吳白丁/浙江省計量科學研究院
早期常用各類電子組件體積大且頻寬窄,因此靜電對這些大體積的組件來說,幾乎不造成什么影響。隨著IC 制造技術的不斷進步和μm(微米)時代的到來,常用電子組件的尺寸大大縮小,已可以完全縮放到一個小小的芯片里面。在這種情況下,靜電對現代數字儀器使用的如此小且頻寬很寬的前端取樣電路而言,造成的影響和傷害是難以想象的。本文旨在闡述ESD(Electrostatic Discharge)對所使用的電子組件的影響和提供一些控制ESD傷害的措施。雖然無法完全解決問題(ESD是在任何地方都會產生的),但可以把ESD所帶來的影響和傷害減少到最小。
眾所周知,物質由分子構成,分子又由原子構成,而原子則由帶負電荷的電子和帶正電荷的質子構成。在正常狀況下,一個原子的質子數與電子數的數量相同,正負平衡,所以對外表現出不帶電的現象。但是環繞于原子核周圍的電子,一旦受到外力作用即脫離軌道,離開原來的A原子而侵入其他的B原子。這時A原子因正常電子數減少而帶有正電,稱為陽離子;B原子因正常電子數增加而帶負電,稱為陰離子。造成不平衡電子分布的原因是電子受外力作用而脫離軌道,這個外力可以是各種形式的能量(如動能、勢能、熱能、化學能……等)。在日常生活中,任何兩個不同材質的物體接觸后再分離,即可產生靜電。
一般根據防范要求可將靜電分成4個等級,如表1所示。

表1
各等級有不同的靜電電壓防范要求,Class 0等級雖然電壓較低(0~199 V),但并不表示它的殺傷力最小。