基于專利地圖的國內閃存技術現狀與趨勢分析

〔摘 要〕本文以專利為切入點，應用專利地圖技術，分析了我國閃存專利技術的發展現狀及趨勢，描摹我國閃存技術領域群雄爭霸的競爭格局圖，為把握閃存領域未來技術發展方向，搶占制高點，推進我國閃存技術的跨越式發展盡一己之力。

〔關鍵詞〕專利地圖；閃存技術；現狀；趨勢分析

ＤＯＩ：１０．３９６９／ｊ．ｉｓｓｎ．１００８－０８２１．２０１０．１２．０４２

〔中圖分類號〕Ｇ２５５.５３ 〔文獻標識碼〕Ａ 〔文章編號〕１００８－０８２１（２０１０）１２－０１５０－０５

The Analysis of the Status Quo and Trend of the Flash

Memory Technology in China Based on Patent MapZhong Qin

（School of Management，Shanghai University，Shanghai 200444，China）

〔Ａｂｓｔｒａｃｔ〕From the perspective of patent，this paper used the patent map method to analyze the status quo and trend of the flash memory patent technology in China.It depicted the competing scenario of all the strong competitors in the flash memory technology field.This paper attempted to help grasp the future trend of the flash memory，dominated the competition，and promoted the development of the flash memory technology in China.

〔Ｋｅｙｗｏｒｄｓ〕patent map;flash memory;status quo;trend analysis

據WebFeet網站的統計，截止到2009年10月全球NOR閃存有50億美元的市場［１］。我國的閃存行業正在飛速的發展著。閃存有現在市場需求的兩個優勢：靈活性和微型化。閃存是靈活的、可靠的，而且它的記憶是不揮發的［２］。

專利作為技術信息最有效的載體，囊括了全球90%以上的最新技術情報，比一般技術刊物所提供的信息早5～6年，而且內容翔實準確［３］。專利是關于技術發展和創新行為的有用知識的來源［４］。專利地圖是將包含科技、經濟、法律、生產、經營、貿易在內的各類專利情報通過專用工具軟件數據分類、加工整理、統計分析，繪制成具有地圖指向功能的各種圖表信息，是專利情報的“地圖化”［５］。本文以專利為切入點，應用專利地圖技術，分析我國閃存專利技術的發展現狀及趨勢，意在描摹我國閃存技術領域群雄爭霸的競爭格局圖，把握閃存領域未來技術發展方向，推進我國閃存技術的跨越式發展。

１ 本文的數據來源、分析工具和數據處理方法

本文國內數據指在1999-2009年間在中國公開的有關閃存技術的發明專利，數據來源于中國知識產權網。檢索方法：登陸中國知識產權網（www.cnipr.com），在“專利檢索”欄只選擇“發明專利”，不選擇“實用新型”和“外觀設計”；在“公開（公告）日”填寫為“1999 to 2009”，檢索關鍵詞為“摘要”中含有“閃存”。在中國專利檢索中一共搜到了1 710項發明專利。

在知識產權網的檢索結果頁，利用該檢索平臺的“批量下載”功能，將檢索結果的申請（專利）號、名稱、主分類號、分類號、申請（專利權）人、發明（設計）人、公開（公告）日、公開（公告）號、專利代理機構、代理人、申請日、地址、摘要、國省代碼等信息，以Excel文件的形式保存到本地電腦。

在Excel中對數據進行數據清洗，主要包括：（1）對檢索到的專利文獻進行相關性篩選，將符合條件的專利文獻納入分析數據集。（2）同一概念不同寫法進行規范，以消除同一概念、同一事物不同寫法造成的分析誤差［６］。

然后，利用Excel的分類匯總功能，對清洗過的專利數據的各個字段進行基本統計分析、聚類分析和共現分析，繪制出專利地圖，通過對生成的專利地圖進行分析，得出我國的國內閃存技術現狀與趨勢。

本文的分析工具為Microsoft Excel和Innography的可視化專利分析工具。Innography工具是在線分析工具，它可將公司專利、公司財務情況和法律訴訟情況進行了整合，并通過餅圖、方塊圖、泡泡圖等圖形的形式直觀展示競爭對手的狀況，分析該技術的領域分布及技術成熟度和趨勢。

２ 國內閃存技術的專利地圖分析

２.１ 閃存技術專利申請趨勢圖１ 中國與世界閃存技術領域閃存年公開量示意圖

２０１０年１２月第３０卷第１２期基于專利地圖的國內閃存技術現狀與趨勢分析Ｄｅｃ.，２０１０從圖１中可以看出，從1999-2009年世界閃存技術領域專利年公開量在2008年達到高峰之后，在2009年有些許下降，說明世界閃存技術領域處在成熟期。國內閃存專利公開量始終處于上升的趨勢，說明我國閃存技術領域仍在快速發展上升期，反映了我國閃存行業的企業對自主知識產權的重視正在不斷地提高。

