我國(guó)半導(dǎo)體照明技術(shù)發(fā)展路線圖

在2004年年底，當(dāng)時(shí)為了更好的指導(dǎo)我國(guó)半導(dǎo)體照明產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，并充分考慮到我國(guó)的實(shí)際情況，國(guó)家半導(dǎo)體照明工程項(xiàng)目管理辦公室制訂了中國(guó)第一部半導(dǎo)體照明技術(shù)發(fā)展路線圖，具體技術(shù)指標(biāo)如下圖所示。

2004年年底，用藍(lán)光+黃色熒光粉制成的標(biāo)準(zhǔn)φ5白光 LED的光效只有60～70 lm/W，而大功率1W白光LED的光效只有25 lm/W左右。在近兩年期間，φ5白光LED的光效已經(jīng)達(dá)到130 lm/W，而1W白光LED的光效也已達(dá)到70～80 lm/W，是2004年指標(biāo)的3倍。LED光效的提高主要是通過(guò)LED外延與芯片結(jié)構(gòu)優(yōu)化，改善內(nèi)量子效率和出光效率得到的，同時(shí)從散熱著手，最大限度地提高LED光電轉(zhuǎn)換的能力。

從國(guó)內(nèi)實(shí)際發(fā)展情況來(lái)看，2006年國(guó)內(nèi)生產(chǎn)的半導(dǎo)體照明用LED芯片和大功率LED的技術(shù)指標(biāo)已經(jīng)超出當(dāng)初的預(yù)期，同時(shí)在成本方面的降低速度也超出了當(dāng)時(shí)的預(yù)期。但2008年的指標(biāo)看來(lái)具有非常大的挑戰(zhàn)性，在5瓦的條件下達(dá)到60lm/W，在今天看來(lái)難度很大。下表1列出了近五年來(lái)的國(guó)產(chǎn)大功率白光LED發(fā)展進(jìn)程:

從表1可以看出，雖然大功率LED的用途是照明，但其發(fā)展規(guī)律和速度更像是半導(dǎo)體行業(yè)，按此速度發(fā)展下去，半導(dǎo)體照明走進(jìn)我們?nèi)粘Ｉ畹哪_步正越來(lái)越近了。