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電子俘獲材料的研究現狀及在紅外檢測方面的應用

2011-05-11 06:45:45李健雄趙麗娟
中國光學 2011年2期
關鍵詞:檢測研究

李健雄,余 華,李 珣,趙麗娟

(南開大學物理科學學院,天津300071)

電子俘獲材料的研究現狀及在紅外檢測方面的應用

李健雄,余 華,李 珣,趙麗娟

(南開大學物理科學學院,天津300071)

電子俘獲材料在輻射劑量測定、光信息處理、光存儲、紅外光檢測等許多技術領域具有廣泛的應用。本文詳細介紹了電子俘獲材料的發光原理、材料種類、制備方法以及研究現狀,并針對該材料在紅外光檢測方面的應用,提出了在室溫下該材料存在紅外光檢測上限的觀點。針對電子俘獲材料存在性質不穩定及在制備過程中需用到硫化類材料易造成污染等問題,建議進一步改進材料制備方法。最后,文中指出玻璃陶瓷類電子俘獲材料會有很好的發展前景,并對該種材料未來的發展前景進行了展望。

電子俘獲材料;光激勵發光;紅外激光檢測

1 引 言

電子俘獲材料這個概念最早是在1988年由Lindmayer提出來的[1],它通常是指摻雜一種或一種以上的稀土元素,并且具有寬帶隙的化合物。這種材料能將受激后產生的電子或空穴以陷阱的形式較長時間地停留在較高的能量上,形成對受激能量的客觀存留,因而被形象地稱為電子俘獲材料。

隨著激光技術的發展,電子俘獲材料的應用研究已經擴展到了輻射劑量測定、光計算、光信息處理和光存儲等許多新興技術領域,并且對于一些以特殊基質,經適當方式引入稀土激活中心制得的電子俘獲材料,利用其在室溫下可將紅外光轉換為可見光的特性,可實現在紅外探測和紅外上轉換成像等方面的應用,因此,電子俘獲材料具有很廣闊的發展前景。

2 電子俘獲材料的光儲存和發光原理

電子俘獲材料屬于光激勵發光材料,圖1描述了一個簡單的光激勵發光過程[2]。材料受某一頻率的電離輻射后,電子從價帶躍遷到導帶形成自由電子和空穴(過程1);自由電子被俘獲并暫時處于陷阱中一段時間(過程2,4);此后的某一時間,儲存在陷阱中的電子和空穴在受可見光或紅外光激勵時脫離陷阱(過程3,5),又處于自由狀態;這些自由電子和空穴可以在材料中的某些發光中心離子的局域能級上發生復合,而把它們所帶的能量以一定波長的能量(hυ)釋放出來(過程6,7,8)。要實現光激勵發光就需要合適的基質禁帶寬度以及禁帶存在的能留住電子的定域能級。定域能級的深淺直接受基質晶格環境的影響,也間接受雜質原子、晶格缺陷,以及一些破壞晶格周期性因素的影響。定域能級的不同,直接影響了激勵,并導致激勵發光的不同。通過選擇不同基質以及摻雜(缺陷),就得到了不同波段的激發與激勵。

圖1 光激勵發光簡單機理示意圖Fig.1 Schematic digram of photostimulated luminescent mechanism

目前國際上對電子俘獲材料的光存儲和發光機制尚不完全清楚,主要模型有:導帶轉移模型、電子的隧穿轉移模型、兩種情況交叉在一起的模型等[3,4]。這些模型說明了光存儲過程中電子遷移即能量傳遞的流向,但是在對光存儲效能的影響和發光機制機理方面還沒有很深入的研究,尤其是對這個過程中摻雜稀土離子的變化的研究,還有很多工作要做,如何最大限度地俘獲能量,并按照不同的使用條件釋放能量都有待進一步研究。

