù)和投資的瓶頸，已落后于我國集成電路設(shè)計(jì)業(yè)快速發(fā)展的步伐，無法充分滿足國內(nèi)芯片代工市場的需求。中國大陸集成電路設(shè)計(jì)業(yè)代工需求的一半以上由臺(tái)積電、聯(lián)電、格羅方德(GlobalFoundries)等中國大陸之外的代工企業(yè)承接，臺(tái)積電則占據(jù)著中國大陸代工市場的最大份額。目前，中國大陸客戶業(yè)務(wù)收入所占中芯國際營業(yè)額的比重不到40%，且0.18μm～65nm生產(chǎn)工藝芯片代工業(yè)務(wù)占據(jù)了中芯國際收入的近90%，而45nm～40nm高端生產(chǎn)工藝芯片代工業(yè)務(wù)幾乎全部由其他代工企業(yè)承接。當(dāng)前國內(nèi)重點(diǎn)設(shè)計(jì)企業(yè)的技術(shù)水平已經(jīng)達(dá)到40nm，并且正在研發(fā)28nm的芯片，已無法在中國大陸境內(nèi)找到芯片代工企業(yè)。因此由于中國大陸芯片制造代工企業(yè)在芯片生產(chǎn)工藝以及可靠性、設(shè)計(jì)服務(wù)上的差距，中國大陸較大的集成設(shè)計(jì)企業(yè)普遍尋求海外代工。

23D封裝技術(shù)商用量產(chǎn)沖擊我國現(xiàn)有行業(yè)格局

2013年，3D封裝技術(shù)經(jīng)過多年研發(fā)積累后將正式形成商用量產(chǎn)。目前Intel和三星等全產(chǎn)業(yè)鏈企業(yè)、臺(tái)積電和臺(tái)聯(lián)電等芯片制造代工企業(yè)以及芯片封裝代工企業(yè)日月光(臺(tái))和矽品(臺(tái))相繼發(fā)布3D封裝量產(chǎn)計(jì)劃。臺(tái)積電宣布2013年年初正式推出3D封裝服務(wù)。臺(tái)聯(lián)電的3D封裝線于今年第四季度邁入產(chǎn)品實(shí)測階段，并于2013年正式商用量產(chǎn)。3D封裝的商用量產(chǎn)將沖擊大陸行業(yè)格局，具體表現(xiàn)在以下幾個(gè)方面：

一是3D封裝使封裝行業(yè)的技術(shù)門檻大幅提高。從傳統(tǒng)的產(chǎn)業(yè)鏈分工看，封裝測試業(yè)與芯片制造、芯片設(shè)計(jì)業(yè)相比技術(shù)門檻較低，但隨著“3D封裝”從概念到產(chǎn)品的逐漸實(shí)現(xiàn)，全球集成電路封裝業(yè)將迎來技術(shù)革命。二是封裝行業(yè)與制造行業(yè)可能發(fā)生融合。由于封裝環(huán)節(jié)大幅提升了產(chǎn)品的附加值，芯片制造代工企業(yè)也開始介入封裝領(lǐng)域，臺(tái)積電宣布2013年推出3D封裝業(yè)務(wù)，這是芯片制造業(yè)與封裝業(yè)融合發(fā)展的重要開端。三是封裝企業(yè)將形成兩極分化，龍頭企業(yè)的生產(chǎn)規(guī)模、利潤增加，中小企業(yè)競爭更加激烈，并加快落后企業(yè)及落后產(chǎn)能的淘汰。

3東部地區(qū)制造、封裝企業(yè)面臨產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移與轉(zhuǎn)型升級(jí)雙重壓力

