頂級物料

和傳統的場效應管不同，驅動式場效應管是將傳統MOSFET供電中分離的兩組場效應管和驅動IC芯片以更加先進的制程整合在一片芯片中。三合一封裝的DrMOS面積是分離MOSFET的1/4，功率密度是分離MOSFET的3倍，增加了超電壓和超頻的潛力。它能夠在主板高負荷運作時，讓主板獲得高的用電效率，減少能源浪費，進而達到省電的效果。而在超頻效果方面，DrMOS的超低電源反應時間和低電阻特性，也能力助極限超頻玩家取得更好的超頻成績。目前，這種供電元件主要使用在高端主板上，而它在華碩、技嘉、微星等品牌的主板上的使用范圍則更加廣泛。