3 電子俘獲材料的分類

3.1 堿土金屬氟鹵化物

堿土金屬鹵化物分子表達式為MFX(M= Ba,Sr,Ca;X=Cl,Br),主要摻雜二價稀土離子(Eu2+,Sm2+)。典型代表是BaFCl:Eu2+,這種材料用X射線激發,激勵光波段為400~700 nm,發射光波長為380~400 nm。此類型材料中,主要的電子陷阱是陰離子空位,發光中心是稀土離子。由于其光學性質使得此材料可以制作成X射線影像存儲材料,因此在醫療、工業探傷等領域具有廣闊的前景,受到了國內外學者的高度重視。M.Secu等人制作出了此類電子俘獲材料并對其光學性質進行了研究[5]。孟憲國[6,7]等人提出BaFCl:Eu2+材料存在空穴型俘獲,與吸收光譜中270、315和378 nm處的吸收峰相對應,并對此材料的色心以及能量傳遞做了深入的研究。Tracy Massil[8]等人通過光譜燒孔的方法觀測到了材料BaFCl:Sm3+在X射線照射時Sm2+離子的生成,為此材料在X射線儲能過程中Sm3+俘獲電子轉變成Sm2+的理論解釋提供了有力的證據。另有很多的科研人員也對該類材料的發光過程、溫度效應、電子陷阱以及紫外線的增強效應等進行了大量的研究工作[9~13]。

3.2 堿金屬鹵化物

典型的堿金屬鹵化物有 KCl:Eu2+,NaCl:Eu2+,KBr:Eu2+等。此類材料可用紫外光激發,激勵光在綠光波段,發光在藍光波段。一般認為這類材料中電子陷阱是陰離子空位,發光中心是Eu2+離子。孫力等人采用固相反應法制備了NaCl:Eu2+粉末樣品并進行了光譜測量,研究了它的光學性質[14]。M.HashimaI.Aguirre de Cárcer等人制備并研究了KCl:Eu2+材料的光學性質并提出利用此材料可以制作輻射劑量計來測量太陽光中的紫外光強度[15]。M.Hashima等人研究并發現了KCl:Eu2+材料在離子輻射下的光激勵發光過程中的電子俘獲區域有別于X射線輻射,從而影響到了材料的發光強度,這一結論對于此材料在中子劑量強度應用方面十分重要[16]。E.V.Mejía-Uriarte等人也研究了Eu2+離子的納米結構尺度對 KBr:Eu2+材料發光性質的影響[17]。S.Nagarajan等人在 KCl:Eu2+材料中摻雜了元素Tl+,通過光譜測試得出通過Tl+向Eu2+的能量傳遞,可以提高 Eu2+的發光強度[18]。S.A lvarez-Garc等人也分別對上述3種材料對紫外光的感應進行了研究[19]。

3.3 稀土氧化物

Vasyl G.K.報道了一類稀土氧化物類新型電子俘獲材料[20]。他首先把原材料壓制成直徑為20 mm,厚度為5 mm的小圓片,再在900℃燒結4~7 h,采用冷卻至室溫的方法把稀土元素Eu2+和Sm2+摻入氧化物Y2O3中。此材料的激發光波長為 250 nm,激勵光波長為 650 nm或1 064 nm,輸出光波長為610 nm。Vasyl G.K.還從實驗和理論上研究了稀土電子俘獲光存儲材料的存儲密度。謝偉[21]等人也報道了 Y2O3單摻Eu3+材料具有一定的陷阱能級深度,可以實現電子俘獲。

3.4 氟氧化物玻璃陶瓷

這種類型電子俘獲材料的研究是近幾年才開始的。作為光存儲材料時,玻璃陶瓷材料的分辨率比粉末狀態的材料分辨率高,但是由于玻璃陶瓷基質中存在大量的無輻射躍遷,嚴重影響了光激勵發光的效率。但為了提高分辨率,這種效率的犧牲是值得的。王欣姿[22]等人利用高溫固相法制備出了一種Eu2+摻雜的氟氧化物玻璃陶瓷,并研究了其光激勵發光特性,得出此材料可以用紫外線激發,其光激勵發光峰和激勵峰分別位于447和543 nm,通過實驗得出:摻雜稀土元素的氟氧化物玻璃陶瓷與BaFCl:Eu2+相比具有較緩慢的讀出衰減性質。以ZnF和SiO2為主要基質制備的氟氧化物陶瓷電子俘獲材料已經取得一定進展,但還需要做進一步的研究。

3.5 堿土金屬硫化物

此類材料屬于堿土金屬硫化物型(Alkaline Earth Sulfide,AES)電子俘獲材料(AE=Ca,Sr)。典型的材料有SrS:Eu2+,Sm2+;CaS:Eu2+,Sm2+;CaS:Ce2+,Sm2+等。也有報道單稀土離子摻雜材料,如CaS:Ce2+。這種材料一般可以用紫外光或可見光激發,激勵光波段在紅外區,響應光譜范圍廣(0.8~1.6 μm),可發出可見光。對于非稀土摻雜材料ZnS:Cu,Pb,Mn可受460 nm以下的紫外及可見光激發,紅外響應波段廣,可發出可見光。