集成電路產(chǎn)業(yè)是資金密集型、知識(shí)密集型產(chǎn)業(yè)，但隨著全球集成電路市場競爭的日益激烈，集成電路企業(yè)開始愈來愈看重成本問題。隨著沿海地區(qū)勞動(dòng)成本、土地成本的升高，東部集成電路制造、封裝企業(yè)面臨要么產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移、要么轉(zhuǎn)型升級(jí)提高利潤的兩難選擇。東部沿海地區(qū)芯片制造、封裝測試企業(yè)與中西部企業(yè)相比，用工成本、土地成本在不斷上升，同時(shí)由于國家高度重視中西部地區(qū)的發(fā)展，中西部地區(qū)吸引了大量投資，聚集了大批人才，而東部沿海地區(qū)原有的人才、資金優(yōu)勢正逐漸弱化。但產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移的資本投入較高，中小型企業(yè)不具有轉(zhuǎn)移的資金實(shí)力，而大企業(yè)又因?yàn)榘l(fā)展慣性整體轉(zhuǎn)移的可行性不強(qiáng)，企業(yè)的轉(zhuǎn)移能否成功很大程度上取決于中西部地區(qū)的優(yōu)惠政策是否有足夠的吸引力。

2013年芯片制造業(yè)、封裝業(yè)的另一個(gè)迫切問題是如何轉(zhuǎn)型升級(jí)。東部沿海制造、封裝企業(yè)在喪失地域優(yōu)勢的情況下，如果不能在技術(shù)和模式上轉(zhuǎn)型升級(jí)，將很難在激烈的市場競爭中生存下來。贏利能力強(qiáng)、財(cái)務(wù)狀況較好的大企業(yè)必須通過技術(shù)研發(fā)、并購重組提高競爭力，而贏利能力差、利潤率低的企業(yè)能夠支付的研發(fā)費(fèi)用非常有限，將面臨不轉(zhuǎn)型“等死”，轉(zhuǎn)型“找死”的嚴(yán)峻困境。

4我國大陸地區(qū)終端芯片設(shè)計(jì)企業(yè)面臨聯(lián)發(fā)科強(qiáng)勢挑戰(zhàn)

智能終端芯片一直占大陸集成電路設(shè)計(jì)業(yè)的很大比重，也是產(chǎn)業(yè)增長的主要?jiǎng)恿χ?。但大陸的智能終端芯片產(chǎn)品大部分處于中低端，產(chǎn)品的主要競爭力來自于低廉的價(jià)格，隨著聯(lián)發(fā)科、高通等企業(yè)紛紛布局中低端芯片產(chǎn)品，大陸智能終端芯片企業(yè)恐面臨半導(dǎo)體巨頭的強(qiáng)勢挑戰(zhàn)。2013年，在中低端智能手機(jī)芯片領(lǐng)域，聯(lián)發(fā)科將對(duì)中國大陸企業(yè)產(chǎn)生巨大沖擊。2012年上半年，聯(lián)發(fā)科在全球智能手機(jī)應(yīng)用處理器的業(yè)務(wù)量較去年同期增長13倍，聯(lián)發(fā)科智能終端芯片的高速增長主要得益于中國大陸中低端智能機(jī)市場的旺盛需求。聯(lián)發(fā)科的強(qiáng)勢回歸對(duì)中國大陸企業(yè)的沖擊體現(xiàn)在以下兩個(gè)方面：首先聯(lián)發(fā)科各項(xiàng)技術(shù)、產(chǎn)品的布局非常完整，其擁有應(yīng)用處理器、基帶芯片、無線網(wǎng)絡(luò)芯片和射頻芯片等智能終端芯片的全部設(shè)計(jì)技術(shù)。其次聯(lián)發(fā)科善于整合一體化的芯片研發(fā)平臺(tái)，更加注重技術(shù)短板的彌補(bǔ)和解決方案的整合，在技術(shù)集成、成本控制、產(chǎn)品戰(zhàn)略等方面具有豐富的經(jīng)驗(yàn)。

半導(dǎo)體市場2012年收入降5%智能手機(jī)成救命稻草

縱觀全球，2012年整個(gè)半導(dǎo)體市場收入降近了5%，僅2000多億美元。與2011年相比，排名前20的半導(dǎo)體廠商中，15家的半導(dǎo)體產(chǎn)品收入在2012年普遍下降，其中包括英特爾、三星、德州儀器、意法半導(dǎo)體等廠商。目前，只有少數(shù)幾家公司已控制住下降趨勢，整個(gè)市場收益依然呈下滑趨勢。在半導(dǎo)體市場不景氣的情況下，持續(xù)增長的智能手機(jī)市場成為該市場的救命稻草。