２.２ 閃存技術專利申請省市（地區）分布圖２ 我國閃存技術專利申請的國家、省市、地區分布

從圖２中可以看出：1999-2009年間，在我國公開閃存技術專利的公司中，公開專利數量最多的是韓國公司，其次是中國臺灣地區公司。國內公開專利數量最多的省份是廣東省，其次是上海市，再次是北京市。總體來說，韓國和中國臺灣地區的企業更加傾注于中國的閃存技術市場，他們在中國的閃存專利公開量高于美國和日本，這說明韓國和中國臺灣地區的企業是中國閃存市場的主要競爭者［７］。

２.３ 閃存技術專利申請企業（公司）分布

以下選取在我國公開閃存技術專利總數量前10位的公司進行競爭格局分析。

圖３ 我國閃存技術專利申請的企業、公司分布餅圖

從圖３中可以看出，在1999-2009年間在我國公開申請閃存專利的公司中，公開專利最多的是韓國公司Hynix Semiconductor INC（海力士）公司，總共有144個閃存技術專利。Hynix公司為原來的現代內存，2001年更名為海力士。海力士半導體是世界第二大DRAM（Dynamic Random Access Memory，即動態隨機存儲器）制造商。2004年及2005年全球DRAM市場占有率處于第二位，中國市場占有率處于第一位。緊隨其后的是Samsung Electronics Co.Ltd公司，總共有116個閃存技術專利。這兩個公司在國內閃存技術專利的授權量遠遠高于其他公司，是閃存技術領域的領頭羊。這兩個公司也互相是對方的主要競爭對手。圖４ 在我國公開閃存專利企業的專利數量、專利收入和專利訴訟情況分析

圖４中縱坐標表示各公司的知識產權方面的資產，主要包括專利收入、專利授權和專利訴訟；橫坐標表示各公司的發展前景，主要包括專利數量、專利分類和專利引用數量。從圖中我們可以看出，雖然三星公司公開的專利數量不及海力士公司，但是它在資產和發展前景兩個方面都比海力士公司要出色。三星公司在我國是一家閃存技術領域最為成熟的一家公司。三星公司和海力士公司是閃存技術領域的兩個主要競爭對手。

２.４ 閃存技術領域專利申請重點技術分布

在采集到的中國專利數據中，分別根據IPC號小組進行統計分析，取專利申請量前15個IPC小組進行重點技術排名分析，由此得知閃存技術領域的科研成果、研究動態及重點研發方向。如表１所示。表１ 我國閃存專利重點技術領域

排名我國閃存專利重點技術領域專利量（件）1H01L21/8247(2006.01)812G06F9/445(2006.01)583G11C16/06(2006.01)584H01L27/115(2006.01)455G06F12/02(2006.01)446G06F3/06(2006.01)36 續表１

排名我國閃存專利重點技術領域專利量（件）7G11C16/10(2006.01)368G11C16/06299H01L21/82392910G11C7/10(2006.01)2511H01L27/1052512G11C16/02(2006.01)2413G06F12/001914H04Q7/32(2006.01)1915H01L29/788(2006.01)18

從表１中看出，我國閃存技術專利的重點領域在H01L21/8247（電可編程序的可消除程序化只讀存儲器）、G06F9/445（仿真、軟件模擬的電數字數據處理）、G11C16/06（用于寫入存儲器的輔助電路）。

３ 閃存技術發展趨勢預測

３.１ 我國閃存專利技術鳥瞰圖和技術生命周期圖

對表１的15個IPC分類號小組進行進一步分析發現這些我國閃存專利技術主要集中在3個小類下：半導體器件類（H01L），也即閃存芯片類；電數字數據處理類（G06F），也即傳輸接口與數據交換類；靜態存儲器類（G11C），也即讀寫控制類。以下以這3個小類為統計對象分別繪制了我國閃存專利技術鳥瞰圖和技術生命周期圖。

圖５ 我國閃存專利技術鳥瞰圖

從圖５中可以看出，以上3個小類涉及到的閃存專利數量占到了全部閃存技術專利的82%左右，包含了閃存領域中的核心技術和有發展潛力的技術領域。其中傳輸接口與數據交換類相關的專利最多，從1999-2009年共有556件閃存專利。其次是讀寫控制類，從1999-2009年共有437件閃存專利。最后是閃存芯片類，從1999-2009年共有416件閃存專利。

從圖６中看出，2003-2009年期間，我國閃存技術領域的核心技術發展迅速。尤其是2003年之后，傳輸接口與數據交換方面的專利急劇上升，說明傳輸接口與數據交換領域是我國閃存領域中正在高速發展的領域，是我國未來閃存技術專利的主要發展方向。而且此類專利從2004年開始的年授權專利量就高于其他兩類專利，說明此類技術是我國閃存技術研究發展的熱門方向。閃存芯片技術在2008年到達頂峰之后開始下滑，進入了衰退期。讀寫控制技術在2008年閃存專利年授權量超過閃存芯片技術，但發展的態勢也趨于平穩，進入了成熟期。圖６ 我國閃存專利技術生命周期圖