姜薇薇[23,24]、劉艷平[25]和王玉霞[26,27]等人分別利用液相法、碳還原法和高溫固相法制備了SrS:Eu2+,Sm2+材料并進行了光譜測量。劉艷平等人[28~30]提出了此材料可以實現輻射劑量的測量。盧利平等人[31~34]利用同樣方法得到了CaS:Eu2+,Sm2+材料并分析了煅燒溫度與煅燒時間對材料發光強度的影響,也對其發光原理進行了分析。Vijay Singh[35]和段小霞[36]等人利用高溫固相法分別制備了 CaS:Ce2+和 SrS:Eu2+,Dy2+材料,并進行了一系列的光學測試。H.Nanto等人[37]通過對材料CaS:Eu2+,Sm2+的制備以及光譜測試,提出可以用此材料制作X射線和紫外線成像傳感器。張希艷等人分別利用碳還原法和微波合成法制備了CaS:Eu2+,Sm2+材料[38,39],并對其進行了性能表征。謝大兵等人[40,41]制備出了非稀土類材料ZnS:Cu,Pb,Mn并對其發光原理進行了研究。

4 電子俘獲材料的制備

4.1 高溫固相法

高溫固相法是通過離子的擴散和遷移形成基質,發光中心在此過程中同時摻雜進入基質的晶格場中。所使用原料的最佳比例需通過實驗獲得,且需要通過球磨達到原材料的充分混合和粒度要求,在一定的灼燒溫度,灼燒時間和不同氣氛下進行材料的合成。為了在較低的溫度下合成材料,通常會添加堿金屬或堿土金屬化合物充當助熔劑,在燒制完成后通過水洗除去。

王玉霞[27]等人采用傳統的高溫固相法制備了SrS:Eu2+,Sm2+光激勵發光材料。其過程為采用SrCO3,S粉,Eu2O3,Sm2O3為起始原料,按照化學計量比稱取原料,在混合原料配制過程中,再加過量25%(摩爾分數,下同)的 S粉和1%的NH4Cl;然后,將原料混合球磨3 h,最后將混合原料置于高溫電阻爐中,在1 000℃還原氣氛下灼燒1 h,獲得樣品。張希艷[38]等人為了在實驗過程中不使用硫磺,采用反應物碳兼作還原劑的制備方法,克服了傳統高溫固相法制備電子俘獲材料反應生成有害物質,污染環境,硫粉加入量難以控制等問題,并申請了專利。

高溫固相法是一種傳統的材料合成方法,重復性好,便于操作和控制,但是反應溫度高、能耗大、時間長、粒度大也是其不可回避的缺點。

4.2 自蔓延高溫燃燒法

自蔓延高溫燃燒法克服了高溫固相法制作工藝周期長的缺點,得到了較好的發展。它是利用物質反應熱自傳導作用使物質間發生化學反應,在極短的時間內形成化合物的一種高溫合成方法。通常選取硝酸鹽和含有碳酰肼官能團的有機物在一定的預熱下發生氧化還原反應,利用產生的反應熱快速推進材料的制備。

盧利平[34]等人通過將一定比例的尿素、甘氨酸、輔助氧化劑硝酸銨、Ca(NO3)2·4H2O和S粉以及純度為99.99%的稀土氧化物Eu2O3,Sm2O3進行混合,利用金屬硝酸鹽的結晶水將反應物直接混研形成燃燒料漿,置于坩堝中放入事先預熱到600℃的馬弗爐中,觀察到溶液很快起泡、沸騰、燃燒,同時放出大量氣體并伴隨有SO2刺激性氣味。反應過程為2~3 min,冷卻后得到紅色疏松多孔的CaS:Eu2+,Sm2+上轉換發光材料樣品。

自蔓延高溫燃燒法具有軟化學合成方法的化學計量比準確、組分分布均勻、設備簡單、合成溫度低、無需提供還原氣氛、省時節能等優點。但是該方法同時也具有對爐體的損害大,難于控制和重復性差等缺點。