從2011年至2012年，由于智能手機(jī)平臺(tái)芯片和無線連接集成電路，半導(dǎo)體市場的收入較上年增長近30%，這有利于一些大公司在整個(gè)半導(dǎo)體市場低迷的一年中起死回生。半導(dǎo)體業(yè)務(wù)主管彼得·庫尼提到：“在這個(gè)市場上的競爭是十分激烈的，所以擁有較強(qiáng)的市場地位就是很好的收益”。

分析師表示，從邏輯學(xué)的角度來說收入的增長不會(huì)一直持續(xù)下去，加之半導(dǎo)體市場正在面臨平臺(tái)芯片與連接電路整合所出現(xiàn)的一些不利因素。另一方面，由于許多高知名度的企業(yè)紛紛退出市場，占主導(dǎo)地位的供應(yīng)商的收入仍有巨大的增長潛力。預(yù)計(jì)2013年，其收入將會(huì)增長13%，但是從2014年起，收入增長速度將明顯放緩。

同時(shí)，庫尼指出：在過去的幾年中，曾經(jīng)占有主導(dǎo)地位的廠商紛紛離開手機(jī)集成電路市場。飛思卡爾和德州儀器兩個(gè)公司都已經(jīng)退出，進(jìn)而關(guān)注更多的工業(yè)市場。意法半導(dǎo)體公司日前宣布該公司將退出其與愛立信的合資公司。具有高知名度公司的退出表明了手機(jī)市場上的激烈競爭，三星和華為公司的垂直整合策略也說明競爭只會(huì)有增無減。

（出自：移動(dòng) Labs）

GSA:今年大陸IC設(shè)計(jì)產(chǎn)值達(dá)人民幣680億元

全球半導(dǎo)體聯(lián)盟（GSA）日前發(fā)布「2012中國IC設(shè)計(jì)產(chǎn)業(yè)現(xiàn)況報(bào)告」。預(yù)估今年中國IC設(shè)計(jì)產(chǎn)業(yè)全球占比將達(dá)13.61%、產(chǎn)值達(dá)到人民幣680億元，年增8.98%。

這項(xiàng)報(bào)告是由中國半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)積體電路設(shè)計(jì)分會(huì)理事長魏少軍所進(jìn)行的調(diào)查再進(jìn)行更新整理。

GSA調(diào)查，2012年中國IC設(shè)計(jì)產(chǎn)業(yè)占全球IC設(shè)計(jì)產(chǎn)業(yè)的13.61%。雖然整體規(guī)模仍然相對(duì)較小，但長期來看中國龐大的內(nèi)需市場以及擁有大量工程人才的潛力已備受全球矚目。

GSA統(tǒng)計(jì)，今年全中國IC設(shè)計(jì)產(chǎn)業(yè)銷售額預(yù)估達(dá)到人民幣680億元（逾108億美元)，年增8.98%。盡管全球半導(dǎo)體市場現(xiàn)今面臨許多挑戰(zhàn)，中國在未來幾年將扮演影響全球市場成長的重要角色。

GSA強(qiáng)調(diào)，隨半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)進(jìn)入「后摩爾時(shí)代」的不確定性增加，技術(shù)路線的定義也漸趨模糊。面對(duì)這樣的改變，中國IC設(shè)計(jì)公司應(yīng)做好萬全準(zhǔn)備，包括報(bào)告中所提及的，全面提升物理設(shè)計(jì)能力、建立堅(jiān)強(qiáng)的設(shè)計(jì)團(tuán)隊(duì)等。

由于在先進(jìn)制程高額投資將使IC設(shè)計(jì)公司及晶圓制造廠的合作關(guān)系更加緊密，GSA分析IC設(shè)計(jì)公司應(yīng)與晶圓廠建立新的戰(zhàn)略合作夥伴關(guān)系；中小型IC設(shè)計(jì)公司的創(chuàng)新能力持續(xù)是「后摩爾時(shí)代」成功的關(guān)鍵因素之一。