３.２ 國家（地區）、省市閃存技術熱門專利分布

如前文所述，在我國閃存技術專利公開數量前七位的國家（地區）是韓國、中國臺灣地區、美國、日本、以色列、荷蘭和德國。在我國閃存技術專利公開數量前六的省份是廣東、臺灣、上海、北京、江蘇和浙江。以下通過分別分析國家（地區）和省市閃存技術的熱門專利分布情況，得出這些國家（地區）和省市的強勢領域和弱勢領域在哪些方面。

圖７ 國家（地區）在我國公開的閃存技術熱門專利數量分布雷達圖

從圖７中可以看出中國臺灣地區在閃存芯片和傳輸接口與數據交換領域的閃存技術專利數量最多，占據很大的優勢。但在讀寫控制領域是韓國較占據優勢。美國在讀寫控制領域的閃存技術發展的較好，而日本是在傳輸接口與數據交換領域的閃存技術發展的較好。以色列、荷蘭和德國在閃存技術領域發展均相對較弱。

圖８ 我國省市區域的閃存技術熱門專利數量分布雷達圖

從圖８中可以看出，中國臺灣地區在讀寫控制、傳輸接口與數據交換和讀寫控制3個閃存技術熱門領域的發展程度位于全國之首，廣東省在傳輸接口與數據交換方面發展較好，上海在閃存芯片方面發展較好，北京在傳輸接口與數據交換方面發展較好。而江蘇、浙江在閃存技術領域發展相對較弱。３.３ 從申請公司的閃存技術專利分布把握閃存技術的國內競爭格局以下選取在我國授權的閃存技術專利總數量前10位的公司進行競爭格局分析。見表２。表２ 2003-2009年各公司每年的國內閃存技術專利授權量

年份海力士三星旺宏群聯力晶中興桑迪士克朗科積體先進20033218302001010200401314511501442005121175820528200644105463242320073419684651202008354538481332020091513415711141600

表２選取了我國閃存專利快速發展的2003-2009年期間進行分析。可以看出海力士公司在2006年在閃存技術領域發展到達頂峰之后，開始進入成熟期。三星公司在2008年發展到達頂峰之后也有些微的下降，進入成熟期。旺宏公司、積體公司和先進公司則在2003年發展到達頂峰之后，沒有長足的發展，逐漸進入了衰退期。力晶公司發展較為平穩，處于成熟期。群聯公司、中興公司、桑迪士克公司和朗科公司正在進入快速成長期，在2009年的閃存技術專利授權量可以與海力士公司匹敵，這四家公司將是未來我國閃存技術專利發展比較活躍的公司。

圖９ 各公司在國內的閃存技術熱門專利數量分布雷達圖

從圖９中可以看出，海力士公司在閃存芯片領域具有強大的優勢，但它在傳輸接口與數據交換領域幾乎沒有專利。三星公司在讀寫控制領域比海力士公司稍占優勢，弱點是閃存芯片領域。閃存芯片領域發展的比較好的公司還有力晶公司和旺宏公司。其中力晶公司稍占優勢，但是力晶公司只專注于閃存芯片領域，忽略了其他兩個領域的發展。在傳輸接口與數據控制領域發展的較好的是三星公司、群聯公司、中興公司和桑迪士克公司。在讀寫控制領域較好的公司是海力士公司、三星公司、朗科公司、旺宏公司、群聯公司和先進公司。

４ 結論與展望

我國閃存技術專利的熱門領域是閃存芯片領域、傳輸接口與數據交換領域和讀寫控制領域。傳輸接口與數據交換領域是我國閃存專利技術中正在高速成長期中的技術，是我國未來閃存專利技術的主要發展方向。

我國臺灣地區在閃存芯片和傳輸接口與數據交換領域占據很大的優勢。但在讀寫控制領域是韓國比較占據優勢。廣東省和北京市在傳輸接口與數據交換方面發展較好，而上海市在閃存芯片方面發展較好。

海力士公司和三星公司是我國閃存技術領域的領頭羊，但它們正在進入成熟期。群聯公司、中興公司、桑迪士克公司和朗科公司正在進入快速成長期，它們將是我國閃存技術領域發展的生力軍。閃存芯片領域最強的是海力士公司，讀寫控制領域最強的是三星公司，而在傳輸接口與數據交換領域較為強勢的是群聯公司。一家公司只專注于一個或兩個本公司較擅長的技術領域，而忽略其他技術領域的發展，這是我國閃存行業的公司具有一個普遍現象。

參考文獻

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［２］Daim，T.U. P.Ploykitikoon E.Kennedy，et al.Forecasting the future of data storage:case of hard disk drive and flash memory［Ｊ］.Emerald Group Publishing Limited，foresight，2008，10(5)：34-49.

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