4.3 液相法

由于上面兩種方法制備的材料顆粒較大,發光效果不是十分理想,因此發展了液相法。液相法是選擇一種或多種合適的可溶性金屬鹽類,按所制備的材料組成計量配制成溶液,使各元素呈離子或分子態,再選擇一種合適的沉淀劑或用蒸發、升華、水解等操作,使金屬離子均勻沉淀或結晶出來,最后將沉淀或結晶物脫水或者加熱分解而得到所需粉體。

姜薇薇[24]利用液相法制備了 SrS:Eu2+,Sm2+粉體,其具體過程為按照化學計量比稱量原料SrCO3,S,Eu2O3,Sm2O3和LiF,將Eu2O3和Sm2O3溶解于硝酸中,加入氨水使溶液中和,再向溶液中加入SrCO3和LiF,充分溶解得到混合溶液,然后將混合液在120℃下烘干24 h,再將烘干后的干燥粉末與一定量的S充分混合,在高溫電阻爐中于750~1 200℃的還原性氣氛下燒制0.5~3 h,最后得到SrS:Eu2+,Sm2+樣品。

該合成方法簡單方便、成本低、合成的產品發光效果好,但仍存在反應溫度高、能耗大、時間長等缺點。

4.4 微波加熱法

高溫固相法、自蔓延高溫燃燒法、液相法都需要在高溫環境下合成材料,能耗較大,而微波加熱法很好地解決了這一問題。常規加熱是由外部熱源通過熱輻射由表及里的傳導式加熱,而微波加熱是材料在電磁場中由介電損耗而引起的體內加熱。利用一些具有吸收微波產生高溫的化合物或者單質,在微波場中可以直接快速合成發光材料。

張希艷[39]等人利用上述方法制備了電子俘獲材料 CaS:Eu2+,采用 CaCO3,S粉,Eu2O3,Sm2O3,LiF,Li2CO3,K2C2O4,Na2CO3作為原料,按照一定的化學計量比稱取各試樣,采用濕法進行原料的混合,干燥后的原料置于瓷坩堝內,然后放入微波爐中,加熱11~15 min獲得樣品。張希艷通過研究Eu2+的濃度與材料發光性能以及熒光衰減變化的關系,得出了Eu2+的最佳摻雜濃度為0.6%摩爾分數,并申請了專利。

微波加熱法操作簡便、設備簡單、反應快,制備出的材料力度較小。但由于在使用微波爐時無法直接控制微波的強度,因此實驗重復性不高,也無法準確描述實驗條件。

4.5 溶膠-凝膠法

以硫化物為基質的電子俘獲材料長期暴露于濕氣中會緩慢發生化學反應,從而降低發光特性,限制了其應用,所以很多研究者利用溶膠-凝膠法對材料進行表面包膜處理,獲得了包覆氧化硅或氧化鋁膜層的電子俘獲材料。

張希艷[42]、Hyoung-Seok Do[43]和 Nursen Avci[44]等人利用這種方法分別制備出了被包覆的電子俘獲材料。具體過程為將正硅酸乙酯、無水乙醇、去離子水按不同比例混合,滴加氨水調節溶液的pH值為8~10,置于30~80℃恒溫水浴箱中攪拌,待混合液成為溶膠時加入質量分數為20%的正硅酸乙酯電子俘獲材料,加熱攪拌,待發光粉膨脹疏松后超聲分散2~3 min,120℃烘干、500℃熱處理1 h即得到包覆了氧化硅膜層的紅外轉換發光材料。對于包覆氧化鋁的電子復活材料的制造工藝與上述過程大同小異,使用的是氧化鋁溶膠。

5 電子俘獲材料在紅外檢測中的應用

電子俘獲材料可把紅外光轉化成可見光,且紅外光響應波段為800~1 400 nm,因此可實現紅外光探測[45~47]以及在夜視領域的應用[48]。

為了更直觀地了解電子俘獲性材料在紅外檢測應用方面的前景,把5種材料的光激勵激發光譜用圖2示出。

根據圖2的光譜圖可以看出,材料SrS:Eu2+,Sm2+,CaS:Eu2+,Ce2+和Y2O3:Eu2+均可用紅外光激發,并發出可見光。如把上述3種材料物理混合到一起,除了(800±50)nm的區域,混合物的紅外響應波段幾乎覆蓋800~1 400 nm的整個波段,將這種混合物制成探測卡片將有利于不同波長紅外激光的檢測。另一方面,由于不同波長的紅外光激發電子俘獲材料可以發出不同顏色的可見光,如圖3所示。那么此材料就可實現紅外光波段的檢測,這對于多種波長紅外光的檢測是十分方便的。從以上的分析可以看出,電子俘獲材料在紅外檢測方面有著較好的發展前景。

圖2 不同材料的光激勵激發譜Fig.2 Photostimulated excitation spectra

圖3 不同材料的光激勵發光譜Fig.3 Photostimulated luminescence spectra

6 電子俘獲材料紅外檢測上限問題

通過上述對光激勵激發譜的研究可以發現,電子俘獲材料對于紅外光波段具有很廣泛的響應波段(800~1 400 nm),在紅外檢測應用方面有著很好的發展潛力。但是從目前的報道情況來看,并沒有發現某種電子俘獲材料可以實現遠紅外光的檢測。從理論上講,通過向材料摻雜某些金屬元素可以使材料色心能級的深度變淺,使得光激勵激發光的波段發生紅移。如余華[49]等人就研究了在 BaFBr:Eu2+中摻雜不同的金屬離子對BaFBr:Eu2+激勵波長的影響,并制備出BaFBr:Eu2+,Al3+材料,其發光峰位于390 nm,最佳激勵波長為650 nm,與未摻雜金屬離子的BaFBr:Eu2+的激勵波長位置比較可知其激勵波長發生了紅移。從以上實例可以看出,只要通過某些方法,把色心能級的深度變得足夠淺,那么檢測遠紅外光是可以實現的。

電子俘獲材料屬于短余輝材料,即存在熱致釋光,因此材料的發光性質與材料所處的環境溫度有著緊密的聯系。如果電子俘獲材料的色心能級深度很淺,那么被陷阱捕獲的電子就可能依靠吸收室溫下聲子的能量而被激發釋放到導帶上,從而發生復合發光。換言之,如果對這種材料進行光激勵時,電子會由于室溫下的熱激勵作用無法被陷阱所捕獲,那么這種色心能級深度較淺的電子俘獲型材料將不能在室溫下進行儲能,也就無法進行之后的光激勵發光的過程。通過以上的分析,可以得出這樣的結論:進行紅外檢測時,電子俘獲材料由于熱激勵的作用,在室溫下檢測的紅外光波段存在閾值。為了更好地說明室溫下熱致發光對紅外檢測的影響,可以進行半定量計算。

首先假設存在一種色心能級深度較淺的電子俘獲型材料,并且此種材料具有如圖4所示的熱致發光曲線峰形。利用Chen的峰形法[50],通用級數激活能表達式如下:

α可選擇為τ,δ或ω(見圖3),此處選擇δ,其中τ=Tm-T1,δ=T2-Tm,ω=T2-T1。Tm是熱釋光峰的最高峰溫,此處取室溫為298.15 K,T1和T2分別是高溫半寬和低溫半寬時對應的溫度,此處可取T1=278.15 K,T2=323.15 K。κ為玻爾茲曼常數,cα和 bα的表達式由 τ,δ和 ω決定。μg=δ/ω,為幾何因子。G.Kitis[51]等人在 Chen的基礎上重新評估了幾何因子μg與動力學級數b以及系數cα和bα與動力學級數b的關系。計算可得μg=(T2-Tm)/(T2-T1)=0.555 56,利用下式:

圖4 電子俘獲材料的熱釋發光曲線Fig.4 Thermoluminescent spectra

可計算出此時的系數cδ=1.965 556,bδ=0。代入到激活能表達式可得此假設的電子俘獲型材料的色心能級深度E。

再利用普朗克公式,可以求出在光致發光中激勵光能量與室溫下熱致激活能相等時所對應得光的波長。代入數據可計算出,此時的波長約為2 062 nm。這就說明如果被俘獲的電子需要用2 062 nm的光激勵就能從陷阱中越出,從而發光,那么如果把此材料放到室溫298.15 K下就可以通過吸收聲子的能量而進行熱致發光。那么2 062 nm就是電子俘獲材料在室溫下紅外光響應波段的閾值。

由于上面計算出來的結果是在假設電子俘獲材料具有圖4所示的熱致發光圖的前提下而得出來的,并且計算中用到的一些參數與峰形具有直接關系,所以下面對假設的圖形對計算結果的誤差影響進行定性分析。首先,如果 α選擇 δ,則bδ=0,那么通用級數激活能表達式E的第二項也等于零。對于 μg=(T2-Tm)/(T2-T1),由 T1,Tm,T2的定義可得μg必定<1,且一般情況下都在0.5附近。同樣可以通過計算公式估算出cδ必定<5.21,α的數值通常情況下都會在30到60之間。所以,雖然以上的結果是在假設峰形的基礎上算出來的,但由于與峰形直接聯系的系數對計算結果的影響不大,因此其結果仍具有一定的理論價值。

通過上面的計算與分析可以較為直觀地看出,在室溫下,電子俘獲型材料的確會存在一個紅外光檢測波段的閾值,這與當初的分析結果吻合。

7 結束語

電子俘獲材料在紅外檢測應用方面極具優勢,材料制作簡單,商品可實現卡片化,使用便捷,而且紅外光響應波段廣,從理論上講可以實現紅外光全波段的檢測,這是其他材料所無法比擬的。但由于電子俘獲材料存在熱激勵發光現象,使得在室溫下進行紅外光檢測時會存在響應波段閾值,無法在實際中檢測較長波段的紅外光,這使得電子俘獲材料在紅外激光檢測這一應用上受到很大的限制。由于受材料發光原理的制約,其發光的衰減速度很快,因此在使用上需要不斷地儲能。

對于材料本身,電子俘獲型材料也存在性質不穩定問題,如易潮解,而且對光、熱不穩定,在有機溶劑中溶解度大等。另外,在制備過程中也由于用到硫化物類材料,極易造成污染。

要克服上述問題,必須突破現有的類型,制備性能更優異、穩定、實用和環境友好型電子俘獲光存儲材料。研究表明,玻璃陶瓷類的電子俘獲材料將會具有很好的發展前景,此材料是通過向玻璃陶瓷中摻雜稀土元素來實現的,所以在材料制備過程中不會用到硫化物,可以從根本上解決性質不穩定、污染環境等問題。已有文獻報道[22],摻雜稀土元素的氟氧化物玻璃陶瓷與通常的電子俘獲型材料相比具有較緩慢的發光衰減性質,在使用上也會減少其儲能的次數,解決使用不便的問題。當然,玻璃陶瓷類電子俘獲材料也存在著很多問題,例如由于玻璃陶瓷材料中貢獻于光激勵發光的電子和空穴俘獲中心的濃度過低,使得氟氧化物玻璃陶瓷的光激勵發光強度還很弱。玻璃陶瓷類的電子俘獲材料仍屬于新型材料,還需要進一步的研究。

在本文介紹的材料制備方法中,各自存在著不同的缺點,至今仍無法找到一種制備時間快、無需還原性氣氛、不產生有毒氣體、重復性高的制備方法,這也在一定程度上限制了電子俘獲材料發展。因此需要改進制備技術,為其實用化提供先決條件。

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Recent progress in rare earth electron trapping materials and application to infrared detection

LI Jian-xiong,YU Hua,LI Xun,ZHAO Li-juan

(School of Physics,Nanκai Uniυersity,Tianjin 300071,China)

Electron trapping materials have been more widely used in the areas of radiation dosimetry,optical information processing,optical storage and infrared detection,etc..This paper reviews the mechanism of photostimulated luminescence,material types,preparation methods and research progress of the electron trapping materials.On the basis of the applications of the materials to infrared detection,it points out that the detected infrared laser wavelength could exist a detecting threshold under the room temperature.For the shortcomings of the materials in unstable property and easy to cause environmental pollution by the sulphide in preparation processing,it suggests that the preparating method should be improved.Moreover,it emphasizes that the electron trapping materials based on glass ceramics will be promissing materials and prospects the future development of the materials.

electron trapping material;photostimulated luminescence;infrared laser detection

天津市自然科學基金重點項目(No.09JCZDJC16700);物理學基礎科學研究和教學人才培養基地(No.J0730315);南開大學百項工程項目(No.BX7-176);中央高校基本科研業務費專項資金資助項目(No.65010831)

O482.31;TN219

A

1674-2915(2011)02-0093-10

2010-10-11;

2011-01-23

李健雄(1988—),男,天津人,學士,主要從事凝聚態物理方面的研究。

E-mail:lijianxiong@mail.nankai.edu.cn

余 華(1978—),男,天津人,博士,碩士生導師,主要從事固體發光學方面的研究。

E-mail:yuhua@nankai.edu.cn

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